Highly stable temperature characteristics of InGaN blue laser diodes

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 3, 2006, Pages

  Ryu, H Y ^a   Ha, K H ^a   Lee, S N ^a   Jang, T ^a   Kim, H K ^a   Chae, J H ^a   Kim, K S ^a   Choi, K K ^a   Son, J K ^a   Paek, H S ^a   Sung, Y J ^a   Sakong, T ^a   Nam, O H ^a   Park, Y J ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; COMPUTER SIMULATION; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMAL EFFECTS; THRESHOLD ELEMENTS;

INGAN BLUE LASER DIODES; SLOPE EFFICIENCY; WALL PLUG EFFICIENCY;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 33746275845     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2234738     Document Type: Article

References (16)

1. T. Asano, M. Takeya, T. Mizuno, S. Ikeda, Y. Ohfuji, T. Fujimoto, K. Oikawa, S. Goto, T. Hashizu, K. Aga, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5365, 297 (2004).
2. M. Shono, Y. Nomura, and Y. Bessho, Proc. SPIE 411, 093506 (2005).
3. O. H. Nam, K. H. Ha, H. Y. Ryu, S. N. Lee, T. H. Chang, K. K. Choi, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, H. G. Kim, K. S. Kim, Y. H. Kim, and Y. J. Park, Proc. SPIE 6133, 61330N (2006).
4. T. Kozaki, H. Matsumura, Y. Sugimoto, S. Nagahama, and T. Mukai, Proc. SPIE 6133, 613306 (2006).
5. H. Y. Ryu, K. H. Ha, S. N. Lee, K. K. Choi, T. Jang, J. K. Son, J. H. Chae, S. H. Chae, H. S. Paek, Y. J. Sung, T. Sakong, H. G. Kim, K. S. Kim, Y. H. Kim, O. H. Nam, and Y. J. Park, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 1001 (2006).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 76, 22 (2000).
7. S. Nagahama, Y. Sugimoto, T. Kozaki, and T. Mukai, Proc. SPIE 5738, 57 (2005).
8. S. Nagahama, T. Yanamoto, M. Sano, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 79, 1948 (2001).
9. T. Swietlik, G. Franssen, P. Wisniewski, S. Krukowski, S. P. Lepkowski, L. Marona, M. Leszczyriski, P. Prystawko, I. Grzegory, T. Suski, S. Porowski, P. Perlin, R. Czernecki, A. Bering-Staniszewska, and P. G. Eliseev, Appl. Phys. Lett. 88, 071121 (2006).
10. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentosov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsulnikov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kopev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Semiconductors 31, 411 (1997).
11. C. F. Lin, Y. S. Su, D. K. Yu, C. H. Wu, and B. R. Wu, Appl. Phys. Lett. 82, 3403 (2003).
12. J. M. Ulloa, A. Hierro, M. Montes, J. Miguel-Sanchez, A. Guzman, B. Damilano, J. Barjon, M. Hugues, J. Y. Duboz, J. Massies, and A. Trampert, Proc. SPIE 5840, 81 (2005).
13. O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, J. K. Son, H. Y. Ryu, Y. H. Kim, and Y. Park, Phys. Status Solidi A 201, 2717 (2004).
14. H. Y. Ryu, K. H. Ha, J. H. Chae, O. H. Nam, and Y. J. Park, Appl. Phys. Lett. 87, 093506 (2005).
15. J. Piprek, R. K. Sink, M. A. Hansen, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Proc. SPIE 3944, 28 (2000).
16. Y. K. Kuo and Y. A. Chang, IEEE J. Quantum Electron. 40, 439 (2004).