New materials in memory development sub 50nm: Trends in flash and dram

Advanced Engineering Materials

Volumn 11, Issue 6, 2009, Pages 513-514

  Kuesters, Karl Heinz ^a   Beug, Marc Florian ^a   Schroeder, Uwe ^a   Nagel, Nicolas ^a   Bewersdorff, Ulrike ^a   Dallmann, Gerald ^a   Jakschik, Stefan ^a   Knoefler, Roman ^a   Kudelka, Stephan ^a   Ludwig, Christoph ^a   Manger, Dirk ^a   Mueller, Wolfgang ^a   Tilke, Armin ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 67650526103     PISSN: 14381656     EISSN: 15272648     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adem.200990017     Document Type: Erratum

References (38)

1. ITRS roadmap, see www.itrs.net
2. T. Mikolajick, Nanotechnology 2008, Vol. 3, ISBN 978-3-527-31738-7, 351.
3. Jong-Ho Park, Sung-Hoi Hur, Joon-Hee Leex, Jin-Taek Park, Jong-Sun Sel, Jong-Won Kim, Sang-Bin Song, Jung- Young Lee, Ji-Hwon Lee, Suk-Joon Son, Yong-Seok Kim, Min-Cheol Park, Soo-Jin Chai, Jung-Dal Choi, U-In Chung, Joo-Tae Moon, Kyeong-Tae Kim, Kinam Kim, Byung-Il Ryu, IEDM Tech. Dig. 2004, 873.
4. st Nonvolatile Memory Workshop. 2006, 9.
5. Y. Shin, G. H. Buh, T. Park, G. H. Yon, D. C. Kim, B. Y. Koo, C. W. Ryoo, S. J. Hong, J. R. Yoo, J. W. Lee, Y. G. Shin, U.-In. Chung, J. T. Moon, Byung-Il Ryu, IEDM Tech. Dig. 2005, 13.6.1, 337.
6. Youngwoo Park, Jungdal Choi, Changseok Kang, Changhyun Lee, Yuchoel Shin, Bonghyn Choi, Juhung Kim, Sanghun Jeon, Jongsun Sel, Jintaek Park, Kihwan Choi, Taehwa Yoo, Jaesung Sim, Kinam Kim, IEDM Tech. Dig. 2006, 29.
7. M. Specht, H. Reisinger, M. Staedele, F. Hofmann, A. Gschwandtner, E. Landgraf, R. J. Luyken, T. Schulz, T. Hartwich, L. Dreeskornfeld, W. Roesner, J. Kretz, L. Risch, ESSDERC 2003, 155.
8. H. Bachhofer, H. Reisinger, E. Bertagnolli, JAP 2001, 89, 2791.
9. T. Mikolajick, N. Nagel, S. Riedel, T. Mueller, K. H. Kuesters, proceedings VLSI-TSA 2007, 130.
10. W. Mueller, G. Aichmayr, W. Bergner, E. Erben, T. Hecht, C. Kapteyn, A. Kersch, S. Kudelka, F. Lau, J. Luetzen, A. Orth, J. Nuetzel, T. Schloesser, A. Scholz, U. Schroeder, A. Sieck, A. Spitzer, M. Strasser, P. F. Wang, S. Wege, R. Weis, IEDM Tech. Dig. 2005, 339.
11. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, E. Aloni, A. Frommer, D. Finzi, IEEE Electron Device Letter, 2000, 21, 543.
12. C. H. Lee, Applied Physics Letters 2005, 86, 152908-.
13. C. H. Lee, W. H. Wang, D. S. Chao, Y. C. Chen, C. M. Lee, H. H. Hsu, Y. Chuo, M. H. Tseug, M. H. Lee, W. S. Chen, M. J. Kao, M.-J. Tsai, VLSI symposium Tech. Dig. 2006, 3.4.
14. L. Breuil, A. Furnemont, A. Rothschild, G. Van den Bosch, A. Cacciato, J. Van Houdt, proceedings icmtd-nvsmw 2008, IEEE ISBN 1-4244-1546-2, 126.
15. T. Melde, F. Beug, M. Isler, L. Bach, M. Ackermann, S. Riedel, C. Ludwig, proceedings icmtd-nvsmw 2008, IEEE ISBN 1-4244-1546-2, 130.
16. A. Furnemont, M. Rosmeulen, A. Cacciato, L. Breuil, J. Van Houdt, K. De Meyer, H. Maes, proceedings ICMTD 2007, 205.
