Long wavelength emitting InAs Ga0.85 In0.15 Nx As1-x quantum dots on GaAs substrate

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 23, 2006, Pages

  Richter, M ^a,b   Damilano, B ^a   Duboz, J Y ^a   Massies, J ^a   Wieck, A D ^b  

^a CNRS   (France)

^b RUHR UNIVERSITY BOCHUM   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

INAS QUANTUM DOTS; PHOTOLUMINESCENCE (PL) WAVELENGTH; REDSHIFTS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 33745055701     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2209879     Document Type: Article

References (17)

1. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, B. V. Volovik, Yu. G. Musikhin, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, and D. Bimberg, J. Cryst. Growth 227-228, 1155 (2001).
2. I. R. Sellers, H. Y. Liu, K. M. Groom, D. T. Childs, D. Robbins, T. J. Badcock, M. Hopkinson, D. J. Mowbray, and M. Skolnick, Electron. Lett. 40, 1412 (2004).
3. Z. Gong, Z. D. Fang, Z. H. Miao, Z. C. Niu, and S. L. Feng, J. Cryst. Growth 274, 78 (2005).
4. J. Tatebayashi, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 78, 3469 (2001).
5. M. Sopanen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 994 (2000).
6. A. Y. Egorov, D. Bedarev, D. Bernklau, G. Dumitras, and H. Riechert, Phys. Status Solidi B 224, 839 (2001).
7. V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. V. Kryzhanovskaya, Y. G. Musikhin, A. F. Tsatsul'nikov, and Z. I. Alferov, J. Cryst. Growth 251, 388 (2003).
8. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 1280 (2000).
9. G. Park, O. B. Shchekin, S. Csutak, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
10. O. Schumann, L. Geelhaar, H. Riechert, H. Cerva, and G. Abstreiter, J. Appl. Phys. 96, 2832 (2004).
11. T. Kita, T. Mori, H. Seki, M. Matsushita, M. Kikuno, O. Wada, H. Eben, M. Sagayara, Y. Arakawa, and Y. Nakata, J. Appl. Phys. 97, 024306 (2005).
12. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 14, 1111 (1999).
13. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanaka, J. Cryst. Growth 209, 345 (2000).
14. S. Makino, T. Miyamoto, M. Ohta, T. Matsuura, Y. Matsui, and F. Koyama, Phys. Status Solidi C 0, 1097 (2003).
15. H. S. Lee, J. Y. Lee, T. W. Kim, and M. D. Kim, J. Appl. Phys. 94, 6354 (2003).
16. S. Kurtz, J. Webb, L. Gedvilas, D. Friedman, J. Geisz, J. Olson, R. King, D. Joslin, and N. Karam, Appl. Phys. Lett. 78, 748 (2001).
17. P. J. Klar, H. Grunig, J. Koch, S. Schafer, K. Volz, W. Stolz, W. Heimbrodt, A. M. Kamal Saadi, A. Lindsay, and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).