Nanoscopic Pd line arrays using nanocontact printed dendrimers

Langmuir

Volumn 22, Issue 7, 2006, Pages 3326-3331

  Jang, Se Gyu ^a   Choi, Dae Geun ^b   Kim, Sarah ^a   Jeong, Jun Ho ^b   Lee, Eung Sug ^b   Yang, Seung Man ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b Korea Institute of Machine and Materials   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMINES; BIOSENSORS; DENDRIMERS; ELASTOMERS; ETCHING; MICROELECTRONICS; MONOLAYERS; NANOTECHNOLOGY; PALLADIUM; SELF ASSEMBLY; SILICON; ULTRAVIOLET DEVICES;

ELASTOMERIC PDMS STAMPS; GAS-SENSING DEVICES; HIGH-DENSITY PD LINE ARRAY; NANOCONTACT PRINTED DENDRIMERS; NANOCONTACT PRINTING; PDMS NANOSTAMP; UV NANOIMPRINTING;

ARRAYS;

EID: 33645507974     PISSN: 07437463     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/la0525170     Document Type: Article

References (32)

1. (a) Landis, S.; Rodmacq, B.; Dieny, B. Phys. Rev. B2000, 62, 12271.
2. (b) Finer, R. D.; Zhu, J.; Xu, F.; Hong, S.; Mirkin, C. A. Science 1999, 283, 661.
3. (c) Rettner, C. T.; Anders, S.; Thomson, T.; Albrecht, M.; Best, M. E.; Terris, B. D. IEEE Trans. Magn. 2002, 38, 1725.
4. Kumar, A.; Whitesides, G. M. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 200.
5. (a) Xia, Y.; Zhao, X.-M.; Whitesides, G. M. Microelectron. Eng. 1996, 32, 255.
6. (b) Xia, Y.; Zhao, X.-M.; Kim, E.; Whitesides, G. M. Chem. Mater. 1995, 7, 2332.
7. (c) Love, J. C.; Wolfe, D. B.; Chabinyc, M. L.; Paul, K. E.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 1576.
8. (a) Kim, E.; Whitesides, G. M.; Lee, L. K.; Smith, S. P.; Prentiss, M. Adv. Mater. 1996, 8, 139.
9. (b) Zhang, H.-L.; Bucknall, D. G.; Dupuis, A. Nano Lett. 2004, 4, 1513.
10. Huck, W. T. S.; Yan, L.; Stroock, A.; Haag, R.; Whitesides, G. M. Langmuir 1999, 15, 6862.
11. Rogers, J. A.; Jackman, R. J.; Whitesides, G. M. Adv. Mater. 1997, 9, 475.
12. (a) Gorman, C. B.; Biebuyck, H. A.; Whitesides, G. M. Chem. Mater. 1995, 7, 526.
13. (b) Yang, H.; Coombs, N.; Ozin, G. A. Adv. Mater. 1997, 9, 811.
14. (c) Zhou, F.; Chen, M.; Liu, W.; Liu, J.; Liu, Z.; Mu, Z. Adv. Mater. 2003, 15, 1367.
15. (d) Park, M. H.; Jang, Y. J.; Sung-Suh, H. M.; Sung, M. M. Langmuir 2004, 20, 2257.
16. (a) Li, H.-W.; Muir, B. V. O.; Fichet, G.; Huck, W. T. S. Langmuir 2003, 79, 1963.
17. (b) Li, H.-W.; Kang, D-. J.; Blamire, M. G.; Huck, W. T. S. Nano. Lett. 2002, 2, 347.
18. (a) Delamarche, E.; Schmid, H.; Michel, B.; Biebuyck, H. Adv. Mater. 1997, 9, 141.
19. (b) Rogers, J. A.; Paul, K. E.; Whitesides, G. M. J. Vac. Sci. Technol. B 1998, 16, 88.
20. (c) Hui, C. Y.; Jagota, A.; Lin, Y. Y.; Kramer, E. J. Langmuir 2002, 18, 1394.
21. (d) Sharp, K. G.; Bloackman, G. S.; Glassmaker, N. J.; Jagota, A.; Hui, C.-Y. Langmuir 2004, 20, 6430.
22. Odom, T. W.; Love, J. C.; Wolfe, D. B.; Paul, K. E.; Whitesides, G. M. Langmuir 2002, 18, 5314.
23. (a) McKendry, R.; Huck, W. T. S.; Weeks, B.; Fiorini, M.; Abell, C; Rayment, T. Nano Lett. 2002, 2, 713.
24. (b) Tully, D. C.; Wilder, K.; Frechet, J. M. J.; Trimble, A. R.; Quate, C. F. Adv. Mater. 1999, 11, 314.
25. Tokuhisa, H.; Zhao, M.; Baker, L. A.; Phan, V. T.; Dermody, D. L.; Garcia, M. E.; Peez, R. F.; Crooks, R. M.; Mayer, T. M. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 4492.
26. (a) Jeong, J. H.; Sim, Y. S.; Sohn, H. K.; Lee, E. S. Microelectron. Eng. 2004, 75, 165.
27. (b) Colburn, M.; Johnson, S.; Damle, S.; Bailey, T.; Choi, B.; Wedlake, M.; Michaelson, T.; Sreenivasan, S.V.; Ekerdt, J.; Willson, C. G. Proc. SPIE 1999, 3676, 379.
28. (a) Moniz, B. J. Metallurgy, 2nd ed.; American Technical Publishers: Homewood, IL, 1994.
29. (b) Wolfe, D. B.; Love, J. C.; Paul, K. E.; Chabinyc, M. L.; Whitesides, G. M. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2222.
30. (c) Bangar, M. A.; Ramanathan, K.; Yun, M.; Lee, C.; Hangarter, C.; Myung N. V. Chem. Mater. 2004, 16, 4955.
31. (a) Arrington, D.; Curry. M.; Street, S. C. Langmuir 2002, 18, 7788.
32. (b) Tsukruk, V. V.; Rinderspacher, F.; Bliznyuk V. N. Langmuir 1997, 13, 2171.