Recent progress of high-power InGaN blue-violet laser diodes

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 6352 I, Issue , 2006, Pages

  Ryu, H Y ^a   Ha, K H ^a   Lee, S N ^a   Choi, K K ^a   Jang, T ^a   Son, J K ^a   Kim, H G ^a   Chae, J H ^a   Paek, H S ^a   Sung, Y J ^a   Sakong, T ^a   Kim, K S ^a   Nam, O H ^a   Park, Y J ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

(Al,In)GaN; Blue LD; Characteristic temperature; COD; Laser diode (LD); Laser display; Violet LD

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; HIGH POWER LASERS; LIGHT EMISSION; LIGHT SOURCES; LIQUID CRYSTAL DISPLAYS; OPTICAL SYSTEMS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; TRANSPORT PROPERTIES;

CATASTROPHIC OPTICAL DAMAGE (COD); LASER DISPLAY; OPTICAL GAIN; OPTICAL STORAGE SYSTEMS;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 33845664882     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.691128     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. O. H. Nam, K. H. Ha, H. Y. Ryu, S. N. Lee, T. H. Chang, K. K. Choi, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, H. G. Kim, K. S. Kim, Y. H. Kim, and Y. J. Park, Proc. SPIE 6133, 61330N (2006).
2. T. Kozaki, H. Matsumura, Y. Sugimoto, S. Nagahamam and T. Mukai, Proc. SPIE 6133, 613306 (2006).
3. T. Asano, M. Takeya, T. Mizuno. S. Ikeda, Y. Ohfuji, T. Fujimoto, K. Oikawa, S. Goto, T. Hashizu, K. Aga, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5365, 297 (2004).
4. M. Shono, Y. Nomura, and Y. Bessho, Proc. SPIE 5365, 282 (2004).
5. T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda, "High-power 400-nm-band AlGaInN-based laser diodes with low aspect ratio," Appl. Phys. Lett. 80, 3497 (2002).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 76, 22 (2000).
7. S. Nagahama, Y. Sugimoto, T. Kozaki, and T. Mukai, Proc. SPIE 5738, 57 (2005).
8. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 79, 1948 (2001).
9. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, T. Jang, H. K. Kim, J. H. Chae, K. S. Kim, K. K. Choi, J. K. Son, H. S. Pack, Y. J. Sung, T. Sakong, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 89, 031122 (2006).
10. O. H. Nam, K, H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, J. K. Son, H. Y. Ryu, Y. H. Kim, and Y. Park, phys. stat. sol. (a) 201, 2717 (2004).
11. S. N. Lee, S. Y. Cho, H. Y. Ryu, J. K. Son, H. S. Pack, T. Sakong, T. Jang, K. K. Choi, K. H. Ha, M. H. Yang, O. H. Nam, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 88, 111101 (2006).
12. H. Y. Ryu, K. H. Ha, J. H. Chae, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 87, 093506 (2005).
13. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, K. K. Choi, T. Jang, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Pack, Y. J. Sung, T. Sakong, H. G. Kim, K. S. Kim, Y. H. Kim, O. H. Nam, and Y. J. Park, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 1001 (2006).
14. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L226 (1999).
15. G. A. Smolyakov, P. G. Eliseev, and M. Osinski, IEEE J. Quantum Electron. 41, 517 (2005).
16. M. Takeya, T. Hashizu, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5738, 63 (2005).
17. U. T. Schwarz, M. Pindl, W. Wegscheider, C. Eichler, F. Scholz, M. Furitsch, A. Leber, S. Miller, A. Lell, and V. Harle, Appl. Phys. Lett. 86, 161112 (2005).
18. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentosov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsulnikov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kopev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Semiconductors 31, 411 (1997).
19. C. F. Lin, Y. S. Su, D. K. Yu, C. H. Wu, and B. R. Wu, Appl. Phys. Lett. 82, 3403 (2003).
20. J. M. Ulloa, A. Hierro, M. Montes, J. Miguel-Sanchez, A. Guzman, B. Damilano, J. Barjon, M. Hugues, J. Y. Duboz, J. Massies, and A. Trampert, Proc. SPIE 5840, 81 (2005).
21. J. Piprek, R. K. Sink, M. A. Hansen, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Proc. SPIE 3944, 28 (2000).
22. Y. K. Kuo and Y. A. Chang, IEEE J. Quantum Electron. 40, 439 (2004).