Behavior of W and WSix contact metallization on n- and p- type GaN

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

Volumn 4, Issue SUPPL. 1, 1999, Pages

  Cao, X A ^a   Ren, F ^a   Lothian, J R ^b   Pearton, S J ^a   Abernathy, C R ^a   Zolper, J C ^c   Cole, M W ^d   Zeitouny, A ^e   Eizenberg, M ^f   Shul, R J ^f  

^a University of Florida   (United States)

^b Multiplex Inc   (United States)

^c OFFICE OF NAVAL RESEARCH   (United States)

^d U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^e TECHNION ISRAEL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Israel)

^f SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COALESCENCE; DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMITTING DIODES; MORPHOLOGY; SILICA;

DISLOCATION DENSITY; GROWTH TEMPERATURES;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 3442898854     PISSN: 10925783     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/s1092578300003252     Document Type: Conference Paper

References (24)

1. S. Nakamura, in GaN and Related Materials II, ed. S. J. Pearton (Gordon and Breach, NY 1998).
2. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. M. Schauler, C. Kirchner, M. Mayer, A. Pelzmann, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger and K. J. Ebeling, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 44 (1997).
4. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
5. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 38 (1996).
6. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee and L. F. Lester, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997).
7. L. F. Lester, D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee and J. C. Zolper, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 97-1, 171 (1997).
8. I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike, Jap. J. Appl. Phys. 34, L1517 (1995).
9. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter and Y. Huang, J. Mater. Res. 12, 2249 (1997).
10. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
11. T. Kim, J. Khim, S. Chae and T. Kim, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
12. J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, H. G. Mier, K. R. Evans and R. F. Karlicek, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997).
13. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter and R. F. Davis, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 861 (1996).
14. J. T. Trexler, S. J. Miller, P. H. Holloway and M. A. Khan, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 819 (1996).
15. T. Kim, M. C. Yoo and T. Kim, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
16. S. E. Mohney and S. S. Lau, in GaN and Related Materials II, ed. S. J. Pearton (Gordon and Breach, NY 1998).
17. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid -State Electron. 42, 667 (1998).
18. M. W. Cole, F. Ren and S. J. Pearton, J. Electron. Soc. 144, L275 (1997); Appl. Phys. Lett. 71, 3004 (1997).
19. M. W. Cole, F. Ren and S. J. Pearton, J. Electron. Soc. 144, L275 (1997); Appl. Phys. Lett. 71, 3004 (1997).
20. M. W. Cole, D. W. Eckart, W. Y. Han, R. L. Pfeffer, and T. Monahan, F. Ren, C. Yuan and R. A. Stall, S. J. Pearton, Y. Li and Y. Lu, J. App. Phys. 80, 278 (1996).
21. J. C. Zolper and R. J. Shul, MRS Bulletin 22, 36 (1997).
22. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, J. M. DeLucca, S. D. Wolter, J. M. Redwing and G. E. Bulman, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 431 (1997).
23. V. M. Bermudez, R. Kaplan, M. A. Khan and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B 48, 2436 (1993).
24. S. E. Mohney, B. P. Luther and T. N. Jackson, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 843 (1996).