Dependence of luminescence efficiency on dopant concentration and sintering temperature in the erbium-doped Ba 0.7Sr 0.3TiO 3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 4, 2002, Pages 1868-1872

  Kuo, Shou Yi ^a   Chen, Chin Sheng ^a   Tseng, Tseung Yuen ^a   Chang, S C ^a   Hsieh, Wen Feng ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BST THIN FILMS; C-V MEASUREMENT; CHARGE COMPENSATION MECHANISM; CRYSTALLINITIES; DOPANT CONCENTRATIONS; ELECTROLUMINESCENCE DEVICES; ER DOPANT; ER-DOPED; ERBIUM DOPED; GREEN EMISSIONS; ION-ION INTERACTION; LUMINESCENCE EFFICIENCIES; POLYCRYSTALLINE PHASE; RAMAN STUDIES; SINTERING TEMPERATURES; TIO;

DIELECTRIC PROPERTIES; ERBIUM; IONS; PHASE SEPARATION; SOL-GELS; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION;

SINTERING;

EID: 0037103550     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1492870     Document Type: Article

References (39)

1. J. Heikenfeld, M. Garter, D. S. Lee, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999). apl APPLAB 0003-6951
2. H. X. Zhang, C. H. Kam, Y. Zhou, X. Q. Han, S. Buddhudu, Q. Xiang, Y. L. Lam, and Y. C. Chan, Appl. Phys. Lett. 77, 609 (2000). apl APPLAB 0003-6951
3. S. M. Takahashi, M. Kanno, and R. Kawamoto, Appl. Phys. Lett. 65, 1874 (1994). apl APPLAB 0003-6951
4. J. Heikenfeld, D. S. Lee, M. Garter, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 76, 1365 (2000). apl APPLAB 0003-6951
5. R. Liedtke, M. Grossmann, and R. Waser, Appl. Phys. Lett. 77, 2045 (2000). apl APPLAB 0003-6951
6. N. A. Pertsev, V. G. Koukhar, R. Waser, and S. Hoffmann, Appl. Phys. Lett. 77, 2596 (2000). apl APPLAB 0003-6951
7. J. Im, S. K. Streiffer, O. Auciello, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 77, 2593 (2000). apl APPLAB 0003-6951
8. S. M. Rhim, H. Bak, S. Hong, and O. K. Kim, J. Am. Ceram. Soc. 83, 3009 (2000). jac JACTAW 0002-7820
9. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000). nat NATUAS 0028-0836
10. D. E. Kotecki, J. D. Baniecki, H. Shen, R. B. Laibowitz, K. L. Saenger, J. J. Lian, T. M. Shaw, S. D. Athavale, C. Cabral, P. R. Duncombe, M. Gutsche, G. Kunkel, Y. J. Park, Y. Y. Wang, and R. Wise, IBM J. Res. Dev. 43, 367 (1999). ibm IBMJAE 0018-8646
11. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, K. L. Saenger, P. R. Duncombe, C. Cabral, D. E. Kotecki, H. Shen, J. Lian, and Q. Y. Ma, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1457 (1999). jeu JECSER 0955-2219
12. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
13. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer, D. E. Kotecki, H. Shen, and Q. Y. Ma, Appl. Phys. Lett. 72, 498 (1998). apl APPLAB 0003-6951
14. G. W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 82, 2359 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
15. C. Basceri, S. K. Streiffer, A. I. Kingon, and R. Waser, J. Appl. Phys. 82, 2497 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
