Minority carrier diffusion, defects, and localization in InGaAsN, with 2% nitrogen

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 3, 2000, Pages 400-402

  Kurtz, Steven R ^a   Allerman, A A ^a   Seager, C H ^a   Sieg, R M ^a   Jones, E D ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000310795     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126989     Document Type: Article

References (20)

1. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 853 (1942).
2. S. Sato, Y. Osawa, and T. Saitoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 2671 (1997).
3. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, and M. Okai, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 719 (1997).
4. E. V. K. Rao, A. Ougazzaden, Y. Le Bellego, and M. Juhel, Appl. Phys. Lett. 72, 1409 (1998).
5. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
6. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 54, 17568 (1996); T. Mattila, S.-H. Wei, and Alex Zunger, ibid. 60, 11245 (1999).
7. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 54, 17568 (1996); T. Mattila, S.-H. Wei, and Alex Zunger, ibid. 60, 11245 (1999).
8. J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olsen, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
9. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olsen, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
10. E. D. Jones, N. A. Modine, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, A. F. Wright, S. T. Tozer, and X. Wei, Phys. Rev. B 60, 4430 (1999).
11. J. W. Harrison and J. R. Hauser, Phys. Rev. B 13, 5347 (1976).
12. J. A. Van Vechten, Phys. Rev. 187, 1007 (1969).
13. M. Auslander and S. Hava, Solid Slate Commun. 87, 335 (1993).
14. C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, T. Suski, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olsen, and S. R. Kurtz, Phys. Status Solidi B 216, 135 (1999).
15. S. R. Kurtz, C. H. Seagcr, A. A. Allerman, R. M. Sieg, and E. D. Jones, (unpublished).
16. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Proccesses in Non-Crystalline Materials, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1979).
17. V. G. Karpov, A. Ya. Shik, and B. I. Shklovski, Sov. Phys. Semicond. 16, 901 (1982).
18. H. P. Muruska, A. K. Ghosh, A. Rose, and T. Feng, Appl. Phys. Lett. 36, 381 (1980).
19. H. K. Lyeo, C. K. Shih, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, and E. D. Jones (unpublished).
20. R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 76, 188 (1999).