Fabrication and electrical properties of (111) textured (Ba 0.6Sr0.4) TiO3 film on platinized Si substrate

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 4, 2007, Pages

  Wang, Yi ^a   Liu, Baoting ^b   Wei, Feng ^a   Yang, Zhimin ^a   Du, Jun ^a  

^a GENERAL RESEARCH INSTITUTE FOR NONFERROUS METALS   (China)

^b HEBEI UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADHESION; ELECTRIC PROPERTIES; MAGNETRON SPUTTERING; SILICON; SUBSTRATES; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

LEAKAGE CURRENT DENSITY; PHASE PURITY;

BARIUM COMPOUNDS;

EID: 33846584150     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2431708     Document Type: Article

References (22)

1. J. Im, O. Auciello, P. K. Baumann, S. K. Streiffer, D. Y. Kaufman, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 76, 625 (2000).
2. H.-S. Kim, T.-S. Hyun, H.-G. Kim, I.-D. Kim, T.-S. Yun, and J.-C. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 052902 (2006).
3. W. Chang, J. S. Horwitz, A. C. Carter, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, C. M. Gilmore, and D. B. Chrisey, Appl. Phys. Lett. 74, 1033 (1999).
4. S. Saha, D. Y. Kaufman, S. K. Streiffer, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 83, 1414 (2003).
5. C. L. Chen, H. H. Feng, Z. Zhang, A. Brazdeikis, Z. J. Huang, W. K. Chu, C. W. Chu, F. A. Miranda, F. W. Van Keuls, R. R. Romanofsky, and Y. Liou, Appl. Phys. Lett. 75, 412 (1999).
6. H. Li, J. Finder, Y. Liang, R. Gregory, and W. Qin, Appl. Phys. Lett. 87, 072905 (2005).
7. S. E. Moon, E.-K. Kim, M.-H. Kwak, H.-C. Ryu, Y.-T. Kim, K.-Y. Kang, S.-J. Lee, and W.-J. Kim, Appl. Phys. Lett. 83, 2166 (2003).
8. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, and U. Gösele, Science 296, 2006 (2002).
9. C. H. Ahn, K. M. Rabe, and J.-M. Triscone, Science 303, 488 (2004).
10. M. W. Cole, W. D. Nothwang, C. Hubbard, E. Ngo, and M. Ervin, J. Appl. Phys. 93, 9218 (2003).
11. B. T. Liu, K. Maki, S. Aggarwal, B. Nagaraj, V. Nagarajan, L. Salamanca-Riba, R. Ramesh, A. M. Dhote, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 80, 3599 (2002).
12. Y. Wang, C. Ganpule, B. T. Liu, H. Li, K. Mori, B. Hill, M. Wuttig, R. Ramesh, J. Finder, Z. Yu, R. Droopad, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 80, 97 (2002).
13. J. W. Lu, S. Schmidt, Y.-W. Ok, S. P. Keane, and S. Stemmer, J. Appl. Phys. 98, 054101 (2005).
14. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, P. R. Duncombe, D. A. Neumayer, D. E. Kotecki, H. Shen, and Q. Y. Ma, Appl. Phys. Lett. 72, 498 (1998).
15. D. C. Dube, J. Baborowski, P. Muralt, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 74, 3546 (1999).
16. E. J. Cukauskas, Steven W. Kirchoefer, and J. M. Pond, J. Appl. Phys. 88, 2830 (2000).
17. C. S. Hwang, M. D. Vaudin, and P. K. Schenck, J. Mater. Res. 13, 368 (1998).
18. P. Muralt, T. Maeder, L. Sagalowicz, S. Hiboux, S. Scalese, D. Naumovic, R. G. Agostino, N. Xanthopoulos, H. J. Mathieu, L. Patthey, and E. L. Bullock, J. Appl. Phys. 83, 3835 (1998).
19. Y. Lin, B. R. Zhao, H. B. Peng, B. Xu, H. Chen, F. Wu, H. J. Tao, Z. X. Zhao, and J. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 2781 (1998).
20. M. Sayer, A. Mansingh, A. K. Arora, and A. Lo, Integr. Ferroelectr. 1, 129 (1992).
21. J. M. Lee, S. Y. Kang, J. C. Shin, W. J. Kim, C. S. Hwang, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 74, 3489 (1999).
22. S. Y. Wang, B. L. Cheng, C. Wang, S. Y. Dai, H. B. Lu, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 84, 4116 (2004).