Effect of the number of wells on optical and structural properties in InGaN quantum well structures grown by metalorganic chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 5, 2002, Pages 3483-3485

  Yuh, H K ^a   Yoon, E ^a   Shee, S K ^b   Lam, J B ^b   Choi, C K ^b   Gainer, G H ^b   Park, G H ^b   Hwang, S J ^b   Song, J J ^b  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b OKLAHOMA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33845418085     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1450051     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
3. B. W. Lim, Q. C. Chen, J. Y. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 68, 3761 (1996).
4. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
5. Y.-H. Cho, T. J. Schmidt, S. Bidnyk, G. H. Gainer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Phys. Rev. B 61, 7571 (2000).
6. E. S. Jeon et al., Appl. Phys. Lett. 69, 4194 (1996).
7. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
8. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
9. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
10. T. Wang, D. Nakagawa, M. Lachab, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 74, 3128 (1999).
11. T. Takeuchi et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
12. S. F. Chichibu et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
13. L.-H. Peng et al., Appl. Phys. Lett. 74, 795 (1999).
14. E. Berkowicz et al., Phys. Rev. B 61, 10994 (2000).
15. T. Wang, D. Nakagawa, M. Lachab, T. Sugahara, and S. Sakai, Phys. Status Solidi B 216, 279 (1999).
16. M. S. Minsky, S. B. Fleischer, A. C. Abare, J. E. Bowers, E. L. Hu, S. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 72, 1066 (1998).
17. D.-J. Kim, Y.-T. Moon, K.-M. Song, C.-J. Choi, Y.-W. Ok, T.-Y. Seong, and S.-J. Park, J. Cryst. Growth 221, 368 (2000).
18. P. A. Grudowski, C. J. Eiting, J. Park, B. S. Shelton, D. J. H. Lambert, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 71, 1537 (1997).
19. S. K. Shee, Y. H. Kwon, J. B. Lam, G. H. Gainer, G. H. Park, S. J. Hwang, B. D. Little, and J. J. Song, J. Cryst. Growth 221, 373 (2000).
20. T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, T. Sota, S. Chichibu, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 72, 3329 (1998).
21. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
22. N. El-Masry, J. C. L. Tarn, T. P. Humphreys, N. Hamaguchi, N. H. Karam, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 51, 1608 (1987).
23. W. Zhang et al., Appl. Phys. Lett. 78, 772 (2001).
24. P. G. Eliseev, M. Osinski, J. Lee, T. Sugahara, and S. Sakai, J. Electron. Mater. 29, 332 (2000).
25. Y.-H. Cho, J. J. Song, S. Keller, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1128 (1998).