Electronic transport characterization of AlGaNGaN heterostructures using quantitative mobility spectrum analysis

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 10, 2007, Pages

  Lisesivdin, S B ^a   Yildiz, A ^a   Acar, S ^a   Kasap, M ^a   Ozcelik, S ^a   Ozbay, E ^b  

^a GAZI UNIVERSITY   (Turkey)

^b BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRON GAS; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; HALL EFFECT; HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS; MAGNETIC FIELD EFFECTS; SPECTRUM ANALYSIS; THERMAL EFFECTS;

ELECTRONIC TRANSPORT; QUANTITATIVE MOBILITY; TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 34548501011     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2778453     Document Type: Article

References (23)

1. M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
2. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
3. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
4. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
5. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzman, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
6. F. Bernardini, F. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
7. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. J. Arnold, S. Sivananthan, and J. P. Faurie, Semicond. Sci. Technol. 8, 805 (1993).
8. A. Wolkenberg, T. Przeslawski, J. Kaniewski, and K. Reginski, J. Phys. Chem. Solids 64, 7 (2003).
9. B. J. Kelley, B. C. Dodrill, J. R. Lindemuth, G. Du, and J. R. Meyer, Solid State Technol. 12, 130 (2000).
10. J. S. Kim, D. G. Seiler, and W. F. Tseng, J. Appl. Phys. 73, 8324 (1993).
11. J. Antoszewski, D. J. Seymur, L. Farone, J. R. Meyer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 24, 1255 (1995).
12. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. Antosewski, and L. Farone, J. Appl. Phys. 81, 709 (1997).
13. B. C. Dodrill, J. R. Lindemuth, B. J. Kelley, G. Du, and J. R. Meyer, Compound Semicond. 7, 58 (2001).
14. J. Antoszewski, L. Faraone, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 33, 673 (2004).
15. M. Kasap and S. Acar, Phys. Status Solidi A 201, 3113 (2004).
16. S. Acar, M. Kasap, B. Y. Isik, S. Ozcelik, N. Tugluoglu, and S. Karadeniz, Chin. Phys. Lett. 22, 2363 (2005).
17. S. B. Lisesivdin, S. Acar, M. Kasap, S. Ozcelik, S. Gokden, and E. Ozbay, Semicond. Sci. Technol. 22, 543 (2007).
18. N. Biyikli, J. Xie, Y. T. Moon, F. Yun, C. G. Stefanita, S. Bandyopadhyav, H. Morko̧, I. Vurgaftman, and J. R. Meyer, Appl. Phys. Lett. 88, 142106 (2006).
19. N. N. Berchenko, V. V. Bogoboyashchiy, I. I. Izhin, M. Pociask, E. M. Sheregii, and V. A. Yudenkov, Phys. Status Solidi C 2, 1418 (2005).
20. Z. T. Zhou, L. W. Guo, Z. G. Xing, G. J. Ding, J. Zhang, M. Z. Peng, H. Q. Jia, H. Chen, and J. M. Zhou, Chin. Phys. Lett. 24, 1641 (2007).
21. V. Bougrov, M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and A. Zubrilov, in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, edited by, M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and, M. S. Shur, (Wiley, New York, 2001), pp. 1-30.
22. H. S. Kwack, Y. H. Cho, G. H. Kim, M. R. Park, D. H. Youn, S. B. Bae, K. S. Lee, J. H. Lee, and J. H. Lee, Phys. Status Solidi C 6, 2109 (2006).
23. S. M. Kim, H. S. Kwack, S. W. Hwang, Y. H. Cho, H. I. Cho, J. H. Lee, and K. L. Wang, Phys. Status Solidi C 6, 2113 (2006).