Growth and optical properties of highly uniform and periodic InGaN nanostructures

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 13, 2007, Pages 1707-1710

  Chen, Peng ^a,c   Chen, Ao ^b,d   Chua, Soo Jin ^a   Tan, Jen Ngee ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b SINGAPORE MIT ALLIANCE   (Singapore)

^c NANJING UNIVERSITY   (China)

^d NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; OPTICAL PROPERTIES; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

ACCELERATION VOLTAGE; NANOPOROUS SILICON DIOXIDE; NANOSCALE SELECTIVE AREA EPITAXY; PATTERN GENERATION;

NANOSTRUCTURES;

EID: 34547308870     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200602110     Document Type: Article

References (35)

1. S. Fafard, K. Hinzer, S. Raymond, M. Dion, J. McCaffrey, Y. Feng, S. Charbonneau, Science 1996, 274, 1350.
2. M. H. Devoret, R. J. Schoelkopf, Nature 2000, 406, 1039.
3. D. J. Eaglesham, M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 1990, 64, 1943.
4. N. Koguchi, K. Ishige, Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 2052.
5. M. Gherasimova, G. Cui, S.-R. Jeon, Z. Ren, D. Martos, J. Han, Y. He, A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2346.
6. J. W. Robinson, J, H. Rice, A. Jarjour, J. D. Smith, R. A. Oliver, G. A. D. Briggs, M. J. Kappers, C. J. Humphreys, Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2674.
7. G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, G. Bauer, Science 1998, 282, 734.
8. T. Bartel, M. Dworzak, M. Strassburg, A. Hoffmann, A. Strittmatter, D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1946.
9. S. Kalliakos, T. Bretagnon, P. Lefebvre, T. Taliercio, B. Gil, N. Grandjean, B. Damilano, A. Dussaigne, J. Massies, J. Appl. Phys. 2004, 96, 180.
10. T. Mano, R. Notzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1705.
11. H. Brune, M. Giovannini, K. Bromann, K. Kern, Nature 1998, 394, 451.
12. S. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, H. L. Hartnagel, Science 1999, 285, 1551.
13. S. C. Lee, K. J. Malloy, S. R. J. Brueck, J. Appl. Phys. 2001, 90, 4163.
14. S. C. Lee, K. J. Malloy, L. R. Dawson, S. R. J. Brueck, J. Appl. Phys. 2002, 92, 6567.
15. X. Mei, D. Kim, H. E. Ruda, Q. X. Guo, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 361.
16. X. Mei, M. Blumin, M. Sun, D. Kim, Z. H. Wu, H. E. Ruda, Q. X. Guo, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 967.
17. J. Liang, H. Luo, R. Beresford, J. Xu, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5974.
18. W. L. Xu, M. J. Zheng, G. Q. Ding, W. Z. Shen, Chem. Phys. Lett. 2005, 411, 37.
19. Y. B. Zheng, S. J. Chua, C. H. A. Huan, Z. L. Miao, J. Cryst. Growth 2004, 268, 369.
20. S. W. Kim, M. Ueda, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, J. Appl. Phys. 2005, 97, 104 316.
21. T. Ishikawa, S. Kohmoto, K. Asakawa, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1712.
22. S. Kiravittaya, H. Heidemeyer, O. G. Schmidt, Physica E 2004, 23, 253.
23. S. Kiravittaya, A. Rastelli, O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043 112.
24. S. Kiravittaya, O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 206 001.
25. V. C. Elarde, R. Rangarajan, J. J. Borchardt, J. J. Coleman, IEEE Photon. Technol. Lett. 2005, 17, 935.
26. S. Tanaka, S. Iwai, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4096.
27. X. Q. Shen, S. Tanaka, S. Iwai, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 344.
28. S. Tanaka, J. S. Lee, P. Ramvall, H. Okagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, L885.
29. P. Chen, S. J. Chua, J. N. Tan, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 023 114.
30. P. Chen, S. J. Chua, Y. D. Wang, M. D. Sander, C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 143111.
31. A. Chen, S. J. Chua, P. Chen, X. Y. Chen, L. K. Jian, Nanotechnology 2006, 17, 3903.
32. See Figure 4 in [29].
33. U H. Lee, D. Lee, H. G. Lee, S. K. Noh, J. Y. Leem, H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1597.
34. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L382.
35. C. Adelmann, J. Simon, G. Feuillet, N. T. Pelekanos, B. Daudin, G. Fishman, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 206 001.