Physical characterization and electrical properties of sol-gel-derived zirconia films

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 6, 2006, Pages

  You, Hsin Chiang ^a   Ko, Fu Hsiang ^a,b   Lei, Tan Fu ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURE; SILICON DIOXIDE FILMS; SOL-GEL SPIN-COATING PROCESSING; ZIRCONIA FILMS;

ANNEALING; SILICA; SOL-GELS; SPIN COATING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ZIRCONIA;

ULTRATHIN FILMS;

EID: 33646385874     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2186182     Document Type: Article

References (20)

1. Y. Ma, Y. Ono, L. Stecker, D. R. Evans, and S. T. Hsu, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1999, 149.
2. W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onishi, T. Ngai, S. Banerjee, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1999, 145.
3. R. E. Nieh, C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, S. Krishnan, J. H. Han, Y. H. Kim, M. S. Akbar, and J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices, ED-50, 333 (2003).
4. C. H. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, S. J. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 27.
5. W. J. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, K. Onishi, L. Kang, Y. Jeon, J. C. Lee, V. Kaushik, B. Y. Neuyen, L. Prabhu, K. Eisenbeiser, and J. Finder, VLSI Technical Digest, p. 40 (2000).
6. T. Yamaguchi, H. Satake, and N. Fukushima, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2001, 663.
7. Z. J. Luo, T. P. Ma, E. Cartier, M. Copel, T. Tamagawa, and B. Halpern, VLSI Technical Digest, p. 135 (2001).
8. J. Zhu, Z. G. Liu, M. Zhu, G. L. Yuan, and J. M. Liu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 80, 321 (2005).
9. T. Yamaguchi, H. Satake, N. Fukushima, and A. Toriumi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 19.
10. Y. Kim, G. Gebara, M. Freiler, J. Barneet, D. Riely, J. Chen, K. Torres, J. Lim, B. Foran, F. Shappur, A. Agarwal, P. Lysaght, G. A. Brown, C. Young, S. Borthakur, H. J. Li, B. Nguyen, P. Zeitzoff, G. Bersuker, D. Derro, R. Bergmann, R. W. Murto, A. Hou, H. R. Huff, E. Shero, C. Pomarede, M. Givens, M. Mazanec, and C. Werkhoven, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2001, 455.
11. J. C. Wang, S. H. Chiao, C. L. Lee, T. F. Lei, Y. M. Lin, M. F. Wang, S. C. Chen, C. H. Yu, and M. S. Liang, J. Appl. Phys., 92, 3936 (2002).
12. J. P. Chang, Y. S. Lin, and K. Chu, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1782 (2001).
13. J. P. Chang and Y. S. Lin, J. Appl. Phys., 90, 2964 (2001).
14. R. Caruso, A. D. Parralejo, P. Miranda, and F. Guiberteau, J. Mater. Res., 16, 2391 (2001).
15. K. T. Miller and F. F. Lange, J. Mater. Res., 6, 2387 (1991).
16. E. S. González, P. Miranda, A. D. Parralejo, A. Pajares, and F. Guiberteau, J. Mater. Res., 20, 1544 (2005).
17. V. Kiisk, I. Sildos, S. Lange, V. Reedo, T. Tätte, M. Kirm, and J. Aarik, Appl. Surf. Sci. 247, 412 (2005).
18. C. J. Brinker and G. W. Scherer, Sol-Gel Science, Academic Press, New York (1989).
19. A. J. Moulson and J. M. Herbert, Electroceramics, Wiley, New York (2003).
20. J. C. Vickerman, Surface Analysis, Wiley, New York (1997).