Ultrathin SiOxNy by rapid thermal heating of silicon in N2 at T=760-1050 °C

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 20, 1997, Pages 2978-2980

  Green, M L ^a   Sorsch, T ^a   Feldman, L C ^b   Lennard, W N ^c   Gusev, E P ^d   Garfunkel, E ^d   Lu, H C ^d   Gustafsson, T ^d  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b VANDERBILT UNIVERSITY   (United States)

^c UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

^d RUTGERS UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0008385378     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120235     Document Type: Article

References (32)

1. T. Matsuoka, S. Taguchi, H. Ohtsuka, K. Taniguchi, C. Hamaguchi, S. Kakimoto, and K. Uda, IEEE Trans. Electron Device 43, 1364 (1996).
2. M.-Y. Hao, W.-M. Chen, K. Lai, J. C. Lee, M. Gardner, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 66, 1126 (1995).
3. Y. Okada, P. J. Tobin, P. Rushbrook, and W. L. DeHart, IEEE Trans. Electron Devices 41, 191 (1994).
4. K. S. Krisch, M. L. Green, F. H. Baumann, D. Brasen, L. C. Feldman, and L. Manchanda, IEEE Trans. Electron Devices 43, 982 (1996).
5. D. Mathiot, A. Straboni, E. Andre, and P. Debenest, J. Appl. Phys. 73, 8215 (1993).
6. T. Ito, S. Hijiya, T. Nozaki, H. Arakawa, M. Shinoda, and Y. Fukukawa, J. Electrochem. Soc. 125, 448 (1978).
7. A. Atkinson, A. J. Moulson, and E. W. Roberts, J. Am. Ceram. Soc. 59, 285 (1976).
8. A. Hori, H. Iwasaki, and K. Tsuji, IEEE Trans. Electron Devices 36, 340 (1989).
9. Y. Hayafuji and K. Kajiwara, J. Electrochem. Soc. 129, 2102 (1982).
10. H. Hwang, W. Ting, D.-L. Kwong, and J. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 421 (1990).
11. H. Fukuda, T. Arakawa, and S. Ohno, J. Appl. Phys. 129, L2333 (1990).
12. Z.-Q. Yao, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, D. Sweatman, and Y. T. Yeow, Appl. Phys. Lett. 64, 3584 (1994).
13. Y. Okada, P. J. Tobin, K. G. Reid, R. I. Hegde, B. Maiti, and S. A. Ajuria, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1608 (1994).
14. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. N. Lennard, H. T. Tang, L. Manchanda, and M.-T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
15. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
16. H. M. Jennings, J. Mater. Sci. 18, 951 (1983).
17. M. Mitomo, J. Am. Ceram. Soc. 58, 527 (1976).
18. R. V. Giridhar and K. Rose, J. Electrochem. Soc. 135, 2803 (1988).
19. M. Hillert, S. Jonsson, and B. Sundman, Z. Metallkd. 83, 648 (1992).
20. C. A. Pas de Araujo, Y. P. Huang, and R. Gallegos, J. Electrochem. Soc. 136, 2035 (1989).
21. S. I. Raider, R. A. Gdula, and J. R. Petrak, Appl. Phys. Lett. 27, 150 (1975).
22. H. T. Tang, W. N. Lennard, M. Zinke-Allmang, I. V. Mitchell, L. C. Feldman, M. L. Green, and D. Brasen, Appl. Phys. Lett. 64, 3473 (1994).
23. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
24. M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, W. N. Lennard, and H. T. Tang, Appl. Phys. Lett. 67, 1600 (1995).
25. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, J. Appl. Phys. 81, 6992 (1997).
26. C. T. Liu, E. J. Lloyd, Y. Ma, M. Du, R. L. Opila, and S. J. Hillenius, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. , 499 (1996).
27. H. Du, R. E. Tressler, and K. E. Spear, J. Electrochem. Soc. 136, 3210 (1989).
28. Z. H. Lu, R. J. Hussey, M. J. Graham, R. Cao, and S. P. Tay, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2882 (1996).
29. E. Gusev, M. L. Green, K. Morino, and M. Hirose (unpublished).
30. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett. 67, 374 (1995).
31. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 66, 1492 (1995).
32. T. B. Reed, Free Energy of Formation of Binary Compounds, (MIT, Cambridge, MA, 1971).