Double capping of molecular beam epitaxy grown InAsInP quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 7, 2007, Pages

  Ulloa, J M ^a   Koenraad, P M ^a   Gapihan, E ^b   Ltoublon A ^b   Bertru, N ^b  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b INSA DE RENNES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

CAPPING LAYER; DOUBLE CAPPING;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 34548046486     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2771063     Document Type: Article

References (21)

1. S. Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, and S. Charbonneau, Appl. Phys. Lett. 68, 991 (1996).
2. H. Marchand, P. Desjardins, S. Guillon, J.-E. Paultre, Z. Bougrioua, R. Y.-F. Yip, and R. A. Masut, Appl. Phys. Lett. 71, 527 (1997).
3. S. Frechengues, N. Bertru, V. Drouot, B. Lambert, S. Robinet, S. Loualiche, D. Lacombe, and A. Ponchet, Appl. Phys. Lett. 74, 3356 (1999).
4. P. Caroff, C. Paranthon, C. Platz, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, C. Labb́, R. Piron, E. Homeyer, A. Le Corre, and S. Loualiche, Appl. Phys. Lett. 87, 243107 (2005).
5. C. Paranthon, N. Bertru, O. Dehaese, A. Le Corre, S. Loualiche, B. Lambert, and G. Patriarche, Appl. Phys. Lett. 78, 1751 (2001).
6. K. Ozasa, Y. Aoyagi, Y. J. Park, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 71, 797 (1997).
7. Y. Sakuma, M. Takeguchi, K. Takemoto, S. Hirose, T. Usuki, and N. Yokoyama, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1741 (2005).
8. G. Saint-Girons, G. Patriarche, A. Michon, G. Beaudoin, I. Sagnes, K. Smaali, and M. Troyon, Appl. Phys. Lett. 89, 031923 (2006).
9. Q. Xie, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 65, 2051 (1994).
10. N. N. Ledenstov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Böhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996).
11. J. M. Garcia, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J. L. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 71, 2014 (1997).
12. Z. R. Wasilewski, S. Farad, and J. P. McCaffrey, J. Cryst. Growth 201, 1131 (1999).
13. R. Songmuang, S. Kiravittaya, and O. G. Schmidt, J. Cryst. Growth 249, 416 (2003).
14. Q. Gong, P. Offermans, R. Nötzel, P. M. Koenraad, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 85, 5697 (2004).
15. T. Raz, D. Ritter, and G. Bahir, Appl. Phys. Lett. 82, 1706 (2003).
16. P. J. Poole, R. L. Williams, J. Lefebvre, and S. Moisa, J. Cryst. Growth 257, 89 (2003).
17. C. elebi, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, A. Simon, A. Letoublon, and N. Bertru, Appl. Phys. Lett. 89, 023119 (2006).
18. P. Caroff, N. Bertru, A. Le Corre, O. Dehaese, T. Rohel, I. Alghoraibi, H. Folliot, and S. Loualiche, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L1069 (2005).
19. D. M. Bruls, J. W. A. M. Vugs, P. M. Koenraad, H. W. M. Salemink, J. H. Wolter, M. Hopkinson, M. S. Skolnick, F. Long, and S. P. A. Gill, Appl. Phys. Lett. 81, 1708 (2002).
20. H. R. Gutírrez, M. A. Cotta, J. R. R. Bortoleto, and M. M. G. de Carvalho, J. Appl. Phys. 92, 7523 (2002).
21. Jeong-Sik Lee, Hong-Wen Ren, Shigeo Sugou, and Yasuaki Masumoto, J. Appl. Phys. 84, 6686 (1998).