High power AlInGaN-based blue-violet laser diodes

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 6133, Issue , 2006, Pages

  Nam, O H ^a   Ha, K H ^a   Ryu, H Y ^a   Lee, S N ^a   Chang, T H ^a   Choi, K K ^a   Son, J K ^a   Chae, J H ^a   Chae, S H ^a   Paek, H S ^a   Sung, Y J ^a   Sakong, T ^a   Kim, H G ^a   Kim, K S ^a   Kim, Y H ^a   Park, Y J ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

AlInGaN; BD; COD; Far field; GaN; HD DVD; Laser diode; MQB

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); GALLIUM NITRIDE; HIGH POWER LASERS; MAGNESIUM PRINTING PLATES; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

ALINGAN; GAN; HD-DVD; MQB; THRESHOLD CURRENT;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 33646745135     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.645579     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. T. Asano, M. Takeya, T. Mizuno, S. Ikeda, Y. Ohfuji, T. Fujimoto, K. Oikawa, S. Goto, T. Hashizu, K. Aga, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5365, 297 (2004).
2. M. Shono, Y. Nomura, and Y. Bessho, Proc. SPIE 5365, 282 (2004).
3. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647 (2001).
4. M. Ikeda, T. Mizuno, M. Takeya, S. Goto, S. Ikeda, T. Fujimoto, Y. Ohfuji, and T. Hashizu, phys. stat. sol. (c) 1, 1416 (2004).
5. O. H. Nam, K, H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, J. K. Son, H. Y. Ryu, Y. H. Kim, and Y. Park, phys. stat. sol. (a) 201, 2717 (2004).
6. M. Takeya, T. Hashizu, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5738, 63 (2005).
7. T. Asano, M. Takeya, T. Tojyo, T. Mizuno, S. Ikeda, K. Shibuya, T. Hino, S. Uchida, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 80, 3497 (2002).
8. S. Ito, Y. Yamasaki, S. Omi, K. Takatani, T. Kawakami, T. Ohno, M. Ishida, Y. Ueta, T. Yuasa, and T. Taneya, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 96 (2004).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1568 (1997).
10. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
11. S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Selected Topics on Quantum Electron. 9, 1252(2003)
12. T. Tojyo, T. Tojyo, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, S. Uchida, and M. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 3206 (2001).
13. O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, and Y. Park, phys. stat. sol. (c) 0, 2278 (2004).
14. H. Y. Ryu, K. H. Ha, J. H. Chae, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 87, 093506 (2005).
15. T. Tsu and L. Esaki, Appl. Phys. Lett, 22, 562 (1973).
16. Y. Ando. And T. Itoh. J. Appl. Phys., 61, 1497 (1987).
17. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and T. Chocho, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
18. U. T. Schwarz, M. Pindle, El Sturm, M. Furitsch, A. Leber, S. Miller, A. Lell, and V. Harle, phys. stat. sol. (a) 202, 261 (2005).
19. U. T. Schwarz, M. Pindl, W. Wegscheider, C. Eichler, F. Scholz, M. Furitsch, A. Leber, S. Miller, A. Lell, and V. Harle, Appl. Phys. Lett. 86, 161112 (2005).