Critical oxide thickness for efficient single-walled carbon nanotube growth on silicon using thin SiO2 diffusion barriers

Small

Volumn 2, Issue 7, 2006, Pages 902-909

  Simmons, Jason M ^a   Nichols, Beth M ^b   Marcus, Matthew S ^a,b   Castellini, Olivia M ^a   Homers, Robert J ^b   Eriksson, Mark A ^a,b  

^a University of Wisconsin Madison   (United States)

^b UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

Author keywords

Carbon nanotubes; Catalysis; Chemical vapor deposition; Photoelectron spectroscopy

Indexed keywords

CATALYSIS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SILICA; SILICON; TEMPERATURE DISTRIBUTION; THICKNESS CONTROL; ULTRATHIN FILMS;

NONCATALYSIS; SILICIDES; SINGLE WALLED NANOTUBE GROWTH; ULTRATHIN OXIDES;

CARBON NANOTUBES;

CARBON NANOTUBE; SILICON; SILICON DIOXIDE;

ARTICLE; CATALYSIS;

CATALYSIS; NANOTUBES, CARBON; SILICON; SILICON DIOXIDE;

EID: 33745143634     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.200600095     Document Type: Article

References (51)

1. R. Saito, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, Physical Properties of Carbon Nanotubes, Imperial College Press, London, 1998.
2. R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
3. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature 1998, 393, 49.
4. S. Chopra, K. McGuire, N. Gothard, A. M. Rao, A. Pham, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2280.
5. J. Kong, N. R. Franklin, C. Zhou, M. G. Chapline, S. Peng, K. Cho, H. Dai, Science 2000, 287, 622.
6. C. S. Lee, S. E. Baker, M. S. Marcus, W.Yang, M. A. Eriksson, R. J. Hamers, Nano Lett. 2004, 4, 1713.
7. H. Dai, J. Kong, C. Zhou, N. Franklin, T. Tombler, A. Cassell, S. Fan, M. Chapline, J. Phys. Chem. B 1999, 103, 11246.
8. J. Kong, A. M. Cassell, H. Dai, Chem. Phys. Lett. 1998, 292, 567.
9. A. Moisala, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, J. Phys. Condens. Matter 2003, 15, S3011.
10. R. T. K. Baker, J. R. Alonzo, J. A. Dumesic, D. J. C. Yates, J. Catal. 1982, 77, 74.
11. T. de los Arcos, M. G. Garnier, J. W. Seo, P. Oelhafen, V. Thommen, D. Mathys, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 7728.
12. T. de los Arcos, F. Vonau, M. G. Garnier, V. Thommen, H.-G. Boyen, P. Oelhafen, M. Duggelin, D. Mathis, R. Guggenheim, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2383.
13. C. Klinke, J. M. Bonard, K. Kern, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 11357.
14. Z. Konya, J. Kiss, A. Oszko, A. Siska, I. Kiricsi, Phys. Chem. Chem. Phys. 2001, 3, 155.
15. C. Emmenegger, J. M. Bonard, P. Mauron, P. Sudan, A. Lepora, B. Grobety, A. Zuttel, L. Schlapbach, Carbon 2003, 41, 539.
16. K. Prabhakaran, Y. Watanabe, Y. Homma, T. Ogino, B. Q. Wei, P. M. Ajayan, K. V. P. M. Shafi, A. Ulman, S. Heun, A. Locatelli, S. Cherifi, Langmuir 2003, 19, 10629.
17. T. de los Arcos, Z. M. Wu, P. Oelhafen, Chem. Phys. Lett 2003, 380, 419.
18. J. E. Herrera, D. E. Resasco, J. Catal. 2004, 221, 354.
19. K. Nishimura, N. Okazaki, L. Pan, Y. Nakayama, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 2004, 43, L471.
