Oxygen defect accumulation at Si: HfO2 interfaces

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 18, 2008, Pages

  Tang, C ^a   Ramprasad, R ^a  

^a UNIVERSITY OF CONNECTICUT   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTERFACES (MATERIALS); OXYGEN VACANCIES; POINT DEFECTS; SILICON;

INTERFACIAL DEFECTS; INTERSTITIAL DEFECT; OXYGEN DEFECT ACCUMULATION;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 43349093488     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2917576     Document Type: Article

References (22)

1. R. M. Wallace and G. D. Wilk, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28, 231 (2003).
2. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 69, 327 (2006).
3. J.-P. Locquet, C. Marchiori, M. Sousa, J. Fompeyrine, and J. W. Seo, J. Appl. Phys. 100, 051610 (2006).
4. D. Y. Cho, K. S. Park, B. H. Choi, S. J. Oh, Y. J. Chang, D. H. Kim, T. W. Noh, R. Jung, J. C. Lee, and S. D. Bu, Appl. Phys. Lett. 86, 041913 (2005).
5. H. S. Baik, M. Kim, G.-S. Park, S. A. Song, M. Varela, A. Franceschetti, S. T. Pantelides, and S. J. Pennycook, Appl. Phys. Lett. 85, 672 (2004).
6. R. Jiang, E. Q. Xie, and Z. F. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 142907 (2006).
7. J. C. Lee, S. J. Oh, M. J. CHo, C. S. Hwang, and R. J. Jung, Appl. Phys. Lett. 84, 1305 (2004).
8. X. Y. Qiu, H. W. Liu, F. Fang, M. J. Ha, and J. M. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 072906 (2006).
9. N. Miyata, Appl. Phys. Lett. 89, 102903 (2006).
10. S. Stemmer, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 791 (2004).
11. C. Tang, B. Tuttle, and R. Ramprasad, Phys. Rev. B 76, 073306 (2007).
12. C. Tang and R. Ramprasad, Phys. Rev. B 75, 241302 (R) (2007).
13. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
14. D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, R7892 (1990).
15. J. P. Perdew, J. A. Chevary, S. H. Vosko, K. A. Jackson, M. R. Perderson, D. J. Singh, and C. Fiolhais, Phys. Rev. B 46, 6671 (1992).
16. C. Tang and R. Ramprasad, Appl. Phys. Lett. 91, 022904 (2007).
17. J. Adam and M. D. Rodgers, Acta Crystallogr. 12, 951 (1959).
18. C. R. Hubbard, H. E. Swanson, and F. A. Mauer, J. Appl. Crystallogr. 8, 45 (1975).
19. A. S. Foster, F. Lopez Gejo, A. L. Shluger, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 65, 174117 (2002).
20. N. M. Tallan, W. C. Tripp, and R. W. Vest, J. Am. Ceram. Soc. 50, 279 (1967).
21. P. W. Peacock, K. Xiong, K. Tse, and J. Robertson, Phys. Rev. B 73, 075328 (2006).
22. J. F. Smith and D. M. Bailey, Acta Crystallogr. 10, 341 (1957).