16. G. T. Stauf, C. Ragaglia, J. F. Roeder, D. Vestyck, J. P. Maria, T. Ayguavives, A. Kingon, A. Mortazawi, and A. Tombak, Integr. Ferroelectr. 39, 1271 (2001). itf IFEREU 1058-4587
17. S. C. Tidrow, E. Adler, T. Anthony, W. Wiebach, and J. Synowczynski, Integr. Ferroelectr. 29, 151 (2000). itf IFEREU 1058-4587
18. B. S. Kwak, K. Zhang, E. P. Boyd, A. Erbil, and B. J. Wilkens, J. Appl. Phys. 69, 767 (1991). jap JAPIAU 0021-8979
19. S. Kim, S. Hishita, Y. M. Kang, and S. Baik, J. Appl. Phys. 78, 5604 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
20. K. Iijima, T. Terashima, K. Yamamoto, K. Hirata, and Y. Bando, Appl. Phys. Lett. 56, 527 (1990). apl APPLAB 0003-6951
21. R. A. McKee, F. J. Walker, J. R. Conner, E. D. Specht, and D. E. Zelmon, Appl. Phys. Lett. 59, 782 (1991). apl APPLAB 0003-6951
22. K. Nashimoto, D. K. Fork, F. A. Ponce, and J. C. Tramontana, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4099 (1993). jjb JAPNDE 0021-4922
23. F. Wang, A. Uusimaki, S. Leppavuori, S. F. Karmanenko, A. I. Dedyk, V. I. Sakharov, and I. T. Serenkov, J. Mater. Res. 13, 1243 (1998). jmr JMREEE 0884-2914
24. C. L. Jia, K. Urban, S. Hoffmann, and R. Waser, J. Mater. Res. 13, 2206 (1998). jmr JMREEE 0884-2914
25. S. Hoffmann and R. Waser, J. Eur. Ceram. Soc. 19, 1339 (1999). jeu JECSER 0955-2219
26. K. Hafidi, Y. Ijdiyaou, M. Azizan, E. L. Ameziane, A. Outzourhit, T. A. Nguyen Tan, and M. Brunel, Appl. Surf. Sci. 108, 251 (1997). asu ASUSEE 0169-4332
27. J. H. Hwang, S. K. Choi, and Y. H. Han, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4952 (2001). jjb JAPNDE 0021-4922
28. J. H. Hwang and Y. H. Han, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 676 (2001). jjb JAPNDE 0021-4922
29. M. DiDomenico, S. H. Wemple, and S. P. Porto, Phys. Rev. 174, 524 (1968). phr PHRVAO 0031-899X
30. R. Naik, J. J. Nazarko, C. S. Flattery, U. D. Venkateswaran, V. M. Naik, M. S. Mohammed, G. W. Auner, J. V. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli, and A. B. Catalan, Phys. Rev. B 61, 11367 (2000). prb PRBMDO 0163-1829
31. S. Y. Kuo, W. Y. Liao, and W. F. Hsieh, Phys. Rev. B 64, 224103 (2001). prb PRBMDO 0163-1829
32. C. L. Li, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, H. B. Lu, C. Dong, F. Wu, and H. Chen, J. Appl. Phys. 86, 4555 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
33. S. Ezhilvalavan and T. Y. Tseng, Mater. Chem. Phys. 65, 227 (2000). mcp MCHPDR 0254-0584
34. C. H. Huang and L. McCaughan, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 599 (1997). ptl IPTLEL 1041-1135
35. K. W. Kramer, H. U. Gudel, and R. N. Schwartz, Phys. Rev. B 56, 13830 (1997). prb PRBMDO 0163-1829
36. F. Goutaland, Y. Ouerdane, A. Boukenter, and G. Monnom, J. Alloys Compd. 275-277, 276 (1998). jal JALCEU 0925-8388
37. J. Zheng, Y. Lu, X. Chen, M. C. Golomb, and J. Zhao, Appl. Phys. Lett. 75, 3470 (1999). apl APPLAB 0003-6951
38. W. J. Minscalco, J. Lightwave Technol. 9, 234 (1991). jlw JLTEDG 0733-8724
39. C. Y. Chen, R. R. Petrin, D. C. Yeh, W. A. Sibley, and J. L. Adam, Opt. Lett. 14, 432 (1989). opl OPLEDP 0146-9592