Growth of heteroepitaxial ZnO thin films on GaN-buffered Al 2O3 (0001) substrates by low-temperature hydrothermal synthesis at 90°C

Advanced Functional Materials

Volumn 17, Issue 3, 2007, Pages 463-471

  Kim, Jin Hyeok ^a   Kim, Eun Mi ^a   Andeen, David ^b   Thomson, Daniel ^b   DenBaars, Steven P ^b   Lange, Fred F ^b  

^a Chonnam National University   (South Korea)

^b University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE MATERIALS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; HYDROTHERMAL SYNTHESIS; PHOTOLUMINESCENCE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; ULTRAVIOLET SPECTROSCOPY; X RAY DIFFRACTION; ZIRCONIA;

CRYSTALLITES; PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY; UV-VIS ABSORPTION SPECTROSCOPY; WURTZITE;

THIN FILMS;

EID: 33847020459     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200600103     Document Type: Article

References (56)

1. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, T. Steiner. Prog. Mater. Sci. 2005, 50, 293.
2. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 2005, 98, 041 301.
3. D. C. Look, B. Claflin, Y. I. Alivov, S. J. Park, Phys. Status Solidi A 2004, 201, 2203.
4. X. W. Sun, S. F. Yu, C. X. Xu, C. Yuen, B. J. Chen, S. Li, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 2003, 42, 1229.
5. T. Minami, Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, S35.
6. J. J. Chen, F. Zeng, D. M. Li, J. B. Niu, F. Pan, Thin Solid Films 2005, 485, 257.
7. O. Yamazaki, T. Mitsuyu, K. Wasa, IEEE Trans. Sonics Ultrason. 1980, 27, 369.
8. T. Gao, T. H. Wang, Appl. Phys. A 2005, 80, 1451.
9. G. Q. Ding, M. J. Zheng, W. L. Xu, W. Z. Shen, Nanotechnology 2005, 16, 1285.
10. T. Makino, N. T. Tuan, H. D. Sun, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, T. Suemoto, H. Akiyama, M. Baba, S. Saito, T. Tomita, H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1979.
11. C. Y. Lee, T. Y. Tseng, S. Y. Li, P. Lin, Nanotechnology 2005, 16, 1105.
12. S. Chakrabarti, S. Kar, A. Dev, S. Chaudhuri, Phys. Status Solidi A 2005, 202, 441.
13. H. B. Kang, K. Nakamura, K. Yoshida, K. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 1997, 36, 933.
14. P. Fons, K. Iwata, S. Niki, A. Yamada, K. Matsubara, J. Cryst. Growth 1999, 202, 627.
15. B. P. Zhang, L. H. Manh, K. Wakatsuki, T. Ohnishi, M. Lippmaa, N. Usami, M. Kawasaki, Y. Segawa, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2003, 42, 2291.
16. T. E. Murphy, S. Walavalkar, J. D. Phillips, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 6338.
17. Y. S. Jung, O. Kononenko, J. S. Kim, W. K. Choi, J. Cryst. Growth 2005, 274, 418.
18. J. N. Dai, H. C. Liu, W. Q. Fang, L. Wang, Y. Pu, Y. F. Chen, F. Y. Jiang, J. Cryst. Growth 2005, 283, 93.
19. B. J. Zhao, H. J. Yang, G. T. Du, G. Q. Miao, Y. T. Zhang, Z. M. Gao, T. P. Yang, J. Z. Wang, W. C. Li, Y. Ma, X. T. Yang, B. Y. Liu, D. L. Liu, X. J. Fang, J. Cryst. Growth 2003, 258, 130.
20. J. M. Pierce, B. T. Adekore, R. F. Davis, F. A. Stevie, J. Cryst. Growth 2005, 277, 345.
21. A. Dadgar, N. Oleynik, D. Forster, S. Deiter, H. Witek, J. Blasing, F. Bertram, A. Krtschil, A. Diez, J. Christen, A. Krost, J. Cryst. Growth 2004, 267, 140.
22. T. P. Smith, H. A. McLean, D. J. Smith, P. Q. Miraglia, A. M. Roskowski, R. F. Davis, J. Electron. Mater. 2004, 33, 826.
23. N. Oleynik, A. Dadgar, J. Blasing, M. Adam, A. Krtschil, D. Forster, F. Bertram, A. Diez, M. Seip, A. Greiling, J. Christen, A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys. Part I 2003, 42, 7474.
