Morphology and optical properties of InAs(N) quantum dots

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 5, 2004, Pages 2832-2840

  Schumann, O ^a,b   Geelhaar, L ^a   Riechert, H ^a   Cerva, H ^c   Abstreiter, G ^b  

^a INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^c SIEMENS AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DISLOCATIONS (CRYSTALS); METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; NUCLEATION; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA SOURCES; PLASTICITY; RELAXATION PROCESSES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; WETTING;

BLUESHIFTS; PHOTOLUMINESCENCE (PL) SPECTROSCOPY; RADIO FREQUENCY PLASMA SOURCES; SOLID SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 5044232552     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1775050     Document Type: Article

References (46)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1915(1986).
3. J. X. Chen, A. Markus, A. Fiore, U. Oesterle, R. P. Stanley, J. F. Carlin, R. Houdré, M. Ilegems, L. Lazzarini, L. Nasi, M. T. Todaro, E. Piscopiello, R. Cingolani, M. Catalano, J. Katcki, and J. Ratajczak, J. Appl. Phys. 91, 6710 (2002).
4. A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, N. N. Ledentsov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maximov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 14, 575 (1999).
5. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
6. S. Sanguinetti, M. Padovani, M. Gurioli, E. Grilli, M. Guzzi, A. Vinattieri, M. Colocci, P. Frigeri, and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 77, 1307 (2000).
7. K. M. Kim, Y. Ju Park, C. H. Roh, Y. M. Park, E. K. Kim, C. K. Hyon, J. Ho Park, and T. W. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, 54 (2003).
8. M. Sopanen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 994 (2000).
9. S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, N. Nishiyama, F. Koyama, and K. Iga, J. Cryst. Growth 221, 561 (2000).
10. T. Hakkarainen, J. Toivonen, M. Sopanen, and H. Lipsanen, Appl. Phys. Lett. 79, 3932 (2001).
11. Z. Z. Sun, S. F. Yoon, K. C. Yew, W. K. Loke, S. Z. Wang, and T. K. Ng, J. Cryst. Growth 242, 109 (2002).
12. R. Oshima, A. Ohmae, and Y. Okada, J. Cryst. Growth 261, 11 (2004).
13. P. Ballet, P. Gilet, L. Grenouillet, P. Duvaut, G. Feuillet, and A. Million, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 642, J3.33 (2001).
14. Y. D. Jang, J. S. Yim, U. H. Lee, D. Lee, J. W. Jang, K. H. Park, W. G. Jeong, J. H. Lee, and D. K. Oh, Physica E (Amsterdam) 17, 127 (2003).
15. V. M. Daniltsev, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, D. M. Gaponova, O. I. Khrykin, A. V. Murel, V. I. Shashkin, and N. V. Vostokov, J. Cryst. Growth 248, 343 (2003).
16. T. Kita, Y. Masuda, T. Mori, and O. Wada, Appl. Phys. Lett. 83, 4152 (2003).
17. S. Zhongzhe, S. F. Yoon, and Y. K. Chuin, J. Cryst. Growth 258, 123 (2003).
18. A. Yu. Egorov, D. Bedarev, D. Bernklau, G. Dumitras, and H. Riechert, Phys. Status Solidi B 224, 839 (2001).
19. X. Q. Zhang, S. Ganapathy, H. Kumano, K. Uesugi, and I. Suemune, J. Appl. Phys. 92, 6813 (2002).
20. T. Hakkarainen, J. Toivonen, M. Sopanen, and H. Lipsanen, J. Cryst. Growth 248, 339 (2003).
21. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. G. Musikhin, A. F. Tsatsul'nikov, and Zh. I. Alferov, J. Cryst. Growth 251, 388 (2003).
22. J. A. Venables, G. D. T. Spiller, and M. Hanbücken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984).
23. W. Seifert, J. Johansson, and N. Carlsson, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 7264 (1999).
24. T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 66, 201302(R) (2002).
25. K. Ozasa, Y. Aoyagi, M. Iwaki, and H. Kurata, J. Appl. Phys. 94, 313 (2003).
26. K.-i. Shiramine, T. Itoh, S. Muto, T. Kozaki, and S. Sato, J. Cryst. Growth 242, 332 (2002).
27. R. Beresford, K. S. Stevens, and A. F. Schwartzman, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1293 (1998).
28. S. Sakai, T. S. Cheng, T. C. Foxon, T. Sugahara, Y. Naoi, and H. Naoi, J. Cryst. Growth 189/190, 471 (1998).
29. H. Naoi, D. M. Shaw, Y. Naoi, G. J. Collins, and S. Sakai, J. Cryst. Growth 222, 511 (2001).
30. F. Houzay, C. Guille, J. M. Moison, P. Henoc, and F. Barthe, J. Cryst. Growth 81, 67 (1987).
31. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, and A. Konkar, Appl. Phys. Lett. 64, 2727 (1994).
32. M. Krishnamurthy, J. S. Drucker, and J. A. Venables, J. Appl. Phys. 69, 6461 (1991).
33. Ch. Heyn and W. Hansen, J. Cryst. Growth 251, 218 (2003).
34. Z. D. Lu, J. Z. Xu, B. Z. Zheng, Z. Y. Xu, and W. K. Ge, Solid State Commun. 109, 649 (1999).
35. S. Z. Wang, S. F. Yoon, and W. K. Loke, J. Appl. Phys. 94, 2662 (2003).
36. Z. M. Wang, S. L. Feng, X. P. Yang, Z. D. Lu, Z. Y. Xu, H. Z. Zheng, F. L. Wang, P. D. Han, and X. F. Duan, J. Cryst. Growth 192, 97 (1998).
37. A. Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh. I. Alferov, and H. Riechen, Electron. Lett. 35, 1643 (1999).
38. G. Steinle, F. Mederer, M. Kicherer, R. Michalzik, G. Kristen, A. Yu. Egorov, H. Riechen, H. D. Wolf, and K. J. Ebeling, Electron. Lett. 37, 632 (2001).
39. H. Riechen, A. Ramakrishnan, and G. Steinle, Semicond. Sci. Technol. 17, 892 (2002).
40. M.-A. Pinault and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 79, 3404 (2001).
41. A. R. Kovsh, J. S. Wang, L. Wei, R. S. Shiao, J. Y. Chi, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, and V. M. Ustinov, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1158 (2002).
42. M. Sato and M. Weyers, in Gallium Arsenide and Related Compounds, Proceedings of the 19th International Symposium, Karuizawa, Japan, Sept 28-Oct 2, 1992, edited by T. Ikegami, F. Hasegawa, and Y. Takeda (Institute of Physics, Bristol, 1993).
43. H. Naoi, Y. Naoi, and S. Sakai, Solid-State Electron. 41, 319 (1997).
44. D.-K. Shih, H.-H. Lin, Li-Wei Sung, Tso-Yu Chu, and T.-R. Yang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 375 (2003).
45. J.-S. Wang and H.-H. Lin, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1997 (1999).
46. F. Ferdos, S. Wang, Y. Wei, A. Larsson, M. Sadeghi, and Q. Zhao, Appl. Phys. Lett. 81, 1195 (2002).