Fabrication and characterization of ITO/BZN thin film transistors

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 54, Issue 1 PART 2, 2009, Pages 539-543

  Tokumitsu, Eisuke ^a   Kondo, Yohei ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

Bi 1.5Zn1.0Nb1.5O7; High k gate insulator; ITO; Oxide semiconductor; Thin film transistor

Indexed keywords

EID: 59949106180     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.54.539     Document Type: Conference Paper

References (12)

1. K. Nomura, K. Nakajima, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
2. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2004).
3. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L347 (2003).
4. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541 (2004).
5. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park and S. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 2685 (2004).
6. H. Q. Chiang, J. F. Wagner, R. L. Hoffman, J. Jeong and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 86, 013503 (2005).
7. M. W. J. Prins, K. O. Grosse-Holz, G. Muller, J. F. M. Cillessen, J. B. Giesbers, R. P. Weening and R. M. Wolf, Appl. Phys. Lett. 68, 3650 (1996).
8. I. D. Kim, M. H. Lim, K. T. Kang, H. G. Kim and S. Y. Choi, Appl. Phys. Lett. 89 022905 (2006).
9. J. Siddiqui, E. Cagin, D. Chen and J. D. Phillips, Appl. Phys. Lett. 88 212903 (2006).
10. T. Miyasako, M. Senoo and E. Tokumitsu, Appl. Phys. Lett. 86, 162902 (2005).
11. E. Tokumitsu, M. Senoo and T. Miyasako, J. Microelectronic Engineering 80, 305 (2005).
12. E. Tokumitsu, M. Senoo and E. Shin, Materials Research Society Symp. Proc. 902E, T10-54.1-54.6 (2006).