Formation of silicon nitride nanopillars in dual-frequency capacitively coupled plasma and their application to Si nanopillar etching

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 25, Issue 4, 2007, Pages 1073-1077

  Park, C K ^a   Kim, H T ^a   Kim, D Y ^a   Lee, N E ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PLASMA ETCHING; POLYMERIZATION; SUBSTRATES;

DUAL FREQUENCY; LOW FREQUENCY POWER (PLF); NANODOTS; NANOPILLARS;

SILICON NITRIDE;

EID: 34547370347     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2713116     Document Type: Article

References (25)

1. S. H. Zaidi, A. Chu, and S. R. J. Brueck, J. Appl. Phys. 80, 6997 (1996).
2. R. T. Rsu, X. L. Li, and E. H. Nicollian, Appl. Phys. Lett. 65, 842 (1994).
3. A. A. Talin, K. A. Dean, and J. E. Jaskie, Solid-State Electron. 45, 963 (2001).
4. P. M. Phillips, C. A. Spindt, C. E. Holland, P. R. Schwoebel, and I. Brodie, Proc. SPIE 3465, 90 (1998).
5. T. Kubota, T. Baba, H. Kawashima, Y. Uraoka, T. Fuyuki, I. Yamashita, and S. Samukawa, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 534 (2005).
6. A. G. Nassiopoulos, S. Grigoropoulos, and D. Papadimitriou, Appl. Phys. Lett. 69, 2267 (1996).
7. T. Tada, V. V. Poborchii, and T. Kanayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 7253 (1999).
8. A. P. G. Robinson, R. E. Palmer, T. Tada, T. Kanayama, M. T. Allen, J. A. Preece, and K. D. M. Harris, J. Phys. D 32, L75 (1999).
9. K. Seeger and R. E. Palmer, Appl. Phys. Lett. 74, 1627 (1999).
10. K. Seeger and R. E. Palmer, J. Phys. D 32, L129 (1999).
11. P. A. Lewis and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 3239 (1999).
12. H. Park, S. Choi, S. Lee, and K. H. Koh, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1290 (2004).
13. K. W. Guarini, C. T. Black, Y. Zhang, H. M. Sikorski, and I. V. Babich, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2788 (2002).
14. J. Y. Cheng, C. A. Ross, V. Z.-H. Chan, E. L. Thomas, R. G. H. Lammertink, and G. J. Vancso, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 1174 (2001).
15. J. Kim, Y. S. Chae, W. S. Lee, J. W. Shon, C. J. Kang, W. S. Han, and J. T. Moon, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 790 (2003).
16. V. Georgieva, A. Bogaerts, and R. Gijbels, J. Appl. Phys. 94, 3748 (2003).
17. P. C. Boyle, A. R. Ellingboe, and M. M. Turner, J. Phys. D 37, 697 (2004).
18. H. C. Kim and J. K. Lee, Phys. Rev. Lett. 93, 085003 (2004).
19. P. C. Boyle, A. R. Ellingboe, and M. M. Turner, Plasma Sources Sci. Technol. 13, 493 (2004).
20. D. H. Kim, C. H. Lee, S. H. Cho, and N.-E. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2203 (2005).
21. D. H. Kim, S. H. Cho, N.-E. Lee, and K. C. Kwon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 5856 (2005).
22. C. H. Lee, D. H. Kim, N.-E. Lee, and G. C. Kwon, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 1386 (2006).
23. Y. Yin, S. Rasgon, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2360 (2006).
24. A. Gicquel, M. Chenevier, Kh. Hassouni, A. Tserepi, and M. Dubus, J. Appl. Phys. 83, 7504 (2006).
25. C. K. Park, C. H. Lee, and N.-E. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H11 (2007).