Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAsAlGaAs

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 9, 2008, Pages

  Teodoro, M D ^a   Dias, I F L ^a   Laureto, E ^a   Duarte, J L ^a   Gonzalez Borrero P P ^b   Loureno S A ^c   Mazzaro, I ^d   Marega, E ^e   Salamo, G J ^f  

^a STATE UNIVERSITY OF LONDRINA   (Brazil)

^b UNIVERSIDADE ESTADUAL DO CENTRO OESTE   (Brazil)

^c UNIVERSIDADE ESTADUAL DO OESTE DO PARANÁ   (Brazil)

^d FEDERAL UNIVERSITY OF PARANÁ   (Brazil)

^e UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

^f UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM COMPOUNDS; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE;

MULTIQUANTUM WELLS; PEAK ENERGY; POTENTIAL FLUCTUATIONS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 43949116296     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2913513     Document Type: Article

References (43)

1. O. Brandt, K. Kanamoto, Y. Tokuda, N. Tsukada, O. Wada, and J. Tanimura, Phys. Rev. B 48, 17599 (1993).
2. S. Cho, A. Sanz-Hervás, A. Majerfeld, and B. W. Kim, Phys. Rev. B 68, 035308 (2003).
3. A. G. Davies, J. E. F. Frost, D. A. Ritchie, D. C. Peacock, R. Newbury, E. H. Linfield, M. Pepper, and G. A. C. Jones, J. Cryst. Growth 111, 318 (1991).
4. L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston, and I. Harrison, Semicond. Sci. Technol. 10, 49 (1995).
5. M. Henini, P. J. Rodgers, P. A. Crump, B. L. Gallagher, and G. Hill, Appl. Phys. Lett. 65, 2054 (1994).
6. X. Li, D. Sun, J. Dong, J. Li, M. Kong, and S. F. Yoon, J. Appl. Phys. 83, 7900 (1998).
7. E. C. Ferreira, J. A. K. Freire, V. N. Freire, J. A. P. da Costa, E. L. Albuquerque, P. W. Mauriz, and G. A. Farias, Surf. Sci. 532, 774 (2003).
8. P. G. Elissev, J. Appl. Phys. 93, 5404 (2003).
9. L. Via, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 1979 (1984).
10. R. Pässler, Phys. Status Solidi B 200, 155 (1997).
11. S. A. Loureņo, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, L. C. Po̧as, D. O. Toginho Filho, and J. R. Leite, Braz. J. Phys. 34, 517 (2004).
12. A. Bell, S. Srinivasan, C. Plumlee, H. Omiya, F. A. Ponce, J. Christen, S. Tanaka, A. Fujioka, and Y. Nakagawa, J. Appl. Phys. 95, 4670 (2004).
13. P. G. Elissev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
14. Q. Li, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, J. Phys.: Condens. Matter 17, 4853 (2005).
15. Q. Li, S. J. Xu, W. C. Cheng, M. H. Xie, S. Y. Tong, C. M. Che, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 79, 1810 (2001).
16. V. I. Litvinov, Appl. Phys. Lett. 77, 2210 (2000).
17. S. A. Loureņo, M. A. T. da Silva, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, A. A. Quivy, and T. E. Lamas, J. Appl. Phys. 101, 113536 (2007).
18. S. A. Loureņo, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, V. M. Aquino, and J. C. Harmand, Braz. J. Phys. 37, 1212 (2007).
19. J. L. Duarte, L. C. Po̧as, E. Laureto, I. F. L. Dias, E. M. Lopes, and S. A. Loureņo, Phys. Rev. B 77, 165322 (2008).
20. E. Laureto, E. A. Meneses, W. Carvalho, Jr., A. A. Bernussi, E. Ribeiro, E. C. F. Silva, and J. B. B. Oliveira, Braz. J. Phys. 32, 314 (2002).
21. L. Pavesi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
22. M. Mihara, Y. Nomura, M. Mannoh, K. Yamanaka, S. Naritsuka, K. Shinozaki, T. Yuasa, and M. Ishii, J. Appl. Phys. 55, 3760 (1983).
23. M. El Allali, C. B. Sorensen, and E. Veje, Phys. Rev. B 48, 4398 (1993).
24. N. Galbiati, E. Grilli, M. Guzzi, L. Brusaferri, L. Pavesi, and M. Henini, Semicond. Sci. Technol. 11, 1830 (1996).
25. N. Galbiati, E. Grilli, M. Guzzi, P. Albertini, L. Brusaferri, L. Pavesi, M. Henini, and A. Gasparotto, Semicond. Sci. Technol. 12, 555 (1997).
26. I. W. Tao, C. Schwartz, and W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 838 (1992).
27. A. Sanz-Hervás, S. Cho, A. Majerfeld, and B. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 76, 3073 (2000).
28. H. Li, T. Mei, D. H. Zhang, W. J. Fan, S. F. Yoon, and W. K. Loke, J. Cryst. Growth 288, 36 (2006).
29. R. C. Miller, D. A. Kleinman, and A. C. Gossard, Phys. Rev. B 29, 7085 (1984).
30. B. E. Cole, W. Batty, Y. Imanaka, Y. Shimamoto, J. Singleton, J. M. Chamberlain, N. Miura, M. Henini, and T. Cheng, J. Phys.: Condens. Matter 7, 675 (1995).
31. N. Harima, J. T. Nelson, and T. Ohachi, J. Cryst. Growth 237, 274 (2002).
32. E. Ribeiro, F. Cerdeira, and A. Cantarero, Phys. Rev. B 51, 7890 (1995).
33. D. Ouadjaout and Y. Marfaing, Phys. Rev. B 46, 7908 (1992).
34. A. At-Ouali, J. L. Brebner, R. Y. F. Yip, and R. A. Masut, J. Appl. Phys. 86, 6803 (1999).
35. J. Singh and K. K. Bajaj, J. Appl. Phys. 57, 5433 (1985).
36. R. Notzel, N. N. Ledentsov, L. Däweritz, M. Hohenstein, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991).
37. F. Zhang, Z. Hu, and C. Xi, Mater. Sci. Eng., B 27, 7 (1994).
38. R. Pässler, J. Appl. Phys. 83, 3356 (1998).
39. R. Zimmerman, J. Cryst. Growth 101, 346 (1990).
40. S. M. Lee and K. K. Bajaj, J. Appl. Phys. 73, 1788 (1993).
41. J. Christen and D. Bimberg, Phys. Rev. B 42, 7213 (1990).
42. Y. P. Varshni, Physica (Utrecht) 34, 194 (1967).
43. S. J. Xu, S. J. Chua, X. Zhang, Z. H. Zhang, C. P. Luo, Z. L. Yuan, Z. Y. Xu, and J. M. Zhou, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 471 (1997).