17. H. T. Lue, A. C. Lai, C. W. Liao, T.-B. Wu, M. J. Yang, Y. H. Lue, J. Y. Hsieh, S. Y. Wang, G. L. Luo, C. H. Chien, K. Y. Hsieh, R. Liu, C. Y. Lu, proceedings VLSI-TSA 2008.
18. U. Schroeder, Freiberger Silicium Days 2007, Freiberger Forschungshefte, in press.
19. D. S. Kil, K. Hong, K. J. Lee, J. Kim, H. S. Song, K. S. Park, J. S. Roh, H. C. Sohn, J. W. Kim, S. W. Park, VLSI Symposium Tech. Dig. 2004, 73.
20. U. Schroeder, DPG Spring Meeting 2008.
21. J. Amon, A. Kieslich, L. Heineck, T. Schuster, J. Faul, J. Luetzen, C. Fan, C. C. Huang, C. C. B. Fischer, G. Enders, S. Kudelka, U. Schroeder, K. H. Kuesters, G. Lange, J. Alsmeier, IEDM Tech. Dig. 2004, 73.
22. D. S. Kil, VLSI Symposium Tech. Dig. 2006, 73.
23. Y. Ho, H. Gong, Appl. Phys. Lett. 2002, 81 (22), 4218.
24. Cho Changhyun, Song Sangho, Kim Sangho, Jang Sungho, Lee Sungsam, Kim Hyungtak, Sung Yangsoo, VLSI Symposium Tech. Dig. 2005, 36.
25. W. Weinreich, AVS-ALD conference 2008, Bruges.
26. J.-H. Kim, J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41, 172005.
27. J. Niiniströ, this volume.
28. J. Robertson, Solid State Electronics 2005, 49, 283.
29. Seong Keun Kim, Gyu-Jin Choi, Sang Young Lee, Minha Seo, Sangwoon Lee, Leonghwan Han, Hyo-Shin Ahn, Seungwu Han, Cheol Seong Hwang, Adv. Mat. 2008, 20, 1.
30. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, J. Kavalieros, M. Metz, Electron device letters 2004, 25 (6), 408.
31. Y. Tateshita, IEDM Tech. Dig. 2006, 63.
32. H. R. Harris, VLSI Symposium Tech. Dig. 2007, 154.
33. M. Chudzik, B. Doris, R. Mo, J. Sleight, E. Cartier, C. Dewan, D. Park, H. Bu, W. Natzle, W. Yan, C. Ouyang, K. Henson, D. Boyd, S. Callegari, R. Carter, D. Casarotto, M. Gribelyuk, M. Hargrove, W. He, Y. Kim, B. Linder, N. Moumen, V. Paruchuri, J. Stathis, M. Steen, A. Vayshenker, X. Wang, S. Zafar, T. Ando, R. Iijima, M. Takayanagi, V. Narayanan, R. Wise, Y. Zhang, R. Divakaruni, M. Khare, T. C. Chen, VLSI Symposium Tech. Dig. 2007, 194.
34. S. Hyun, et al., VLSI Symposium Tech. Dig. 2007, 184.
35. P. Sivasubramani, S. Govindarajan, T. S. Böschke, P. D. Kirsch, M. A. Lopez, S. C. Song, R. W. Wallace, B. E. Gnade, P. Y. Hung, J. Price, U. Schroeder, S. Ramaathan, B. H. Lee, R. Jammy, VLSI Symposium Tech. Dig. 2007, p 68.
36. S. Z. Chang, et al., VLSI Symposium Tech. Dig. 2008, 62.
37. S. Kubicek, T. Schram, V. Paraschiv, R. Vos, M. Demand, C. Adelmann, T. Witters, L. Nyns, L. A. Ragnarsson, H. Yu, A. Veloso, R. Singanamalla, T. Kauerauf, E. Rohr, S. Brus, C. Vrancken, V. S. Chang, R. Mitsuhashi, A. Akheyar, H. J. Cho, H. J. C. Hooker, B. J. O'Sullivan, T. Chiarella, C. Kerner, A. Delabie, S. Van Elshocht, K. De Meyer, S. De Gendt, P. Absil, T. Hoffmann, S. Biesemans, IEDM Tech. Dig. 2007, 49.
38. G. Jin, et al., 2nd International Workshop on Nanoscale Semiconductor Devices, 2005.