Uniform-diameter, aligned carbon nanotubes from microwave plasma-enhanced chemical-vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 8, 2005, Pages

  Wong, W K ^a   Lee, C S ^a   Lee, S T ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FILM THICKNESS; PLASMA TREATMENT; SILICON SUBSTRATES; STRUCTURAL UNIFORMITY;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CATALYSTS; IRON; METHANE; MICROWAVES; NITROGEN; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PLASMA THEORY; SCANNING; SILICON; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

CARBON NANOTUBES;

EID: 21444452138     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1871354     Document Type: Article

References (53)

1. S. Iijima, Nature (London) 354, 56 (1991).
2. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tomanek, D. Colbert, and R. E. Smalley, Science 269, 1550 (1995).
3. W. B. Choi, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
4. N. S. Lee, Diamond Relat. Mater. 10, 265 (2001).
5. P. Chen, X. Wu, J. Lin, and K. L. Tan, Science 285, 91 (1999).
6. C. Liu, Q. H. Yang, Y. Tong, H. T. Cong, and H. M. Cheng, Appl. Phys. Lett. 80, 2389 (2002).
7. T. Larsen, K. Moloni, F. Flack, M. A. Eriksson, M. G. Lagally, and C. T. Black, Appl. Phys. Lett. 80, 1996 (2002).
8. E. Yenilmez, Q. Wang, R. J. Chen, D. Wang, and H. Dai, Appl. Phys. Lett. 80, 2225 (2002).
9. T. Ono, H. Miyashita, and M. Esashi, Nanotechnology 13, 62 (2002).
10. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, Nature (London) 393, 49 (1998).
11. H. D. Wagner, O. Lourie, Y. Feldman, and R. Tenne, Appl. Phys. Lett. 72, 188 (1998).
12. P. Kim and C. M. Lieber, Science 286, 2148 (1999).
13. O. Inganüs and I. Lundstrüm, Science 284, 1281 (1999).
14. C. Niu, E. K. Sichel, R. Hoch, D. Moy, and H. Tennent, Appl. Phys. Lett. 70, 1480 (1997).
15. W. Kratschmer, L. D. Lamb, K. Fostiropoulos, and D. R. Huffman, Nature (London) 347, 354 (1990).
16. T. W. Ebbesen and P. M. Ajayan, Nature (London) 358, 16 (1992).
17. C. Journet, Nature (London) 388, 756 (1997).
18. A. Thess, Science 273, 483 (1996).
19. Y. Zhang and S. Iijima, Appl. Phys. Lett. 75, 3087 (1999).
20. S. Bandow, S. Asaka, Y. Saito, A. M. Rao, L. Grigorian, E. Richter, and P. C. Eklund, Phys. Rev. Lett. 80, 3779 (1998).
21. H. Dai, A. G. Rinzler, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chem. Phys. Lett. 260, 471 (1996).
22. A. M. Cassell, J. A. Raymakers, J. Kong, and H. J. Dai, J. Phys. Chem. B 103, 6484 (1999).
23. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, and P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998).
24. C. Bower, W. Zhu, S. Jin, D. J. Werder, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 77, 830 (2000).
25. C. Bower, O. Zhou, W. Zhu, D. J. Werder, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 77, 2767 (2000).
26. Y. C. Choi, Y. M. Shin, Y. H. Lee, B. S. Lee, G. Park, W. B. Choi, N. S. Lee, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 76, 2367 (2000).
27. Y. Y. Wei, G. Eres, V. I. Merkulov, and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett. 78, 1394 (2001).
28. M. Chhowalla, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, K. B. K. Teo, and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett. 79, 2079 (2001).
29. M. Chhowalla, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
30. C. L. Cheung, A. Kurtz, H. Park, and C. M. Lieber, J. Phys. Chem. B 106, 2429 (2002).
31. O. A. Nerushev, S. Dittmar, R.-E. Morjan, F. Rohmund, and E. E. B. Campbell, J. Appl. Phys. 93, 4185 (2003).
32. K. B. K. Teo, Nanotechnology 14, 204 (2003).
33. Y. T. Jang, J. H. Ahn, Y. H. Lee, and B. K. Ju, Chem. Phys. Lett. 372, 745 (2003).
34. W. K. Wong, C. P. Li, F. C. K. Au, M. K. Fung, X. H. Sun, C. S. Lee, S. T. Lee, and W. Zhu, J. Phys. Chem. B 107, 1514 (2003).
35. V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, Y. Y. Wei, G. Eres, and E. Voelkl, Appl. Phys. Lett. 76, 3555 (2000).
36. L. Delzeit, I. McAninch, B. A. Cruden, D. Hash, B. Chen, J. Han, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 91, 6027 (2002).
37. Y. Li, J. Liu, Y. Wang, and Z. L. Wang, Chem. Mater. 13, 1008 (2001).
38. Y. Shimizu, T. Sasaki, T. Kodaira, K. Kawaguchi, K. Terashima, and N. Koshizaki, Chem. Phys. Lett. 370, 74 (2003).
39. M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, K. Sugihara, I. L. Spain, and H. A. Goldberg, Graphite Fibers and Filaments (Springer, Tokyo, 1988), Chap..
40. R. T. K. Baker, M. A. Barber, P. S. Harris, F. S. Feates, and R. J. Waite, J. Catal. 26, 51 (1972).
41. C. J. Lee, S. C. Lyu, Y. R. Cho, J. H. Lee, and K. I. Cho, Chem. Phys. Lett. 341, 245 (2001).
42. S. Huang, L. Dai, and A. W. H. Mau, J. Phys. Chem. B 103, 4223 (1999).
43. R. Andrews, D. Jacques, A. M. Rao, F. Derbyshire, D. Qian, X. Fan, E. C. Dickey, and J. Chen, Chem. Phys. Lett. 303, 467 (1999).
44. B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett. 307, 158 (1999).
45. J. Kong, H. T. Soh, A. M. Cassell, C. F. Quate, and H. Dai, Science 395, 878 (1998).
46. Z. W. Pan, Nature (London) 394, 631 (1998).
47. W. K. Wong, F. Y. Meng, Q. Li, F. C. K. Au, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 877 (2002).
48. W. Zhu, C. Bower, O. Zhou, G. Kochanski, and S. Jin, Appl. Phys. Lett. 75, 873 (1999).
49. C. J. Lee and J. Park, J. Phys. Chem. B 105, 2365 (2001).
50. C. J. Lee and J. Park, Appl. Phys. Lett. 77, 3397 (2000).
51. F. Tuinstra and J. L. Koenig, J. Chem. Phys. 53, 1126 (1970).
52. H. Wilhelm, M. Lelaurain, E. McRae, and B. Humbert, J. Appl. Phys. 84, 6552 (1998).
53. M. S. Dresselhaus, M. A. Pimenta, P. C. Eklund, and G. Dresselhaus, in Raman Scattering in Material Science, edited by, W. H. Weber, and, R. Merlin, (Springer, Berlin, 2000), p. 314.