Induced changes in surface band bending of n -type and p -type AlGaN by oxidation and wet chemical treatments

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 7, 2006, Pages

  Lin, Yow Jon ^a   Chu, Yow Lin ^a   Lin, Wen Xiang ^a   Chien, Feng Tso ^b   Lee, Chi Sen ^c  

^a NATIONAL CHANGHUA UNIVERSITY OF EDUCATION   (Taiwan)

^b FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; CHEMICAL REACTIONS; OXIDATION; SURFACE CHEMISTRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

SURFACE BAND BENDING; SURFACE REGION; SURFACE STATE DENSITY; VALENCE-BAND SPECTRA;

BENDING (DEFORMATION);

EID: 33645898308     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2187397     Document Type: Article

References (20)

1. T. Nakayama, H. Miyamoto, Y. Ando, Y. Okamoto, T. Inoue, K. Hataya, and M. Kuzuhara, Appl. Phys. Lett. 85, 3775 (2004).
2. S. H. Lim, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, and D. Qiao, Appl. Phys. Lett. 78, 3797 (2001).
3. J. Chen, D. G. Ivey, J. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, and J. B. Webb, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1004 (2002).
4. J. H. Wang, S. E. Mohney, S. H. Wang, U. Chowdhury, and R. D. Dupuis, J. Electron. Mater. 33, 418 (2003).
5. S. T. Bradley, S. H. Goss, J. Hwang, W. J. Schaff, and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 85, 1368 (2004).
6. A. Motayed, A. Sharma, K. A. Jones, M. A. Derenge, K. A. Iliadis, and S. N. Mohammad, J. Appl. Phys. 96, 3286 (2004).
7. C. M. Jeon and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4301 (2003).
8. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1675 (2001).
9. L. S. Yu, D. J. Qiao, Q. J. Xing, S. S. Lau, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 238 (1998).
10. B. V. Daele, G. V. Tendeloo, W. Ruythooren, J. Derluyn, M. R. Leys, and M. Germain, Appl. Phys. Lett. 87, 061905 (2005).
11. K. K. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 4776 (2005).
12. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
13. V. M. Bermudez, T. M. Jung, K. Doverspike, and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 79, 110 (1996).
14. H. Morko̧, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999), p. 27.
15. T. Hashizume and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 234, 387 (2004).
16. S. Rajasingam, J. Appl. Phys. 94, 6366 (2003).
17. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 86, 1170 (1999).
18. J. K. Kim, K. J. Kim, B. Kim, J. N. Kim, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J. L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 129 (2001).
19. J. K. Kim and J. L. Lee, J. Electrochem. Soc. 150, G209 (2003).
20. H. W. Jang and J. L. Lee, J. Electrochem. Soc. 150, G513 (2003).