Formation of InAs self-assembled quantum rings on InP

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 11, 2003, Pages 1706-1708

  Raz, T ^a   Ritter, D ^a   Bahir, G ^a  

^a TECHNION ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Israel)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; COMPOSITION; DIFFUSION; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE;

QUANTUM RINGS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0037451484     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1560868     Document Type: Article

References (29)

1. J. Zou, X. Z. Liao, D. J. H. Cockayne, and R. Leon, Phys. Rev. B 59, 12279 (1999).
2. S. Sauvage, P. Boucaud, J. M. Gerard, and V. Thierry-Mieg, Phys. Rev. B 58, 10562 (1998).
3. M. Grundmann, O. Stier, and D. Bimberg, Phys, Rev. B 52, 11969 (1995), and references therein.
4. J. Kim, L. W. Wang, and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, R9408 (1998), and references therein.
5. K. Georgsson, N. Carlsson, L. Samuelson, W. Seifert, and L. R. Wallenberg, Appl. Phys. Lett. 67, 2981 (1995).
6. P. W. Fry, I. E. Itskevich, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, J. J. Finley, J. A. Barker, E. P. O'Reilly, L. R. Wilson, I. A. Larkin, P. A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J. P. R. David, A. G. Cullis, G. Hill, and J. C. Clark, Phys. Rev. Lett. 84, 733 (2000).
7. J. M. Garcia, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J. L. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 71, 2014 (1997).
8. J. S. Lee, H. W. Ren, S. Sugou, and Y. Masumoto, J. Appl. Phys. 84, 6686 (1998).
9. R. J. Warburton, C. Schulhauser, D. Haft, C. Schäflein, K. Karrai, J. M. Garcia, W. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 65, 113303 (2002).
10. H. Pettersson, R. J. Warburton, A. Lorke, K. Karrai, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Physica E (Amsterdam) 6, 510 (2000).
11. J. M. Garcia, T. Mankad, P. O. Holtz, P. J. Wellman, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 72, 3172 (1998).
12. A. Lorke and R. J. Luyken, Physica B 256-258, 424 (1998).
13. A. Lorke, R. J. Luyken, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Jpn. J. Appl. Phys., Part l 40, 1857 (2001).
14. A. Lorke, R. J. Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).
15. R. J. Warburton, C. Schäflein, D. Haft, F. Bickel, A. Lorke, K. Karrai, J. M. Garcia, W. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Nature (London) 405, 926 (2000).
16. A. Lorke, R. Blossey, J. M. Garcia, M. Bichler, and G. Abstreiter, Mater. Sci. Eng., B 88, 225 (2002).
17. A. Emperador, M. Pi, M. Barranco, and E. Lipparini, Phys. Rev. B 64, 155304 (2001).
18. J. B. Xia and S. S. Li, Phys. Rev. B 66, 035311 (2002).
19. J. M. Llorens, C. Trallero-Giner, A. García-Cristóbal, and A. Cantarero, Phys. Rev. B 64, 035309 (2001).
20. J. Song and S. E. Ulloa, Phys. Rev. B 63, 125302 (2001).
21. S. Viefers, P. S. Deo, S. M. Reimann, M. Manninen, and M. Koskinen, Phys. Rev. B 62, 10668 (2000).
22. R. Blossey and A. Lorke, Phys. Rev. E 65, 021603 (2002).
23. P. J. Poole, R. L. Williams, J. Lefebvre, J. P. McCaffrey, and N. Rowell, Proceedings of the 12th Int. Conf. on InP and Related Materials, 2000, p. 396.
24. C. Paranthoen, N. Bertru, O. Dehaese, A. Le Corre, S. Loualiche, B. Lambert, and G. Patriarche, Appl. Phys. Lett. 78, 1751 (2001).
25. R. A. Hamm, D. Ritter, and H. Temkin, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2790 (1994).
26. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, D. Bimberg, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, Yu. G. Musikhin, B. V. Volovik, G. E. Cirlin, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 16, 502 (2001).
27. T. Raz, D. Ritter, G. Bahir and D. Gershoni, Proceedings of the 14th Int. Conf. on InP and Related Materials, 2002, p. 63.
28. P. J. Poole, J. McCaffrey, R. L. Williams, J. Lefebvre, and D. Chithrani, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1467 (2001).
29. H. Folliot, S. Loualiche, B. Lambert, V. Drouot, and A. Le Corre, Phys. Rev. B 58, 10700 (1998).