Effects of annealing on the electrical properties of the BLT/STA/Si structure for ferroelectric-gate field-effect transistors

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 51, Issue 2 PART I, 2007, Pages 731-734

  Jeon, Ho Sung ^a   Park, Kwang Hun ^a   Park, Byung Eun ^a   Kim, Chul Ju ^a  

^a University of Seoul   (South Korea)

Author keywords

Fe FETs; Ferroelectric; Memory window; MFIS

Indexed keywords

EID: 34548303748     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.51.731     Document Type: Article

References (15)

1. J. F. Scott, Ferroelectric Memories (Springer-Verlag, Berlin, 2001).
2. H. Kohlstedt, Y. Mustafa, A. Gerber, A. Petraru, M. Fitsilis, R. Meyer, U. Böttger and R. Waser, Microelectron. Eng. 80, 296 (2005).
3. S. I. Shim, I. S. Kim, M. C. Park, Y. T. Kim, S. I. Kim and C. W. Lee, J. Korean Phys. Soc. 47, S276 (2005).
4. S. Mathews, R. Ramesh, T. Venkatesan and J. Benedetto, Science 276, 238 (1997).
5. E. J. Ko, J. M. Pak, K. W. Nam and G. S. Park, J. Korean Phys. Soc. 46, 269 (2005).
6. B.-E. Park and H. Ishiwara, J. Korean Phys. Soc. 41, S1149 (2003).
7. T. Hirai, Y. Fujisaki, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5908 (1997).
8. C. L. Sun, S. Y. Chen, S. B. Chen and A. Chin, Appl. Phys. Lett. 80, 1984 (2002).
9. J. D. Park, J. H. Choi and T. S Oh, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 5645 (2002).
10. B.-E. Park, K. Takahashi and H. Ishiwara, J. Korean Phys. Soc. 46, 346 (2005).
11. M. A. Rodriguez, T. J. Boyle, B. A. Hernandez, D. R. Talland and K. Vanheusden, J. Am. Ceram. Soc. 82, 2001 (1999).
12. W. J. Lee, I. K. You, S. O. Ryu, B. G. Yu, K. I. Cho, S. G. Yoon and C. S. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 6941 (2001).
13. S. Regnery, R. Thomas, P. Ehrhart and R. Waser, J. Appl. Phys. 97, 073521 (2005).
14. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee and W. Jo, Nature 401, 682 (1999).
15. J. Lee, J. Pak, K. Nam, J. Kim, E. Ko and G. Park, Ceram. Int. 30, 1557 (2004).