Growth and field-emission property of tungsten oxide nanotip arrays

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 22, 2005, Pages 1-3

  Zhou, Jun ^a   Gong, Li ^a   Deng, Shao Zhi ^a   Chen, Jun ^a   She, Jun Cong ^a   Xu, Ning Sheng ^a   Yang, Rusen ^b   Wang, Zhong Lin ^b  

^a SUN YAT SEN UNIVERSITY   (China)

^b Georgia Institute of Technology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EVAPORATION DEPOSITION; FIELD-EMISSION PROPERTY; NANOTIPS; TUNGSTEN OXIDE;

ARRAYS; CRYSTALLINE MATERIALS; CURRENT DENSITY; EVAPORATION; FIELD EMISSION DISPLAYS; HIGH TEMPERATURE EFFECTS;

TUNGSTEN COMPOUNDS;

EID: 27944471775     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2136006     Document Type: Article

References (25)

1. C. A. Spindt, I. Brodie, L. Humphrey, and E. R. Westerberg, J. Appl. Phys. 47, 5248 (1976).
2. W. B. Choi, D. S. Chng, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
3. W. A. de Heer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 269, 1179 (1995).
4. S. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, and H. J. Dai, Science 283, 512 (1998).
5. V. N. Tondare, C. Balasubramanian, S. V. Shende, D. S. Joag, V. P. Godbole, S. V. Bhorakar, and M. Bhadbhade, Appl. Phys. Lett. 80, 4813 (2002).
6. Z. L. Wang, R. P. Gao, W. A. de Heer, and P. Poncharal, Appl. Phys. Lett. 80, 856 (2002).
7. Z. S. Wu, S. Z. Deng, N. S. Xu, J. Chen, J. Zhou, and J. Chen, Appl. Phys. Lett. 80, 3829 (2002).
8. J. Chen, S. Z. Deng, N. S. Xu, S. H. Wang, X. G. Wen, S. H. Yang, C. L. Yang, J. N. Wang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 80, 3620 (2002).
9. J. Zhou, N. S. Xu, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, and Z. L. Wang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1835 (2003).
10. B. Xiang, Q. X. Wang, Z. Wang, X. Z. Zhang, L. Q. Liu, J. Xu, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 86, 243103 (2005).
11. Z. W. Pan, H. L. Lai, F. C. K. Au, X. F. Duan, W. Y. Zhou, W. S. Shi, N. Wang, C. S. Lee, N. B. Wong, S. T. Lee, and S. S. Xie, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 1186 (2000).
12. Y. B. Li, Y. Bando, D. Golberg, and K. Kurashima, Appl. Phys. Lett. 81, 5048 (2002).
13. J. Chen, S. Z. Deng, N. S. Xu, W. X. Zhang, X. G. Wen, and S. H. Yang, Appl. Phys. Lett. 83, 746 (2003).
14. Y. B. Li, Y. Bando, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 84, 3603 (2004).
15. Q. Zhao, J. Xu, X. Y. Xu, Z. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 5331 (2004).
16. L. Vila, P. Vincent, L. D. D. Pra, G. Pirio, E. Minoux, L. Gangloff, S. D. Champagne, N. Sarazin, E. Ferain, R. Leger, L. Piraux, and P. Legagneux, Nano Lett. 4, 521 (2004).
17. C. Santato, M. Odziemkowski, M. Ulmann, and J. Augustynski, J. Am. Chem. Soc. 123, 10639 (2001).
18. J. L. Solis, S. Saukko, L. Kish, C. G. Granqvist, and V. Lantto, Thin Solid Films 391, 255 (2001).
19. K. Sayama, K. Mukasa, R. Abe, Y. Abe, and H. Arakawa, Chem. Commun. (Cambridge) 23, 2416 (2001).
20. Y. B. Li, Y. Bando, and D. Golberg, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1294 (2003).
21. J. G. Liu, Z. J. Zhang, Y. Zhao, X. Su, S. Liu, and E. G. Wang, Small 1, 310 (2005).
22. J. Zhou, Y. Ding, S. Z. Deng, L. Gong, N. S. Xu, and Z. L. Wang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 2107 (2005).
23. A. M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
24. W. Z. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
25. J. Chen, S. Z. Deng, J. C. She, N. S. Xu, W. X. Zhang, X. G. Wen, and S. H. Yang, J. Appl. Phys. 93, 1744 (2003).