Electromechanical properties of self-assembled monolayers of tetrathiafulvalene derivatives studied by conducting probe atomic force microscopy

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 10, 2010, Pages 4429-4435

  Ditzler, Lindsay R ^a   Karunatilaka, Chandana ^a   Donuru, Venkat R ^b   Liu, Haiying Y ^b   Tivanski, Alexei V ^a  

^a E11 SSH   (United States)

^b MICHIGAN TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPES; COMPRESSION FORCE; CONDUCTING PROBE AFM; CONDUCTING PROBE ATOMIC FORCE MICROSCOPIES; DECANETHIOL; ELECTRICAL CONDUCTION; ELECTROMECHANICAL PROPERTY; ELECTRONIC COUPLING; JUNCTION RESISTANCES; METAL-MOLECULE-METAL JUNCTIONS; MOLECULAR RESISTIVITIES; NONLINEAR DEPENDENCE; ORDERS OF MAGNITUDE; SINGLE MOLECULE; TETRATHIAFULVALENE DERIVATIVES; THIOL LINKERS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; METALS; PLATINUM; PROBES; SELF ASSEMBLED MONOLAYERS;

MOLECULES;

EID: 77949446198     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp9073834     Document Type: Article

References (47)

1. Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. Chem. Phys. 2002, 281, 373.
2. Wynn, C. M.; Fedynyshyn, T. H.; Geis, M. W.; Kunz, R. R.; Lyszczarz, T. M.; Rothschild, M.; Spector, S. J.; Switkes, M. Nanotechnology 2004, 15, 86.
3. Lu, X.; Li, M.; Yang, C.; Zhang, L.; Li, Y.; Jiang, L.; Li, H.; Jiang, L.; Liu, C.; Hu, W. Langmuir 2006, 22, 3035.
4. Reed, M. A.; Zhou, C.; Deshpande, M. R.; Muller, C. J.; Burgin, T. P.; Jones, L., II; Tour, J. M. Ann. N.Y. Acad. Sci. 1998, 852, 133.
5. Holmlin, R. E.; Haag, R.; Chabinyc, M. L.; Ismagilov, R. F.; Cohen, A. E.; Terfort, A.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5075.
6. Van, H.; Paul, A.; Smits, E. C. P.; Geuns, T. C. T.; Akkerman, H. B.; De Brito, B. C.; Perissinotto, S.; Lanzani, G.; Kronemeijer, A. J.; Geskin, V.; Cornil, J.; Blom, P. W. M.; De Boer, B.; De Leewu, D. M. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 749.
7. Ogawa, T.; Kobayashi, K.; Masuda, G.; Takase, T.; Shimizu, Y.; Maeda, S. Trans. Mater. Res. Soc. Jpn. 2001, 26, 733.
8. Francesco, G.; MaÁngeles, H.; Lucia, G.; Ma, T. G.; Michel, C.; Christian, S.; Carlos, R. A.; Gabino, R. B.; Marisela, V.; Nicolas, A.; Nazario, M. Chem. Commun. 2007, 4854.
9. Wang, J. L.; Tang, Z. M.; Xiao, Q.; Zhou, Q. F.; Ma, Y.; Pei, J. Org. Lett. 2008, 10, 17.
10. Burtman, V.; Ndobe, A. S.; Vardeny, Z. V. J. Appl. Phys. 2005, 98, 034314/1.
11. Gomar-Nadal, E.; Ramachandran, G. K.; Chen, F.; Burgin, T.; Rovira, C.; Ambilino, D. B.; Lindsay, S. M. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 7213.
12. Tivanski, A. V.; He, Y.; Borguet, E.; Liu, H.; Walker, G. C.; Waldeck, D. H. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 5398.
13. Nitzan, A.; Ratner, M. A. Science 2003, 300, 1384.
14. Joachim, C.; Ratner, M. A. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 8801.
15. Akkerman, H. B.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M.; de Boer, B. Nature 2006, 441, 69.
16. Li, Z.; Kosov, D. S. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 19116.
