Polarized Raman scattering studies of nonpolar a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates by MOCVD

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 203, Issue 15, 2006, Pages 3788-3792

  Haiyong, Gao ^a   Fawang, Yan ^a   Jinmin, Li ^a   Junxi, Wang ^a   Jianchang, Yan ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

PHONON FREQUENCIES; STRESS CHARACTERISTICS; STRESS TENSORS;

FILM GROWTH; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHONONS; RAMAN SCATTERING;

THIN FILMS;

EID: 33845952410     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200622306     Document Type: Article

References (16)

1. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
2. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
3. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature 406, 865 (2000).
4. P. Lefebvre, A. Morel, M. Gallart, T. Taliercio, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 78, 1252 (2001).
5. P. Lefebvre, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 59, 15363 (1999).
6. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, and N. Yamada, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
7. P. Waltereit, O. Brandt, M. Ramsteiner, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Reiche, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 227/228, 437 (2001).
8. D. S. Li, H. Chen, H. B. Yu, X. H. Zheng, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Cryst. Growth 265, 107 (2004).
9. H. T. Grahn, B. Imer, S. Nakamura, S. P. DenBaars, J. S. Speck, S. Ghosh, and P. Misra, J. Appl. Phys. 98, 026105 (2005).
10. O. Brandt, H. T. Grahn, K. H. Ploog, and S. Ghosh, Appl. Phys. Lett. 81, 3380 (2002).
11. H. Harima, J. Phys.: Condens. Matter 14, R967 (2002).
12. V. Yu. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, and M. A. Jacobson, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
13. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, O. Briot, B. Gil, and R. L. Aulombard, Solid State Commun. 100, 207 (1996).
14. D. D. Manchon, A. S. Barker, P. J. Dean, and R. B. Zetterstrom, Solid State Commun. 8, 1227 (1970).
15. G. H. Li, W. Zhang, H. X. Han, Z. P. Wang, and S. K. Duan, J. Appl. Phys. 86, 2051 (1999).
16. J.-M. Wagner and F. Bechstedt, Appl. Phys. Lett. 77, 346 (2000).