Microwave thin-film transistors using Si nanomembranes on flexible polymer substrate

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 21, 2006, Pages

  Yuan, Hao Chih ^a   Ma, Zhenqiang ^a  

^a University of Wisconsin Madison   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON MOBILITY; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MICROWAVE MEASUREMENT; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SILICON; SUBSTRATES; THIN FILMS;

FLEXIBLE ELECTRONICS; FREQUENCY RESPONSE CHARACTERISTICS; LOW BIAS VOLTAGES; POLYMER SUBSTRATES;

TRANSISTORS;

EID: 33845445505     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2397038     Document Type: Article

References (21)

1. F. Garnier, R. Hajlaoui, A. Yassar, and P. Srivastava, Science 265, 1682 (1994).
2. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, M. Matters, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 73, 108 (1998).
3. D. Voss, Nature (London) 407, 422 (2000).
4. P. F. Baude, D. A. Ender, M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, and S. D. Theiss, Appl. Phys. Lett. 82, 3964 (2003).
5. G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. Van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, and D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 3, 106 (2004).
6. Y. Chen, J. Au, P. Kazlas, A. Ritenour, H. Gates, and M. McCreary, Nature (London) 423, 136 (2003).
7. T. K. Chuang, A. J. Roudbari, M. Trocolli, Y. L. Chang, G. Reed, M. Hatalis, J. Spirko, K. Klier, S. Preis, R. Pearson, H. Najafov, I. Biaggio, T. Afentakis, A. Voutsas, E. Forsythe, J. Shi, and S. Blomquist, Proc. SPIE 5801, 234 (2005).
8. R. H. Reuss, B. R. Chalamala, A. Moussessian, M. G. Kane, A. Kumar, D. C. Zhang, J. A. Rogers, M. Hatalis, D. Temple, G. Moddel, B. J. Eliasson, M. J. Estes, J. Kunze, E. S. Handy, E. S. Harmon, D. B. Salzman, J. M. Woodall, M. A. Alam, J. Y. Murthy, S. C. Jacobsen, M. Oliver, D. Markus, P. M. Campbell, and E. Snow, Proc. IEEE 93, 1239 (2005).
9. M.-C. Lee, S.-M. Han, S.-H. Kang, M.-Y. Shin, and M.-K. Han, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 215.
10. S. Inoue, S. Utsunomiya, T. Saeki, and T. Shimoda, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1353 (2002).
11. A. Tilke, M. Rotter, R. H. Blick, H. Lorenz, and J. P. Kotthaus, Appl. Phys. Lett. 77, 558 (2000).
12. E. Menard, K. J. Lee, D.-Y. Khang, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 84, 5398 (2004).
13. E. Menard, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 86, 093507 (2005).
14. Y. Sun, S. Kim, I. Adesida, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 87, 083501 (2005).
15. Z.-T. Zhu, E. Menard, K. Hurley, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 86, 133507 (2005).
16. H.-C. Yuan, Z. Ma, M. M. Roberts, D. E. Savage, and M. G. Lagally, J. Appl. Phys. 100, 013708 (2006).
17. J.-H. Ahn, H.-S. Kim, K. J. Lee, Z. Zhu, E. Menard, R. G. Nuzzo, and J. A. Rogers, IEEE Electron Device Lett. 27, 460 (2006).
18. G. M. Cohen, P. M. Mooney, V. K. Paruchuri, and H. J. Hovel, Appl. Phys. Lett. 86, 251902 (2005).
19. Z. Ma, S. Mohammadi, L.-H. Lu, P. Bhattacharya, L. P. B. Katehi, S. A. Alterovitz, and G. E. Ponchak, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett. 11, 287 (2001).
20. J. H. Greiner, C. J. Kircher, S. P. Klepner, S. K. Lahiri, A. J. Warnecke, S. Basavaiah, E. T. Yen, J. M. Baker, P. R. Brosious, H. C. W. Huang, M. Murakami, and I. Ames, IBM J. Res. Dev. 24, 195 (1980).
21. T. E. Hartman, J. C. Blair, and R. Bauer, J. Appl. Phys. 37, 2468 (1966).