Demonstration of interface-scattering-limited electron mobilities in InAs/GaSb superlattices

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 4, 2007, Pages

  Szmulowicz, F ^a   Elhamri, S ^a   Haugan, H J ^b   Brown, G J ^c   Mitchel, W C ^c  

^a UNIVERSITY OF DAYTON   (United States)

^b UNIVERSAL TECHNOLOGY CORPORATION   (United States)

^c AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EXTRINSIC SCATTERING MECHANISMS; INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING (IRS); MOBILITY MEASUREMENTS; SEMICONDUCTOR LAYER WIDTH;

ELECTRON MOBILITY; ELECTRON SCATTERING; HALL EFFECT; INDIUM ARSENIDE; INTERFACES (MATERIALS); SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH;

SUPERLATTICES;

EID: 33847647997     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2434944     Document Type: Article

References (34)

1. A. Rogalski and P. Martyniuk, Infrared Phys. Technol. 48, 39 (2006).
2. Q. K. Yang, F. Fuchs, J. Schmitz, and W. Pletschen, Appl. Phys. Lett. 81, 4757 (2002).
3. R. Rehm, M. Walther, F. Fuchs, J. Schmitz, and J. H. Fleissner, Appl. Phys. Lett. 86, 173501 (2005).
4. A. Gin, Y. Wei, A. Hood, A. Bajowala, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, and M. Z. Tidrow, Appl. Phys. Lett. 84, 2037 (2004).
5. A. Hood, M. Razeghi, E. H. Aifer, and G. J. Brown, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 87, 1511113 (2005); A. Hood, D. Hoffman, B.-M. Nguyen, P. Y. Delaunay, E. Michel, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 89, 093506 (2006).
6. A. Hood, M. Razeghi, E. H. Aifer, and G. J. Brown, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 87, 1511113 (2005); A. Hood, D. Hoffman, B.-M. Nguyen, P. Y. Delaunay, E. Michel, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 89, 093506 (2006).
7. E. H. Eifer, Appl. Phys. Lett. 89, 053519 (2006).
8. F. Fuchs, L. Burkle, R. Hamid, N. Herres, W. Platschen, R. E. Sah, R. Keifer, and J. Schmitz, Proc. SPIE 4288, 171 (2001).
9. I. Vurgaftman, Appl. Phys. Lett. 89, 121114 (2006).
10. H. J. Haugan, F. Szmulowicz, K. Mahalingam, G. J. Brown, S. R. Munshi, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 87, 261106 (2005).
11. F. Szmulowicz, H. J. Haugan, G. J. Brown, K. Mahalingam, B. Ullrich, S. R. Munshi, and L. Grazulis, Opto-Electron. Rev. 14, 69 (2006).
12. D. L. Smith and C. Maihiot, Rev. Mod. Phys. 62, 173 (1990).
13. C. H. Grein, P. M. Young, M. E. Flatt́, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.360422 78, 7143 (1995); C. H. Grein, M. E. Flatt́, J. T. Olesberg, S. A. Anson, L. Zhang, and T. F. Boggess, J. Appl. Phys. 92, 7311 (2002).
14. C. H. Grein, P. M. Young, M. E. Flatt́, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.360422 78, 7143 (1995); C. H. Grein, M. E. Flatt́, J. T. Olesberg, S. A. Anson, L. Zhang, and T. F. Boggess, J. Appl. Phys. 92, 7311 (2002).
15. H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, and T. Matsusue, Appl. Phys. Lett. 51, 1934 (1987).
16. R. Gottinger, A. Gold, G. Abstreiter, G. Weimann, and W. Schlapp, Europhys. Lett. 6, 183 (1988).
17. J. R. Meyer, D. J. Arnold, C. A. Hoffman, F. H. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Phys. Rev. B 46, 4139 (1992).
18. C. A. Hoffman, J. R. Meyer, E. R. Youngdale, F. J. Bartoli, and H. R. Miles, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.110800 63, 2210 (1993); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, E. R. Youngdale, F. J. Bartoli, H. R. Miles, and L. R. Ram-Mohan, Solid State Commun. 37, 1204 (1994).
19. C. A. Hoffman, J. R. Meyer, E. R. Youngdale, F. J. Bartoli, and H. R. Miles, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.110800 63, 2210 (1993); C. A. Hoffman, J. R. Meyer, E. R. Youngdale, F. J. Bartoli, H. R. Miles, and L. R. Ram-Mohan, Solid State Commun. 37, 1204 (1994).
20. A. Gold, Phys. Rev. B 35, 723 (1987).
21. R. W. Prange and T. W. Nee, Phys. Rev. 168, 779 (1968).
22. B. R. Nag, S. Mukyopadhyay, and M. Das, J. Appl. Phys. 86, 459 (1999).
23. J. M. Li, J. J. Wu, X. X. Han, Y. W. Lu, X. L. Liu, Q. S. Zhu, and Z. G. Wang, Semicond. Sci. Technol. 20, 1207 (2005).
24. B. R. Nag, Semicond. Sci. Technol. 19, 1629 (2005).
25. H. J. Haugan, L. Grazulis, G. J. Brown, K. Mahalingam, and D. H. Tomich, J. Cryst. Growth 261, 471 (2004).
26. H. J. Haugan, F. Szmulowicz, K. Mahalingam, G. J. Brown, S. R. Munshi and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 87, 261106 (2005).
27. F. Szmulowicz, H. Haugan, and G. J. Brown, Phys. Rev. B 69, 155321 (2004).
28. H. J. Haugan, F. Szmulowicz, G. J. Brown, and K. Mahalingam, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1767598 84, 5410 (2004); H. J. Haugan, F. Szmulowicz, G. J. Brown, and K. Mahalingam, J. Appl. Phys. 96, 2580 (2004).
29. H. J. Haugan, F. Szmulowicz, G. J. Brown, and K. Mahalingam, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1767598 84, 5410 (2004); H. J. Haugan, F. Szmulowicz, G. J. Brown, and K. Mahalingam, J. Appl. Phys. 96, 2580 (2004).
30. S. Elhamri, M. Ahoujja, R. Hudgins, D. B. Mast, R. S. Newrock, W. C. Mitchel, M. Razeghi, and M. Erdtmann, Superlattices Microstruct. 18, 75 (1995).
31. T. Noda, M. Tanaka, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 57, 1651 (1990).
32. B. R. Nag and M. Das, Appl. Surf. Sci. 182, 357 (2001).
33. C. R. Bolognesi, H. Kroemer, and J. H. English, Appl. Phys. Lett. 61, 213 (1992).
34. J. R. Meyer, D. J. Arnold, C. A. Hoffman, and F. J. Bartoli, Appl. Phys. Lett. 58, 2523 (1991).