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Volumn 2, Issue 11, 2009, Pages

Doping-induced contrast in the refractive index for GalnN/GaN structures at telecommunication wavelengths

(8) Cywiński, Grzegorz a Kudrawiec, Robert b Rzodkiewicz, Witold c Kryśko, Marcin a Litwin Staszewska, Elzbieta a Łucznik, Bolestaw a Misiewicz, Jan b Skierbiszewski, Czestaw a

a INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS (Poland)

b WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY (Poland)

c Research Group of Integrated Circuits and System Design (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION COEFFICIENTS; GAN LAYERS; PLASMA EDGES; REFLECTANCE SPECTRUM; SI-DOPING; TELECOMMUNICATION WAVELENGTHS;

GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; KRAMERS-KRONIG RELATIONS; LIGHT REFRACTION; PLASMA TURBULENCE; REFLECTION; REFRACTOMETERS; SILICON;

REFRACTIVE INDEX;

EID: 73249120785 PISSN: 18820778 EISSN: 18820786 Source Type: Journal
DOI: 10.1143/APEX.2.111001 Document Type: Article

Times cited : (7)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.