Ohmic conduction of sub- 10 nm P-doped silicon nanowires at cryogenic temperatures

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 5, 2008, Pages

  Ruess F J ^a   Micolich, A P ^a   Pok, W ^a   Goh, K E J ^a   Hamilton, A R ^a   Simmons, M Y ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYOGENICS; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; OHMIC CONTACTS; PHOSPHORUS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SILICON;

OHMIC CONDUCTION; TEMPERATURE CONDUCTANCE;

NANOWIRES;

EID: 38949119681     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2840182     Document Type: Article

References (22)

1. V. V. Zhirnov, R. K. Cavin, D. J. C. Herr, and T. A. Wooldridge, IEEE Trans. Semicond. Manuf. ITSMED 0894-6507 10.1109/66.999587 15, 157 (2002).
2. Y. Wang, V. Schmidt, S. Senz, and U. Gösele, Nat. Nanotechnol. NNAABX 1748-3387 10.1038/nnano.2006.133 1, 186 (2006).
3. G. M. Cohen, M. J. Rooks, J. O. Chu, S. E. Laux, P. M. Solomonon, J. A. Ott, R. J. Miller, and W. Haensch, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2746946 90, 233110 (2007).
4. Y. Taur and E. J. Novak, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 1997, 215.
5. F. J. Ruess, L. O. Oberbeck, M. Y. Simmons, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, T. Hallam, S. R. Schofield, N. J. Curson, and R. G. Clark, Nano Lett. NALEFD 1530-6984 10.1021/nl048808v 4, 1969 (2004).
6. M. Y. Simmons, F. J. Rueß, K. E. J. Goh, T. Hallam, S. R. Schofield, L. Oberbeck, N. J. Curson, A. R. Hamilton, M. J. Butcher, R. G. Clark, and T. C. G. Reusch, Mol. Simul. MOSIEA 0892-7022 10.1080/ 08927020500035580 31, 505 (2005).
7. F. J. Rueß, K. E. J. Goh, M. J. Butcher, T. C. G. Reusch, L. Oberbeck, B. Weber, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Nanotechnology NNOTER 0957-4484 10.1088/0957-4484/18/4/044023 18, 044023 (2007).
8. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors, Springer Series in Solid-State Sciences (Springer-Verlag, Berlin, 1984).
9. R. J. Hamers, P. Avouris, and F. Bozso, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.59.2071 59, 2071 (1987).
10. F. J. Rueß, L. Oberbeck, K. E. J. Goh, M. J. Butcher, E. Gauja, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Nanotechnology NNOTER 0957-4484 10.1088/0957-4484/16/10/076 16, 2446 (2005).
11. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1827940 85, 4953 (2004).
12. L. Oberbeck, N. J. Curson, T. Hallam, M. Y. Simmons, and R. G. Clark, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090 464-465, 23 (2004).
13. F. J. Rueß, W. Pok, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.75.121303 75, 121303 (2007).
14. F. J. Rueß, B. Weber, K. E. J. Goh, O. Klochan, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.76.085403 76, 085403 (2007).
15. B. I. Shklovskii, Sov. Phys. JETP SPHJAR 0038-5646 37, 112 (1973).
16. B. I. Shklovskii, Sov. Phys. Semicond. SPSEAX 0038-5700 17, 1311 (1983).
17. B. L. Altshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitsky, J. Phys. C JPSOAW 0022-3719 10.1088/0022-3719/15/36/018 15, 7367 (1982).
18. Y. B. Khavin, M. E. Gershenson, and A. L. Bogdanov, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.81.1066 81, 1066 (1998).
19. H. Iwano, S. Zaima, T. Kimura, K. Matsuo, and Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 10.1143/JJAP.33.7190 33, 7190 (1994).
20. H. Iwano, S. Zaima, and Y. Yasuda, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 0734-211X 10.1116/1.590208 16, 2551 (1998).
21. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and M. J. Butcher, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.73.035401 73, 035401 (2006).
22. M. Y. Simmons, F. J. Rueß, K. E. J. Goh, W. Pok, T. Hallam, M. J. Butcher, T. C. G. Reusch, and G. Scappucci, Int. J. Nanotechnol. IJNNBK 5, 352 (2008).