20. B. Yang, M. S. Marcus, D. G. Keppel, P. P. Zhang, Z. W. Li, B. J. Larson, D. E. Savage, J. M. Simmons, O. M. Castellini, M. A. Eriksson, M. G. Lagally, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 263107.
21. Y. J. Jung, B. Q. Wei, R. Vajtai, P. M. Ajayan, Y. Homma, K. Prabhakaran, T. Ogino, Nano Lett. 2003, 3, 561.
22. F. Maeda, E. Laffosse, Y. Watanabe, S. Suzuki, Y. Homma, M. Suzuki, T. Kitada, T. Ogiwara, A. Tanaka, M. Kimura, V. A. Mihai, H.Yoshikawa, S. Fukushima, Phys. E 2004, 24, 19.
23. J. I. Sohn, C. J. Choi, S. Lee, T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3130.
24. A. Cao, P. M. Ajayan, G. Ramanath, R. Baskaran, K. Turner, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 109.
25. C. L. Cheung, J. H. Hafner, C. M. Lieber, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2000, 97, 3809.
26. D. Kondo, S. Sato, A. Kawabata, Y. Awano, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2005, 44, 5292.
27. W. K. Wong, C. S. Lee, S. T. Lee, J. Appl. Phys. 2005, 97, 084307.
28. N. S. McIntyre, D. G. Zetaruk, Anal. Chem. 1977, 49, 1521.
29. T. C. Lin, G. Seshadri, J. A. Kelber, Appl. Surf. Sci. 1997, 119, 83.
30. A. P. Grosvenor, B. A. Kobe, M. C. Biesinger, N. S. McIntyre, Surf. Interface Anal. 2004, 36, 1564.
31. M. W. Chase, J. Phys. Chem. Ref. Data 1998, No. 9.
32. B. A. Orlowski, B. J. Kowalski, K. Fronc, R. Zuberek, S. Mickevicius, F. Mirabella, J. Ghijsen, J. Alloys Compd. 2004, 362, 202.
33. Y. Homma, Y. Kobayashi, T. Ogino, D. Takagi, R. Ito, Y. J. Jung, P. M. Ajayan, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 12161.
34. K. Ruhmschopf, D. Borgmann, G. Wedler, Thin Solid Films 1996, 280, 171.
35. Q. G. Zhu, H. Iwasaki, E. D. Williams, R. L. Park, J. Appl. Phys. 1986, 60, 2629.
36. N. W. Cheung, P. J. Grunthaner, F. J. Grunthaner, J. W. Mayer, B. M. Ullrich, J. Vac. Sci. Technol. 1981, 18, 917.
37. T. T. A. Nguyen, R. Cinti, Phys. Scr. 1983, T4, 176.
38. T. de los Arcos, M. G. Garnier, P. Oelhafen, D. Mathys, J. W. Seo, C. Domingo, J. V. Garcia-Ramos, S. Sanchez-Cortes, Carbon 2004, 42, 187.
39. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1992.
40. O. Kononchuk, K. G. Korablev, N. Yarykin, G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1206.
41. M. Liehr, H. Lefakis, F. K. LeGoues, G. W. Rubloff, Phys. Rev. B 1986, 33, 5517.
42. J. T. Mayer, R. F. Lin, E. Garfunkel, Surf. Sci. 1992, 265, 102.
43. E. Conforto, P. E. Schmid, Philos. Mag. A 2001, 81, 61.
44. N. A. Fedorovich, Sov. Phys. Solid State 1980, 22, 1093.
45. Y. Ohno, S. Iwatsuki, T. Hiraoka, T. Okazaki, S. Kishimoto, K. Maezawa, H. Shinohara, T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2003, 42, 4116.
46. R. N. Ghoshtagore, J. Appl. Phys. 1969, 40, 4374.
47. L. W. Liu, J. H. Fang, L. Lu, Y. J. Ma, Z. Zhang, H. F. Yang, A. Z. Jin, C. Z. Gu, I. Phys. Chem. B 2004, 108, 18460.
48. M. Backhaus-Ricoult, Acta Metall. Mater. 1992, 40, S95.
49. Y. Pan, J. L. Baptista, J. Am. Ceram. Soc. 1996, 79, 2017.
50. J. H. Hafner, C. L. Cheung, T. H. Oosterkamp, C. M. Lieber, J. Phys. Chem. B 2001, 105, 743.
51. D. A. Shirley, Phys. Rev. B 1972, 5, 4709.