Fabrication of tunable nanostructure arrays using ion-polishing-assisted nanosphere lithography

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 3, 2006, Pages

  Zheng, Y B ^a   Wang, S J ^a   Huan, A C H ^a,b   Wang, Y H ^c  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARRAYS; IONS; LITHOGRAPHY; NANOTECHNOLOGY;

ION-POLISHING-ASSISTED NANOSPHERE LITHOGRAPHY; NANOHOLE ARRAYS; TUNABLE NANOSTRUCTURE ARRAYS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33645533813     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2169867     Document Type: Article

References (26)

1. R. C. Ebersole, J. A. Miller, J. R. Moran, and M. D. Ward, J. Am. Chem. Soc. 112, 3239 (1990).
2. M. M. Miller, P. E. Sheehan, R. L. Edelstein, C. R. Tamanaha, L. Ahong, S. Bounnak, L. J. Whitman, and R. J. Colton, J. Magn. Magn. Mater. 225, 156 (2001).
3. J. J. Storhoff, R. Elghanian, R. C. Mucic, C. A. Mirkin, and R. L. Letsinger, J. Am. Chem. Soc. 120, 1959 (1998).
4. R. Elghanian, J. J. Storhoff, R. C. Mucic, R. L. Letsinger, and C. A. Mirkin, Science 277, 1078 (1997).
5. H. Fang, R. Zeller, and P. J. Stiles, Appl. Phys. Lett. 55, 1433 (1989).
6. J. C. Hulteen and R. P. Van Duyne, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1553 (1995).
7. J. C. Hulteen, D. A. Treichel, M. T. Smith, M. L. Duval, T. R. Jensen, and R. P. Van Duyne, J. Phys. Chem. B 103, 3854 (1999).
8. X. D. Wang, C. J. Summers, and Z. L. Wang, Nano Lett. 4, 423 (2004).
9. X. D. Wang, E. Graugnard, J. S. King, Z. L. Wang, and C. J. Summers, Nano Lett. 4, 2223 (2004).
10. C. W. Kuo, J. Y. Shiu, P. Chen, and G. A. Somorjai, J. Phys. Chem. B 107, 9950 (2003).
11. Y. N. Xia, J. A. Rogers, K. E. Paul, and G. M. Whitesides, Chem. Rev. (Washington, D.C.) 99, 1823 (1999).
12. Y. N. Xia, B. Gates, Y. D. Yin, and Y. Lu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 693 (2000).
13. M. Geissler and Y. N. Xia, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 1249 (2004).
14. C. L. Haynes, A. D. McFarland, M. T. Smith, J. C. Hulteen, and R. P. Van Duyne, J. Phys. Chem. B 106, 1898 (2002).
15. A. V. Whitney, B. D. Myers, and R. P. Van Duyne, Nano Lett. 4, 1507 (2004).
16. W. Frey, C. K. Woods, and A. Chilkoti, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 1515 (2000).
17. A. Kosiorek, W. Kandulski, P. Chudzinski, K. Kempa, and M. Giersig, Nano Lett. 4, 1359 (2004).
18. A. Kosiorek, W. Kandulski, H. Glaczynska, and M. Giersig, Small 1, 439 (2005).
19. C. Haginoya, M. Ishibashi, and K. Koike, Appl. Phys. Lett. 71, 2934 (1997).
20. D. G. Choi, H. K. Yu, S. G. Jang, and S. M. Yang, J. Am. Chem. Soc. 126, 7019 (2004).
21. D. G. Choi, S. Kim, S. G. Jang, S. M. Yang, J. R. Jeong, and S. C. Shin, Chem. Mater. 16, 4208 (2004).
22. B. J. Y. Tan, C. H. Sow, K. Y. Lim, F. C. Cheong, G. L. Chong, A. T. S. Wee, and C. K Ong, J. Phys. Chem. B 108, 18575 (2004).
23. J. M. Mclellan, M. Geissler, and Y. N. Xia, J. Am. Chem. Soc. 126, 10830 (2004).
24. M. Geissler, J. M. Mclellan, J. Y. Chen, and Y. N. Xia, Angew. Chem., Int. Ed. 44, 3596 (2005).
25. J. M. Mclellan, M. Geissler, and Y. N. Xia, Chem. Phys. Lett. 408, 80 (2005).
26. H. W. Deckman and J. H. Dunsmuir, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 1109 (1983).