Crystallization and properties of PbO-doped Ba0.7Sr 0.3TiO3 films

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 6, 2004, Pages 3417-3423

  Sun, Ping ^a   Matsuura, Naomi ^a   Ruda, Harry E ^a  

^a UNIVERSITY OF TORONTO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; CURRENT DENSITY; DOPING (ADDITIVES); FERROELECTRICITY; LEAKAGE CURRENTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MICROSTRUCTURE; PERMITTIVITY; PEROVSKITE; POROSITY; SOL-GELS; SPIN COATING; THIN FILMS; TITANIUM OXIDES; X RAY DIFFRACTION;

ANNEALING TEMPERATURE; FILM POROSITY; FILM PROPERTIES; LEAKAGE CURRENT DENSITY;

LEAD COMPOUNDS;

EID: 4944259366     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1778220     Document Type: Article

References (36)

1. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
2. D. E. Kotecki et al., IBM J. Res. Dev. 43, 367 (1999).
3. M. W. Cole, P. C. Joshi, and M. H. Ervin, J. Appl. Phys. 89, 6336 (2001).
4. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer, D. E. Kotecki, H. Shen, and Q. Y. Ma, Appl. Phys. Lett. 72, 498 (1998).
5. C.-S. Chen, T.-Y. Tseng, S.-C. Chang, and W.-F. Hsieh, J. Appl. Phys. 92, 1868 (2002).
6. J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, and J.-H. Chu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A70, 411 (2000).
7. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, K. L. Saenger, P. R. Duncombe, C. Cabral, D. E. Kotecki, H. Shen, J. Lian, and Q. Y. Ma, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1457 (1999).
8. A. Srivastava, D. Kumar, R. K. Singh, H. Venkataraman, and W. R. Eisenstadt, Phys. Rev. B 61, 7305 (2000).
9. K. H. Ahn, S. Baik, and S. S. Kima, J. Appl. Phys. 92, 2651 (2002).
10. Y. A. Jeon, T. S. Seo, and S. G. Yoon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6496 (2001).
11. K. H. Yoon, J. C. Lee, J. Park, D. H. Knak, C. M. Song, and Y. G. Seo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 5497 (2001).
12. Y. Masaki, I. P. Koutzarov, H. E. Ruda, M. Farrell, and S. Marett, J. Am. Ceram. Soc. 81, 1074 (1998).
13. S. I. Jang and H. M. Jang, Thin Solid Films 330, 89 (1998).
14. M. W. Cole, W. D. Nothwang, C. Hubbard, E. Ngo, and M. Ervin, J. Appl. Phys. 93, 9218 (2003).
15. S. Yamamichi, H. Yabuta, T. Sakuma, and Y. Miyaska, Appl. Phys. Lett. 64, 1644 (1994).
16. T. Hayashi, H. Shinozaki, and K. Sasaki, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1011 (1999).
17. M. C. Gust, N. Evans, L. Momoda, and M. Mecartney, J. Am. Ceram. Soc. 80, 2828 (1997).
18. G. A. Smolenskii and K. I. Rozgachev, Zh. Tekh. Fiz. 24, 1751 (1954) (in Russian).
19. S. Hoffmanna and R. Waser, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1339 (1999).
20. H. Suzuki, M. B. Othman, K. Murakami, S. Kaneko, and T. Hayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4896 (1996).
21. K. Maki, N. Soyama, K. Nagamine, S. Mori, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 5533 (2001).
22. T. Mori, A. Shibuya, and S. Yamamichi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 7434 (2003).
23. S. Hoffmann and R. Waser, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1339 (1999).
24. U. Hasenkox, S. Hoffmann, and R. Waser, J. Sol-Gel Sci. Technol. 12, 67 (1998).
25. T. M. Shaw, Z. Suo, M. Huang, E. Liniger, R. B. Laibowitz, and J. D. Baniecki, Appl. Phys. Lett. 75, 2129 (1999).
26. S. Li, J. A. Eastman, J. M. Vetrone, C. M. Foster, R. E. Newnham, and L. E. Cross, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5169 (1997).
27. G. A. Rossetti, L. E. Cross, and K. Kushida, Appl. Phys. Lett. 59, 2524 (1991).
28. N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov, and A. K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).
29. S. Chattopadhyay, P. Ayyub, V. R. Palkar, and M. Multani, Phys. Rev. B 52, 13177 (1995).
30. S. V. Razumov, A. V. Tumarkin, M. M. Gaidukov, A. G. Gagarin, A. B. Kozyrev, O. G. Vendik, A. V. Ivanov, O. U. Buslov, and V. N. Keys, Appl. Phys. Lett 81, 1675 (2002).
31. S. G. Vendik, E. K. Hollmann, A. B. Kozyrev, and A. M. Prudan, J. Supercond. 12, 325 (1999).
32. B. H. Park, E. J. Peterson, Q. X. Jia, J. Lee, X. Zeng, W. Si, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 78, 553 (2001).
33. L. H. Parker and A. F. Tasch, IEEE Circuits Devices Mag. 6, 17 (1990).
34. J. C. Shin, J. Park, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 86, 2651 (1999).
35. F. M. Pontes, E. Longo, E. R. Leite, and J. A. Varela, Thin Solid Films 386, 91 (1998).
36. S. Ezhilvalavan and T.-Y. Tseng, Mater. Chem. Phys. 65, 227 (2000).