Low transparency current density and high temperature operation from ten-layer p -doped 1.3 μm InAsInGaAsGaAs quantum dot lasers

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 4, 2007, Pages

  Liu, C Y ^a   Yoon, S F ^a   Cao, Q ^a   Tong, C Z ^a   Li, H F ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANODIC OXIDATION; GROUND STATE; LASERS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; THERMAL EFFECTS;

LASER STRUCTURE; LASER SYSTEMS; QUANTUM DOT LASERS;

CURRENT DENSITY;

EID: 33846571994     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2434156     Document Type: Article

References (20)

1. X. D. Huang, A. Stintz, C. P. Hains, G. T. Liu, J. L. Cheng, and K. J. Malloy, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 227 (2000).
2. O. B. Shchekin and D. G. Deppe, IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 1231 (2002).
3. A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, Y. M. Shernyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, Z. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 38, 1104 (2002).
4. S. M. Kim, Y. Wang, M. Keever, and J. S. Harris, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 377 (2004).
5. Z. Mi, P. Bhattacharya, and S. Fathpour, Appl. Phys. Lett. 86, 153109 (2005).
6. H. Y. Liu, D. T. Childs, T. J. Badcock, K. M. Groom, I. R. Sellers, M. Hopkinson, R. A. Hogg, D. J. Robbins, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1139 (2005).
7. H. Y. Liu, S. L. Liew, T. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, S. K. Ray, T. L. Choi, K. M. Groom, B. Stevens, F. Hasbullah, C. Y. Jin, M. Hopkinson, and R. A. Hogg, Appl. Phys. Lett. 89, 073113 (2006).
8. A. Salhi, L. Martiradonna, G. Visimberga, V. Tasco, L. Fortunato, M. T. Todaro, R. Cingolani, A. Passaseo, and M. De Vittorio, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1735 (2006).
9. I. C. Sandall, P. M. Smowton, C. L. Walker, T. Badcock, D. J. Mowbray, H. Y. Liu, and M. Hopkinson, Appl. Phys. Lett. 88, 111113 (2006).
10. J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1590 (2005).
11. H. C. Yu, J. S. Wang, Y. K. Su, S. J. Chang, F. I. Lai, Y. H. Chang, H. C. Kuo, C. P. Sung, H. P. D. Yang, K. F. Lin, J. M. Wang, J. Y. Chi, R. S. Hsiao, and S. Mikhrin, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 418 (2006).
12. H. Shimizu, S. Saravanan, J. Yoshida, S. Ibe, and N. Yokouchi, Appl. Phys. Lett. 88, 241117 (2006).
13. A. Markus, J. X. Chen, C. Paranthoen, A. Fiore, C. Platz, and O. Gauthier-Lafaye, Appl. Phys. Lett. 82, 1818 (2003).
14. C. Y. Liu, S. F. Yoon, Z. Z. Sun, and K. C. Yew, Appl. Phys. Lett. 88, 081105 (2006).
15. L. V. Asryan, Appl. Phys. Lett. 88, 073107 (2006).
16. C. Z. Tong, S. F. Yoon, C. Y. Ngo, C. Y. Liu, and W. K. Loke, IEEE J. Quantum Electron. 42, 1175 (2006).
17. H. Saito, K. Nishi, I. Ogura, S. Sugou, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 69, 3140 (1996).
18. C. Y. Liu, S. F. Yoon, W. J. Fan, A. Uddin, and S. Yuan, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 791 (2006).
19. L. V. Asryan, J. Appl. Phys. 99, 013102 (2006).
20. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (Wiley, New York, 1995), Chap., 434.