Thermal annealing effect on self-assembled GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn , Issue 4, 2003, Pages 1097-1100

  Makino, Shigeki ^a   Miyamoto, Tomoyuki ^a   Ohta, Masataka ^a   Matsuura, Tetsuya ^a   Matsui, Yasutaka ^a   Koyama, Fumio ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LONG WAVELENGTH LASERS; MAXIMUM INTENSITIES; NOVEL MATERIAL SYSTEM; PEAK WAVELENGTH; PHOTOLUMINESCENCE INTENSITIES; QUANTUM WELL SYSTEMS; THERMAL ANNEALING EFFECTS; THERMAL-ANNEALING;

CHEMICAL BEAM EPITAXY; GALLIUM NITRIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

ANNEALING;

EID: 17044375283     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200303002     Document Type: Conference Paper

References (23)

1. K. Iga, 8th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, ThA1-1 (1996).
2. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
3. K. Mukai, N. Ohtsubo, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1710 (1994).
4. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
5. M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. 9, 1915 (1986).
6. J. A. Lott, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhuhov, A. R. Kovsh, M. V. Maximov, B. V. Volovik, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 36, 1384 (2000).
7. M. C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and K. Uomi, IEEE Photon. Technol. Lett. 10, 188 (1998).
8. C. W. Coldren, M. C. Larson, S. G. Spruytte, and J. S. Harris, Electron. Lett. 36, 951 (2000).
9. K. D. Choquette, J. F. Klem, A. J. Fischer, O. Blum, A. A. Allerman, I. J. Fritz, S. R. Kurtz, W. G. Breiland, R. Sieg, K. M. Geib, J. W. Scott, and R. L. Naone, Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
10. N. Nishiyama, S. Sato, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga, Electron. Lett. 36, 2018 (2000).
11. G. Steinle, H. Riechert, and A. Yu. Egowov, Electron. Lett. 37, 93 (2001).
12. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, Y. Ikenaga, N. Nishiyama, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga, Electron. Lett. 37, 225 (2001).
13. S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, F. Koyama, and K. Iga, Ext. Abstr. 60th Autumn Meet. (Jpn. Soc. Appl. Phys., 1999), 3p-T-19.
14. S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, N. Nishiyama, F. Koyama, and K. Iga, J. Cryst. Growth 221, 561 (2000).
15. S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, Y. Ikenaga, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 953 (2002).
16. M. Sopanen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 994 (2000).
17. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L298 (1999).
18. S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, Y. Ikenaga, M. Arai, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L298 (1999).
19. T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama, and K. Iga, J. Cryst. Growth 197, 67 (1999).
20. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D. J. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
21. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).
22. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 1280 (2000).
23. S. Kurtz, J. Webb, L. Gedvilas, D. Friedman, J. Geiaz, J. Olson, R. King, D. Joslin, and N. Karam, Appl. Phys. Lett. 78, 748 (2001).