24. T. P. Smith, W. J. Mecouch, P. Q. Miraglia, A. M. Roskowski, P. J. Hartlieb, R. F. Davis, J. Cryst. Growth 2003, 257, 255.
25. M. Kumar, R. M. Mehra, A. Wakahara, M. Ishida, A. Yoshida, Thin Solid Films 2005, 484, 174.
26. R. P. Wang, H. Muto, Y. Yamada, T. Kusumori, Thin Solid Films 2002, 411, 69.
27. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 348.
28. D. C. Oh, T. Suzuki, J. J. Kim, H. Makino, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, J. S. Song, H. J. Ko, J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23, 1281.
29. K. W. Jang, T. Minegishi, T. Suzuki, S. K. Hong, D. C. Oh, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, J. Ceram. Process. Res. 2005, 6, 167.
30. D. C. Oh, A. Setiawan, J. J. Kim, H. Ko, H. Makino, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao, Curr. Appl. Phys. 2004, 4, 625.
31. S. K. Hong, Y. Chen, H. J. Ko, H. Wenisch, T. Hanada, T. Yao, J. Electron. Mater. 2001, 30, 647.
32. D. Andeen, J. H. Kim, F. F. Lange, G. K. L. Goh, T. Sudhiranjan, Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 799.
33. R. A. Laudise, E. D. Kolb, A. J. Caporaso, J. Am. Ceram. Soc. 1964, 47, 9.
34. M. Suscavage, M. Harris, D. Bliss, P. Yip, S. Q. Wang, D. Schwall, L. Bouthillette, J. Bailey, M. Callahan, D. C. Look, D. C. Reynolds, R. L. Jones, C. W. Litton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G3.40.
35. Y. H. Ni, X. W. Wei, H. M. Hong, Y. Ye, Mater. Sci. Eng. B 2005, 121, 42.
36. C. H. Lu, C. H. Yeh, Ceram. Int. 2000, 26, 351.
37. Z. Hui, D. Yang, S. Z. Li, X. Y. Ma, Y. J. Ji, J. Xu, D. L. Que, Mater. Lett. 2005, 59, 1696.
38. H. W. Hou, Y. Xie, Q. Li, Solid State Sci. 2005, 7, 45.
39. D. Andeen, L. Loeffler, N. Padture, F. F. Lange, J. Cryst. Growth 2003, 259, 103.
40. H. Q. Le, S. J. Chua, Y. W. Koh, K. P. Loh, Z. Chen, C. V. Thompson, E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 101 908.
41. T. Pauporte, D. Lincot, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3817.
42. A. Nahhas, H. K. Kim, J. Blachere, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1511.
43. A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R. M. Kolbas, O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3327.
44. W. I. Park, S. J. An, G. C. Yi, H. M. Jang, J. Mater. Res. 2001, 16, 1358.
45. C. F. Zhang, Z. W. Dong, G. J. You, S. X. Qian, H. Deng, H. Gao, L. P. Yang, Y. Li, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 051 920.
46. Y. F. Chen, D. Bagnall, T. F. Yao, Mater. Sci. Eng. B 2000, 75, 190.
47. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, H. Morkoc, Solid State Commun. 1997, 101, 643.
48. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, K. M. Yu, H. B. Yuan, H. P. Xin, G. Cantwell, J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 191 911.
49. B. M. Ataev, Y. I. Alivov, V. V. Mamedov, S. S. Makhmudov, B. A. Magomedov, Semiconductors 2004, 38, 672.
50. Y. I. Alivov, J. E. Van Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2943.
51. W. J. Li, E. W. Shi, W. Z. Zhong, Z. W. Yin, J. Cryst. Growth 1999, 203, 186.
52. 2O. J. Zhang, L. D. Sun, J. L. Yin, H. L. Su, C. S. Liao, C. H. Yan, Chem. Mater. 2002, 14, 4172.
53. J. A. Lewis, J. Am. Ceram. Soc. 2000, 83, 2341.
54. K. Govender, D. S. Boyle, P. B. Kenway, P. O'Brien, J. Mater. Chem. 2004, 14, 2575.
55. R. A. Laudise, A. A. Ballman, J. Phys. Chem. 1960, 64, 688.
56. Z. R. R. Tian, J. A. Voigt, J. Liu, B. McKenzie, M. J. McDermott, M. A. Rodriguez, H. Konishi, H. F. Xu, Nat. Mater. 2003, 2, 821.