Fabrication of suspended GaN microstructures using GaN-on-patterned-silicon (GPS) technique

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 203, Issue 7, 2006, Pages 1712-1715

  Yang, Z ^a   Wang, R N ^a   Jia, S ^a   Wang, D ^a   Zhang, B S ^a   Lau, K M ^a   Chen, K J ^a  

^a HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIRECT ETCHING; GROWTH PROPERTY; PATTERNED SILICON SUBSTRATE (GPS); WET ETCHING;

ANISOTROPY; ETCHING; GALLIUM NITRIDE; SILICON; SUBSTRATES;

MICROSTRUCTURE;

EID: 33745015329     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200565102     Document Type: Article

References (17)

1. S. J. Pearton et al., J. Appl. Phys. 86(1), 1 (1999).
2. S. J. Pearton, B. S. Kang, Suku Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, Jenshan Lin, and S. N. G. Chu, J. Phys.: Condens. Matter 16, R961 (2004).
3. D. Zhuang and J. H. Edgar, Mater. Sci. Eng. R 48, 1 (2005).
4. S. J. Pearton, R. J. Shul, and Fan Ren, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 11 (2000).
5. M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 68, 1531 (1996).
6. H. M. Ng, W. Parz, N. G. Weimann, and A. Chowdhury, Jpn. J. Appl. Phys. 42(2), L1405 (2003).
7. R. P. Strittmatter, R. A. Beach, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 78, 3226 (2001).
8. A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2838 (2001).
9. J. R. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilcoyne, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 836 (1996).
10. S. Davies, T. S. Huang, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chalker, Appl. Phys. Lett. 84, 2566 (2004).
11. M. Neuberger, T. Zimmermann, P. Benkart, M. Kunze, I. Daumiller, A. Dadgar, A. Krost, and E. Kohn, Device Research Conference, Notre Dame, USA, June 21-23, 2004, pp. 45-46.
12. B. S. Kang, S. Kim, F. Ren, J. W. Johnson, R. J. Therrien, P. Rajagopal, J. C. Roberts, E. L. Piner, K. J. Linthicum, S. N. G. Chu, K. Baik, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2962 (2004).
13. S. Pal and C. Jacob, Bull. Mater. Sci. 27, 501 (2004).
14. S. Jia, Y. Dikme, D. Wang, K. J. Chen, K. M. Lau, and M. Heuken, Electron Device Lett. 26, 130 (2005).
15. D. Wang, S. Jia, K. J. Chen, K. M. Lau, Y. Dikme, P. Van Gemmern, Y. C. Lin, H. Kalisch, R. H. Jansen, and M. Heuken, J. Appl. Phys. 97, 056103 (2005).
16. A. Krost and A. Dadgar, Mater. Sci. Eng. B 93, 77 (2002).
17. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).