Photoluminescence study of an Er-doped Si-rich siOx film

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 7, 2007, Pages

  Heng, C L ^a,b   Zalloum, O H Y ^a   Roschuk, T ^a,b   Blakie, D ^a   Wojcik, J ^a   Mascher, P ^a,b  

^a MCMASTER UNIVERSITY   (Canada)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING GAS AMBIENTS; HYDROGEN PASSIVATION; SILICON NANOCLUSTERS;

ANNEALING; ERBIUM; OXIDATION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING;

THIN FILMS;

EID: 34248567679     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2735815     Document Type: Article

References (27)

1. A. Polman, J. Appl. Phys., 82, 1 (1997).
2. A. J. Kenyon, C. E. Chryssou, C. W. Pitt, T. Shimizu-Iwayama, D. E. Hole, N. Sharma, and C. J. Humphreys, J. Appl. Phys., 91, 367 (2002).
3. G. Franz, S. Boninelli, D. Pacifici, F. Priolo, F. Iacona, and C. Bongiorno, Appl. Phys. Lett., 82, 3871 (2003).
4. Silicon Photonics, L. Pavesi, and, D. J. Lockwood, Editors, Springer, Berlin (2004).
5. R. J. Walters, G. I. Bourianoff, and H. A. Atwater, Nat. Mater., 4, 143 (2005).
6. T. Kimura, H. Isshiki, S. Ide, T. Shimizu, and T. Ishida, J. Appl. Phys., 93, 2595 (2003).
7. J. H. Jhe, J. H. Shin, K. J. Kim, and D. W. Moon, Appl. Phys. Lett., 82, 4489 (2003).
8. V. Yu. Timoshenko, M. G. Lisachenko, O. A. Shalygina, B. V. Kamenev, D. M. Zhigunov, S. A. Teterukov, P. K. Kashkarov, J. Heitmann, M. Schmidt, and M. Zacharias, J. Appl. Phys., 96, 2254 (2004).
9. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett., 82, 197 (1998).
10. X. D. Pi, O. H. Y. Zalloum, J. Wojcik, A. P. Knights, P. Mascher, A. D. W. Todd, and P. J. Simpson, J. Appl. Phys., 97, 096108 (2005).
11. A. R. Wilkinson and R. G. Elliman, J. Appl. Phys., 96, 4018 (2004).
12. D. Comedi, O. H. Y. Zalloum, and P. Mascher, Appl. Phys. Lett., 87, 213110 (2005).
13. M. Boudreau, M. Boumerzoug, P. Mascher, and P. E. Jessop, Appl. Phys. Lett., 63, 3014 (1993).
14. O. H. Y. Zalloum, M. Flynn, T. Roschuk, J. Wojcik, E. Irving, and P. Mascher, Rev. Sci. Instrum., 77, 023907 (2006).
15. F. Iacona, C. Bongiorno, C. Spinella, S. Boninelli, and F. Priolo, J. Appl. Phys., 95, 3723 (2004).
16. L. N. Skuja and A. R. Silin, Phys. Status Solidi A, 56, K11 (1979).
17. L. Rebohle, J. von Borany, H. Fröb, and W. Skorupa, Appl. Phys. B, 71, 131 (2000).
18. X. Y. Chen, Y. F. Lu, Y. H. Wu, B. J. Cho, M. H. Liu, D. Y. Dai, and W. D. Song, J. Appl. Phys., 93, 6311 (2003).
19. G.-R. Lin, C.-J. Lin, C.-K. Lin, L.-J. Chou, and Y.-L. Chueh, J. Appl. Phys., 97, 094306 (2005).
20. D. Comedi, O. H. Y. Zalloum, E. A. Irving, J. Wojcik, and P. Mascher, J. Vac. Sci. Technol. A, 24, 817 (2006).
21. S. K. Ghandi, VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide, 2nd ed., Wiley, New York (1994).
22. S. I. Raider, R. A. Gdula, and J. R. Petrak, Appl. Phys. Lett., 27, 150 (1975).
23. A M. L. Green, T. Sorsch, L. C. Feldman, W. N. Lennard, E. P. Gusev, E. Garfunkel, H. C. Lu, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett., 71, 2978 (1997).
24. J. Zhao, Y. H. Yu, D. S. Mao, Z. X. Lin, B. Y. Jiang, G. Q. Yang, X. H. Liu, and S. Zou, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 148, 1002 (1999).
25. H. Nishikawa, R. Nakamura, R. Tohmon, Y. Ohki, Y. Sakurai, K. Nagasawa, and Y. Hama, Phys. Rev. B, 41, 7828 (1990).
26. D. B. Kao, J. P. McVittie, W. D. Nix, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices, ED-35, 25 (1988).
27. D. E. Blakie, O. H. Y. Zalloum, J. Wojcik, E. A. Irving, A. P. Knights, and P. Mascher, Appl. Phys. Lett., Submitted.