17. Segura, J. L.; Martín, N. Angew. Chem., Int. Ed. 2001, 40, 1372.
18. Herranz, M. A.; Sánchez, L.; Martín, N. Phosphorus, Sulfur Silicon Relat. Elem. 2005, 180, 1133.
19. Simonsen, K.; Svenstrup, N.; Lau, J.; Simenson, O.; Mork, P.; Kirstensen, G. J.; Becher, J. Synthesis 1996, 407.
20. Svenstrup, N.; Rasmussen, K. M.; Hansen, T. K.; Becher, J. Synthesis 1994, 809.
21. Wold, D. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549.
22. Engelkes, V. B.; Beebe, J. M.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 16801.
23. Gomar-Nadal, E.; Ramachandran, G. K.; Chen, F.; Burgin, T.; Rovira, C.; Ambilino, D. B.; Lindsay, S. M. J. Phys. Chem. B 2008, 108, 7213.
24. Wagner, P.; Hegner, M.; Guntherodt, H. J.; Semenza, G. Langmuir 1995, 11, 3867.
25. Hutter, J. L.; Bechhoefer, J. Rev. Sci. Instrum. 1993, 64, 1868.
26. Beebe, J. M.; Engelkes, V. B.; Liu, J.; Gooding, J. J.; Eggers, P. K.; Jun, Y.; Zhu, X.; Paddon-Row, M. N.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem B 2005, 109, 5207.
27. Tamada, K.; Hara, M.; Sasabe, H.; Knoll, W. Langmuir 1997, 13, 1558.
28. Dwyer, C. O.; Gay, G.; Viaris de Lesegno, B.; Weiner, J. Langmuir 2004, 20, 8172.
29. Bain, C. D.; Troughton, E. B.; Tao, Y.; Evall, J.; Whitesides, G. M.; Nuzzo, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1989, 111, 321.
30. Porter, M. D.; Birght, T. B.; Allara, D. L.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1987, 109, 3559.
31. Nuzzo, R. G.; Dubois, L. H.; Allara, D. L. J. Am. Chem. Soc. 1990, 112, 558.
32. Ehler, T. T.; Malmberg, N.; Noe, L. J. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 1268.
33. Tian, W.; Datta, S.; Hong, S.; Reifenberger, R. G.; Henderson, J. I.; Kubiak, C. P. J. Chem. Phys. 1998, 109, 2874.
34. Wold, D. J.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 2970.
35. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; John Wiley & Sons, Inc.: New York, 1981.
36. Simmons, J. H. J. Appl. Phys. 1963, 281, 1793.
37. Wang, W.; Lee, T.; Reed, M. A. Phys. Rev. B 2003, 68, 035416.
38. Davis, J. J.; Peters, B.; Xi, W. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 374123-374131
39. Burnham, N. A.; Colton, R. J. J. Vac. Sci. Technol. A 1989, 7, 2906.
40. Weihs, T. P.; Nawaz, Z.; Jarvis, S. P.; Pethica, J. B. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 3536.
41. Lee, T.; Wang, W. Y.; Klemic, J. F.; Zhang, J. J.; Su, J.; Reed, M. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 8742.
42. Ishida, T.; Mizutani, W.; Aya, Y.; Osiga, H.; Sasaki, S.; Tokumoto, H. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5886.
43. Gosvami, N. N.; Sinha, S. K.; Sirnivasan, M. P.; O'Shea, S. J. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 297.
44. Tivanski, A. V.; Li, J. K.; Walker, G. C. Langmuir 2008, 24, 2288.
45. Yokata, Y.; Fukui, K.; Enoki, T.; Hara, M. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 6571.
46. Vilan, A. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 4431.
47. Magoga, M.; Joachim, C. Phys. Rev. B 1999, 59, 16011.