Gigahertz frequency flexible carbon nanotube transistors

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 15, 2007, Pages

  Chimot, N ^a   Derycke, V ^a   Goffman, M F ^a   Bourgoin, J P ^a   Happy, H ^b   Dambrine, G ^b  

^a SERVICE DE PHYSIQUE DE L ETAT CONDENSÉ   (France)

^b INSTITUT D ELECTRONIQUE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON NANOTUBES; CUTOFF FREQUENCY; ELECTRIC CURRENTS; SUBSTRATES; TRANSCONDUCTANCE;

DIELECTROPHORESIS; GIGAHERTZ FREQUENCY; RADIUS OF CURVATURE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 35248870048     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2798583     Document Type: Article

References (28)

1. A. Dodabalapur, Mater. Today 9, 24 (2006).
2. W. Clemens, W. Fix, J. Ficker, A. Knobloch, and A. Ullmann, J. Mater. Res. 19, 1963 (2004).
3. V. Weigner, P. Wöbkenberg, A. Hoppe, and J. Seekamp, Appl. Phys. Lett. 89, 243515 (2006).
4. B. Yoo, A. Madgavkar, B. A. Jones, S. Nadkarni, A. Facchetti, K. Dimmler, M. R. Wasielewski, T. J. Marks, and A. Dodabalapur, IEEE Electron Device Lett. 27, 737 (2006).
5. R. Rotzoll, S. Mohopatra, V. Olariu, R. Wenz, M. Grigas, K. Dimmler, O. Shchekin, and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 88, 123502 (2006).
6. E. Cantatore, T. C. T. Geuns, G. H. Gelinck, E. van Veenendaal, A. F. A. Gruijthuijsen, L. Schrijnemakers, S. Drews, and D. M. de Leeuw, IEEE J. Solid-State Circuits 42, 84 (2007).
7. H. C. Yuan and Z. Ma, Appl. Phys. Lett. 89, 212105 (2006).
8. J. H. Ahn, H. S. Kim, K. J. Lee, Z. Zhu, E. Menard, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, IEEE Electron Device Lett. 27, 460 (2006).
9. Y. Sun, E. Menard, J. A. Rogers, H. S. Kim, S. Kim, G. Chen, I. Adesida, R. Dettmer, R. Cortez, and A. Tewksbury, Appl. Phys. Lett. 88, 183509 (2006).
10. K. Bradley, J. C. P. Gabriel, and G. Gruner, Nano Lett. 3, 1353 (2003).
11. E. Artukovic, M. Kaempgen, D. S. Hecht, S. Roth, and G. Gruner, Nano Lett. 5, 757 (2005).
12. Q. Cao, S. H. Hur, Z. T. Zhu, Y. Sun, C. Wang, M. A. Meitl, M. Shim, and J. A. Rogers, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 304 (2006).
13. S. J. Kang, C. Kocabas, T. Ozel, M. Shim, N. Pimparkar, M. A. Alam, S. V. Rotkin, and J. A. Rogers, Nat. Nanotechnol. 2, 230 (2007).
14. J. Appenzeller and D. J. Frank, Appl. Phys. Lett. 84, 1771 (2004).
15. X. Huo, M. Zhang, P. C. H. Chan, Q. Liang, and Z. K. Tang, Proceedings of the International Electron Device Meeting, San Francisco, 2004 (unpublished), p. 691.
16. S. Rosenblatt, H. Lin, V. Sazonova, S. Tiwari, and P. L. McEuen, Appl. Phys. Lett. 87, 153111 (2005).
17. A. A. Pesetski, J. E. Baumgardner, E. Folk, J. X. Przybysz, J. D. Adam, and H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 113103 (2006).
18. S. Kim, T.-Y. Choi, L. Rabieirad, J.-H. Jeon, M. Shim, and S. Mohammadi, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. 4 (2005).
19. J. M. Bethoux, H. Happy, G. Dambrine, V. Derycke, M. Goffman, J.-P. Bourgoin, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 335 (2006).
20. J. M. Bethoux, H. Happy, A. Siligaris, G. Dambrine, J. Borghetti, V. Derycke, and J.-P. Bourgoin, IEEE Electron Device Lett. 27, 681 (2006).
21. Z. Yu, C. Rutherglen, and P. J. Burke, Appl. Phys. Lett. 88, 233115 (2006).
22. A. Le Louarn, F. Kapche, J. M. Bethoux, H. Happy, G. Dambrine, V. Derycke, P. Chenevier, N. Izard, M. Goffman, and J. P. Bourgoin, Appl. Phys. Lett. 90, 233108 (2007).
23. J. Vaillancourt, X. Lu, X. Han, and C. Janzen, Electron. Lett. 42, 1365 (2006).
24. R. Krupke, S. Linden, M. Rapp, and F. Hennrich, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 1468 (2006).
25. M. S. Arnold, A. A. Green, J. F. Hulvat, S. I. Stupp, and M. C. Hersam, Nat. Nanotechnol. 1, 60 (2006).
26. J. Guo, S. Hasan, A. Javey, G. Bosman, and M. Lundstrom, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 704 (2005).
27. D. Akinwande, G. F. Close, and H. S. Philip Wong, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 599 (2006).
28. P. J. Burke, Solid-State Electron. 48, 1981 (2004).