Thickness monitoring of sub-nanometer scale La2O3 films using total X-ray reflection fluorescence spectrometry

Journal of Analytical Atomic Spectrometry

Volumn 24, Issue 12, 2009, Pages 1681-1683

  Lee, J S ^a   Lim, H B ^a  

^a Dankook University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION PROCESS; FLUORESCENCE SPECTROMETRY; GATE OXIDE; HIGH-K DIELECTRIC; METAL OXIDES; NANO-METER SCALE; PINNING EFFECTS; POLYSILICON GATES; SEMICONDUCTOR INDUSTRY; SILICON DIOXIDE; THICKNESS MONITORING; ULTRA-THIN; X RAY REFLECTION;

FLUORESCENCE; FLUORESCENCE SPECTROSCOPY; MONITORING; POLYSILICON; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SILICA; SPECTROMETRY;

GATE DIELECTRICS;

EID: 70450186412     PISSN: 02679477     EISSN: 13645544     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/b908021j     Document Type: Article

References (14)

1. C. G. Hwang Proc. IEEE 2003 91 11 1765
2. Y. K. Park C. H. Cho K. H. Lee B. H. Roh Y. S. Ahn S. H. Lee J. H. Oh J. G. Lee D. H. Kwak S. H. Shin J. S. Bae S. B. Kim J. K. Lee J. Y. Lee M. S. Kim J. W. Lee D. J. Lee S. H. Hong D. I. Bae Y. S. Chun S. H. Park C. J. Yun T. Y. Chung Kinam Kim IEEE International Electron Devices Meeting 2002 819
3. K. Mistry C. Allen C. Auth B. Beattie D. Bergstrom M. Bost M. Brazier M. Buehler A. Cappellani R. Chau C.-H. Choi G. Ding K. Fischer T. Ghani R. Grover W. Han D. Hanken M. Hattendorf J. He J. Hicks R. Heussner D. Ingerly P. Jain R. James L. Jong S. Joshi C. Kenyon K. Kuhn K. Lee H. Liu J. Maiz B. McIntyre P. Moon J. Neirynck S. Pae C. Parker D. Parsons C. Prasad L. Pipes M. Prince P. Ranade T. Reynolds J. Sandford L. Shifren J. Sebastian J. Seiple D. Simon S. Sivakumar P. Smith C. Thomas T. Troeger P. Vandervoorn S. Williams K. Zawadzki IEEE International Electron Devices Meeting Technical Digest 2007
4. G. D. Wilk R. M. Wallace J. M. Anthony J. Appl. Phys. 2001 89 10 5243
5. K. Kakushima K. Okamoto M. Adachi K. Tachi P. Ahmet K. Tsutsui N. Sugii T. Hattori H. Iwai Solid-State Electron. 2008 52 1280
6. C. Hobbs L. Fonseca V. Dhandapani S. Samavedam B. Taylor J. Grant L. Dip D. Triyoso R. Hegde D. Gilmer R. Garcia D. Roan L. Lovejoy R. Rai L. Herbert H. Tseng B. White P. Tobin Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers 2003 9
7. C. C. Hobbs L. R. C. Fonseca A. Knizhnik V. Dhandapani S. B. Samvedam W. J. Taylor J. M. Grant L. G. Dip D. H. Triyoso R. I. Hegde D. C. Gilmer R. Garcia D. Roan M. L. Lovejoy R. S. Rai E. A. Hebert H. H. Tseng S. G. H. Anderson B. E. White P. J. Tobin IEEE Trans. Electron Devices 2004 51 6 978
8. E. P. Gusev D. A. Buchanan E. Cartier A. Kumar D. DiMaria S. Guha A. Callegari S. Zafar P. C. Jamison D. A. Neumayer M. Copel M. A. Gribelyuk H. Okorn-Schmidt C. D'Emic P. Kozlowski K. Chan N. Bojarczuk L.-A. Ragnarsson P. Ronsheim K. Rim R. J. Fleming A. Mocuta A. Ajmera IEEE International Electron Devices Meeting 2001 451
9. R. Klockenkamper, in TXRF analysis, ed., J. D. Winefordner, J. Wiley& sons, New York, 1997, vol. 140, pp. 200-214
10. C. M. Sparks M. R. Beebe J. Bennett B. Foran C. Gondran A. Hou Spectrochim. Acta, Part B 2004 59 1227
11. D. Hellin A. Delabie R. L. Puurunen P. Beaven T. Conard B. Brijs S. D. Gendt C. Vinckier Anal. Sci. 2005 21 845
12. D. K. G. de Boer W. W. van den Hoogenhof Spectrochim. Acta, Part B 1991 46B 10 1323
13. U. Weisbrod R. Gutschke J. Knoth H. Schwenke Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 1991 53 449
14. C. Carpanese B. Crivelli M. Caniatti Spectrochim. Acta, Part B 2004 59 1183