Three-dimensional isocompositional profiles of buried SiGeSi (001) islands

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 1, 2007, Pages

  Katsaros, G ^a   Stoffel, M ^a   Rastelli, A ^a,c   Schmidt, O G ^a,c   Kern, K ^a   Tersoff, J ^b  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

^c IFW DRESDEN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPPING LAYERS; GROWTH CONDITIONS; MORPHOLOGICAL CHANGES; THREE-DIMENSIONAL ISOCOMPOSITIONAL PROFILES;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ETCHING; GERMANIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; THREE DIMENSIONAL;

SILICON;

EID: 36048982507     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2752730     Document Type: Article

References (21)

1. G. Capellini, M. De Seta, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 78, 303 (2001).
2. T. U. Schülli, J. Stangl, Z. Zhong, R. T. Lechner, M. Sztucki, H. Metzger, and G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 90, 066105 (2003).
3. M. Floyd, Y. T. Zhang, K. P. Driver, J. Drucker, P. A. Crozier, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 82, 1473 (2003).
4. A. Malachias, S. Kycia, G. Medeiros-Ribeiro, R. Magãlhaes-Paniago, T. I. Kamins, and R. S. Williams, Phys. Rev. Lett. 91, 176101 (2003).
5. O. G. Schmidt, K. Eberl, and Y. Rau, Phys. Rev. B 62, 16175 (2000).
6. O. G. Schmidt, U. Denker, S. Christiansen, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 81, 2614 (2002).
7. J. Stangl, A. Hesse, V. Hol, Z. Zhong, G. Bauer, U. Denker, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 82, 2251 (2003).
8. U. Denker, M. Stoffel, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 90, 196102 (2003).
9. G. Katsaros, G. Costantini, M. Stoffel, R. Esteban, A. M. Bittner, A. Rastelli, U. Denker, O. G. Schmidt, and K. Kern, Phys. Rev. B 72, 195320 (2005).
10. U. Denker, A. Rastelli, M. Stoffel, J. Tersoff, G. Katsaros, G. Costantini, K. Kern, N. J. Phillipp, D. E. Jesson, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 94, 216103 (2005).
11. G. Katsaros, A. Rastelli, M. Stoffel, G. Isella, H. von Känel, A. M. Bittner, J. Tersoff, U. Denker, O. G. Schmidt, G. Costantini, and K. Kern, Surf. Sci. 600, 2608 (2006).
12. M. S. Leite, G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, and R. S. Williams, Phys. Rev. Lett. 98, 165901 (2007).
13. F. H. Li, Y. L. Fan, X. J. Yang, Z. M. Jiang, Y. Q. Wu, and J. Zou, Appl. Phys. Lett. 89, 103108 (2006).
14. T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 67, 727 (1998).
15. G. Capellini, M. De Seta, F. Evangelisti, V. A. Zinovyyev, G. Vastola, F. Montalenti, and L. Miglio, Phys. Rev. Lett. 96, 106102 (2006).
16. A. Rastelli and H. von Känel, Surf. Sci. 515, L493 (2002).
17. C. Rosenblad, H. R. Deller, A. Dommann, T. Schroeter, and H. von Känel, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2785 (1998).
18. P. Sutter and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 81, 3471 (1998).
19. G. Medeiros-Ribeiro and R. S. Williams, Nano Lett. 7, 223 (2007).
20. Y. Tu and J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 98, 096103 (2007).
21. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, R. Songmuang, G. Katsaros, O. G. Schmidt, and K. Kern, Phys. Rev. Lett. 96, 226106 (2006).