Electron and hole storage in a floating gate consisting of Si nanocrystals embedded in a SiO2 layer

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 50, Issue 6, 2007, Pages 1755-1759

  Oh, Do Hyun ^a,b   Lee, Soojin ^a   Cho, Woon Jo ^a   Kim, Jae Ho ^b   Kim, Tae Whan ^b  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

Charge storage; Si nanocrystals; Sonochemical method

Indexed keywords

EID: 34547283477     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.50.1755     Document Type: Article

References (24)

1. S. Tiwari, F. Rana, H. Hafani, A. Hartstein, E. F. Crabbe and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
2. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo and F. Priolo, Nature 408, 440 (2000).
3. J. Y. Yang, K. S. Yoon, J. H. Kim, W. J. Choi, Y. H. Do, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 48, 1611 (2006).
4. G. Hadjisavvas and P. C. Kelires, Phys. Rev. Lett. 93, 226104 (2004).
5. R. A. Senter, C. Pantea, Y. Wang, H. Liu, T. W. Zerda and J. L. Coffer, Phys. Rev. Lett. 93, 175502 (2004).
6. D. V. Melnikov and J. R. Chelikowsky, Phys. Rev. Lett. 92, 046802 (2004).
7. S. Kim, H.-S. Hwang and S.-H. Choi, J. Korean Phys. Soc. 48, 108 (2006).
8. C. Pace, F. Crupi, S. Lombardo, C Gerardi and G. Cocorullo, Appl. Phys. Lett. 87, 182106 (2005).
9. G. Fiori, G. Iannaccone, G. Molas and B. De Salvo, Appl. Phys. Lett. 86, 113502 (2005).
10. K. Ichikawa, P. Punchaipetch, H. Yano, T. Hatayama, Y. Uraoka and T. Fuyuki, J. Korean Phys. Soc. 49, 569 (2006).
11. C Y. Ng, T. P. Chen, L. Ding and S. Fung, IEEE Electron Device Lett. 27, 231 (2006).
12. E. Kapetanakis, P. Normand, D. Tsoukalas and K. Beltsios, Appl. Phys. Lett. 80, 2794 (2002).
13. M. Perego, S. Ferrari, M. Fanciulli, G. Ben Assayag, C. Bonafos, M. Carrada and A. Claverie, J. Appl. Phys. 95, 257 (2004).
14. J. Heitmann, F. Müller, M. Zacharias and U. Gösele, Adv. Mater. 17, 795 (2005).
15. E. A. Boer, L. D. Bell, M. L. Brongersma, H. A. Atwater, M. L. Ostraat and R. C. Flagan, Appl. Phys. Lett. 78, 3133 (2001).
16. T. Melin, D. Deresmes and D. Stievenard, Appl. Phys. Lett. 81, 5054 (2002).
17. H. Diesinger, T. Melin, D. Deresmes, D. Stievenard and T. Baron, Appl. Phys. Lett. 85, 3546 (2004).
18. R. Krishnan, Q. Xie, J. Kulik, X. D. Wang, S. Lu, M. Molinari, Y. Gao, T. D. Krauss and P. M. Fauchet, J. Appl. Phys. 96, 654 (2004).
19. S. J. Lee, W. J. Cho, C. S. Chin, I. K. Han, W. J. Choi, Y. J. Park, J. D. Song and J. I. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L784 (2004).
20. S. Lee, W. J. Cho, Y. D. Kim, E. K. Kim and J. G. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 5843 (2005).
21. S. Huang, S. Banerjee, R. T. Tung and S. Oda, J. Appl. Phys. 94, 7261 (2003).
22. S. J. Lee, Y. S. Shim, H. Y. Cho, D. Y. Kim, T. W. Kim and K. L. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 7180 (2003).
23. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
24. E. S. Snow and P. M. Cambell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994).