Measurement of junction temperature in GaN-based laser diodes using voltage-temperature characteristics

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 9, 2005, Pages

  Ryu, Han Youl ^a   Ha, Kyoung Ho ^a   Chae, Jung Hye ^a   Nam, Ok Hyun ^a   Park, Yong Jo ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHIP MOUNTING METHODS; EPI-DOWN BONDING; JUNCTION TEMPERATURE; TWO-FOLD REDUCTION;

GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR LASERS; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS;

TEMPERATURE MEASUREMENT;

EID: 24644450315     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2037201     Document Type: Article

References (17)

1. T. Asano, M. Takeya, T. Mizuno. S. Ikeda, Y. Ohfuji, T. Fujimoto, K. Oikawa, S. Goto, T. Hashizu, K. Aga, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5365, 297 (2004).
2. M. Shono, Y. Nomura, and Y. Bessho, Proc. SPIE 5365, 282 (2004).
3. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsuhita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L647 (2001).
4. M. Ikeda, T. Mizuno, M. Takeya, S. Goto, S. Ikeda, T. Fujimoto, Y. Ohfuji, and T. Hashizu, Phys. Status Solidi C 1, 1416 (2004).
5. O. H. Nam, K, H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, J. K. Son, H. Y. Ryu, Y. H. Kim, and Y. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2717 (2004).
6. G. Hatakoshi, M. Onomura, M. Yamamoto, S. Nunoue, K. Itaya, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2764 (1999).
7. O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, and Y. Park, Phys. Status Solidi C 0, 2278 (2003).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Naghama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1568 (1997).
9. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
10. S. Uchida, S. Kijima, T. Tojyo, S. Ansai, M. Takeya, T. Hino, K. Shibuya, S. Ikeda, T. Asano, K. Yanashima, S. Hashimoto, T. Asatsuma, M. Ozawa, T. Kobayashi, Y. Yabuki, T. Aoki, and M. Ikeda, Proc. SPIE 3947, 156 (2000).
11. T. Tojyo, T. Asano, M. Takeya, T. Hino, S. Kijima, S. Goto, S. Uchida, and M. Ikeda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 3206 (2001).
12. J. S. Manning, J. Appl. Phys. 52, 3179 (1981).
13. Y. Xi and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 85, 2163 (2004).
14. Y. Xi, J. Q. Xi, Th. Gessmann, J. M. Shah, J. K. Kim, E. F. Schubert, A. J. Fischer, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, and A. A. Allerman, Appl. Phys. Lett. 86, 031907 (2005).
15. P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin, and W. C. Mitchel., Appl. Phys. Lett. 75, 2444 (1999).
16. M. Z. Kauser, A. Osinsky, A. M. Dabiran, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 85, 5275 (2004).
17. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).