Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 5, 2005, Pages

  Jin, Bo ^a   Wang, Xi ^a   Chen, Jing ^a   Cheng, Xinli ^a   Chen, Zhijun ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON; STRAIN; SUBSTRATES; ULTRATHIN FILMS;

INSULATOR LAYERS; STRAIN EQUALIZATION; STRAIN TRANSFER PROCESS; STRAINED SILICON;

ELECTRIC INSULATORS;

EID: 33645531360     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1991987     Document Type: Article

References (17)

1. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
2. T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake, A. Kurobe, and A. Toriumi, IEEE Electron Device Lett. 21, 230 (2000).
3. Z.-Y. Cheng, M. T. Currie, C. W. Leitz, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, J. L. Hoyt, and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett. 22, 321 (2001).
4. L. J. Huang, J. O. Chu, S. A. Goma, C. P. D'Emic, S. J. Koester, D. F. Canaperi, P. M. Mooney, S. A. Cordes, J. L. Speidell, R. M. Anderson, and H.-S.-P. Wong, IEEE Electron Device Lett. 49, 1566 (2002).
5. S. Fukatsu, Y. Ishikawa, T. Saito, and N. Shibata, Appl. Phys. Lett. 72, 3485 (1998).
6. G. Taraschi, Z.-Y. Cheng, M.T. Currie, C.W. Leitz, T.A. Langdo, M.L. Lee, A. Pitera, J.L. Hoyt, D.A. Antoniadis, and E.A. Fitzgerald, Proceedings of the Tenth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 2001, p. 27.
7. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'Emic, R. M. Anderson, S. J. Koester, and H.-S.-P. Wong, Appl. Phys. Lett. 78, 1267 (2001).
8. Z. Cheng, G. Taraschi, M. T. Currie, C. W. Leitz, M. L. Lee, A. Pitera, T. A. Langdo, J. L. Hoyt, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, J. Electron. Mater. 30, L37 (2001).
9. T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 79, 1798 (2001).
10. T. S. Drake, C. Ni Chleirigh, M. L. Lee, A. J. Pitera, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 83, 875 (2003).
11. T. A. Langdo, M. T. Currie, A. Lochtefeld, R. Hammond, J. A. Carlin, M. Erdtmann, G. Braithwaite, V. K. Yang, C. J. Vineis, H. Badawi, and M. T. Bulsara, Appl. Phys. Lett. 82, 4256 (2003).
12. E. Fitzgerald, M. Currie, S. Samavedam, T. Langdo, G. Taraschi, V. Yang, C. Leitz, and M. Bulsara, Phys. Status Solidi A 171, 227 (1999).
13. T. K. Carns, M. O. Tanner, and K. L. Wang, J. Electrochem. Soc. 142, 1260 (1995).
14. F. S. Johnson, D. S. Miles, D. T. Grider, and J. J. Worthman, J. Electron. Mater. 21, 805 (1992).
15. B. Dietrich, E. Bugeil, J. Klatt, G. Lippert, T. Morgenstern, H. J. Osten, and P. Zaumeseil, J. Appl. Phys. 74, 3177 (1993).
16. M. Chandrasekhar, J. B. Renucci, and M. Cardona, Phys. Rev. B 17, 1623 (1978).
17. A. R. Powell, S. S. Iyer, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett.. 64, 1856 (1994).