Multistacked Al2 O3 Hf O2 Si O2 tunnel layer for high-density nonvolatile memory application

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 2, 2007, Pages

  Chen, Wei ^a   Liu, Wen Jun ^a   Zhang, Min ^a   Ding, Shi Jin ^a   Zhang, David Wei ^a   Li, Ming Fu ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; CAPACITORS; CHARGE TRAPPING; ELECTRIC FIELDS; SILICA;

CHARGE RETENTION; MEMORY CAPACITOR; SWEEP VOLTAGE; TUNNEL LAYER; VOLTAGE SHIFT;

NONVOLATILE STORAGE;

EID: 34547213271     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2756849     Document Type: Article

References (15)

1. M. H. White, D. A. Adams, and J. K. Bu, IEEE Circuits Devices Mag. 16, 22 (2000).
2. J. K. Bu and M. H. White, Solid-State Electron. 45, 113 (2001).
3. K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 73, 2137 (1998).
4. B. Govoreanu, P. Blomme, M. Rosmeulen, J. Van Houdt, and K. De Meyer, IEEE Electron Device Lett. 24, 99 (2003).
5. J. Buckley, B. De Salvo, G. Ghibaudo, M. Gely, J. F. Damlencourt, F. Martin, G. Nicotra, and S. Deleonibus, Solid-State Electron. 49, 1833 (2005).
6. F. Irrera and G. Puzzilli, Microelectron. Reliab. 45, 907 (2005).
7. F. Irrera, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2418 (2006).
8. K. S. Seol, S. J. Choi, J. Y. Choi, E. J. Jang, B. K. Kim, S. J. Park, D. G. Cha, I. Y. Song, J. B. Park, Y. Park, and S. H. Choi, Appl. Phys. Lett. 89, 083109 (2006).
9. Y. R. Liu, S. Dey, S. Tang, D. Q. Kelly, J. Sarkar, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2598 (2006).
10. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
11. Y. N. Tan, W. K. Chim, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1143 (2004).
12. C. H. Lee, S. H. Hur, Y. C. Shin, J. H. Choi, D. G. Park, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 152908 (2005).
13. S. J. Ding, M. Zhang, W. Chen, D. W. Zhang, and L. K. Wang, J. Electron. Mater. 36, 253 (2007).
14. S. J. Ding, M. Zhang, W. Chen, D. W. Zhang, L. K. Wang, X. P. Wang, C. X. Zhu, and M. F. Li, Appl. Phys. Lett. 88, 042905 (2006).
15. Y. L. Yang and M. H. White, Solid-State Electron. 44, 949 (2000).