Optical investigation of InGaN/GaN multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 21, 1999, Pages 3128-3130

  Wang, T ^a   Nakagawa, D ^a   Lachab, M ^a   Sugahara, T ^a   Sakai, S ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LOW TEMPERATURE EFFECTS; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE MODELS; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES;

GALLIUM NITRIDE; INDIUM GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0032606534     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124084     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
2. I. Akosaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105 (1996).
3. M. Kneissl, D. P. Bour, N. M. Johnson, L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Donaldson, J. Walker, and C. Dunnrowicz, Appl. Phys. Lett. 72, 1539 (1998).
4. M. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. Mishra, L. Coldren, and S. DenBaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997).
5. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
6. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
7. A. Statake, Y. Masmoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura, and M. Ikeda, Phys. Rev. B 57, R2041 (1998).
8. P. A. Crowell, D. K. Yong, S. Keller, E. L. Hu, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett. 72, 927 (1998).
9. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
10. M. S. Minsky, S. B. Fleischer, A. C. Abare, J. E. Bowers, E. L. Hu, S. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 72, 1066 (1998).
11. K. L. Teo, J. S. Colton, P. Y. Yu, E. R. Weber, M. F. Li, W. Liu, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, and K. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 73, 1697 (1998).
12. P. Perlin, C. Kisielowski, V. Iota, B. A. Weinstein, L. Mattos, N. A. Shapiro, J. Kruger, E. R. Weber, and J. Yang, Appl. Phys. Lett. 73, 2778 (1998).
13. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
14. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
15. M. D. Nardell, K. Rapcewic, and J. Bernhol, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
16. C. K. Sun, S. Keller, T. C. Chiu, G. Wang, M. S. Minsky, J. E. Bowers, and S. P. DenBarrs, IEEE 3, 731 (1997).
17. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).
18. J. A. Davidson, P. Dawson, T. Wang, T. Sugahara, J. W. Orton, and S. Sakai (unpublished).
19. S. Rudin, T. L. Reinecke, and B. Segall, Phys. Rev. B 42, 11218 (1990).
20. J. Ahpelto, H. Lipsanen, M. Sopanen, T. Koljionen, and H. E. M. Niemi, Appl. Phys. Lett. 65, 1662 (1994).
21. E. D. Jone, D. M. Follstaedt, H. Lee, J. S. Nelson, R. P. Schneider, Jr., R. G. Alonso, G. S. Horner, J. Machol, and A. Mescarenhas, in Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995), p. 293.
22. A. Gomyo, T. Suzuki, and S. Ijima, Phys. Rev. Lett. 60, 2645 (1988).
23. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).