Electrical characteristics of bulk GaN-based Schottky rectifiers with ultrafast reverse recovery

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 11, 2006, Pages

  Zhou, Yi ^a   Li, Mingyu ^a   Wang, Dake ^a   Ahyi, Claude ^a   Tin, Chin Che ^a   Williams, John ^a   Park, Minseo ^a   Mark Williams, N ^b   Hanser, Andrew ^b  

^a AUBURN UNIVERSITY   (United States)

^b KYMA TECHNOLOGIES INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EDGE TERMINATION; ELECTRON CONCENTRATIONS; SCHOTTKY DIODE RECTIFIERS;

ALUMINUM; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SURFACE ROUGHNESS; TITANIUM;

ELECTRON TUBE RECTIFIERS;

EID: 33645164201     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2186368     Document Type: Article

References (24)

1. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
2. E. H. Roderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, Oxford, 1988).
3. A. Witek, Diamond Relat. Mater. 7, 962 (1998).
4. G. A. Slack, J. Phys. Chem. Solids 34, 321 (1973).
5. G. T. Dang, A. P. Zhang, M. M. Mshewa, F. Ren, J.-I. Chyi, C.-M. Lee, C. C. Chuo, J. Han, S. N. G. Chu, R. G. Wilson, X. A. Cao, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1135 (2000).
6. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, X. A. Cao, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1237 (2000).
7. J.-I. Chyi, C.-M. Lee, C.-C. Chuo, X. A. Cao, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, J. Elast. 44, 613 (2000).
8. J. W. Johnson, J. R. LaRoehe, F. Ren, B. P. Gila, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, J.-I. Chyi, C. C. Chuo, T. E. Nee, C. M. Lee, K. P. Lee, S. S. Park, Y. J. Park, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 45, 405 (2001).
9. J. W. Johnson, A. P. Zhang, W.-B. Luo, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and J.-I. Chyi, IEEE Trans. Electron Devices 49, 32 (2002).
10. B. S. Kang, F. Ren, Y. Irokawa, K. W. Baik, S. J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, J.-I. Chyi, H.-J. Ko, and H.-Y. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 710 (2004).
11. U. Karrer, O. Ambaeher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 2012 (2000).
12. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Teehnol. B 10, 1237 (1992).
13. M. Trivedi and K. Shenai, J. Appl. Phys. 85, 6889 (1999).
14. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
15. L. Sugiura, J. Appl. Phys. 81, 1633 (1997).
16. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
17. S. Nakamura, M. Senoh, S. Hagahama, H. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
18. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
19. S. J. Rosner, G. Girolami, H. Marchand, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, L. Zhao, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 2035 (1999).
20. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
21. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
22. D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
23. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, A. H. Onstine, B. P. Gila, F. Ren, B. Lou, and J. Kim, Mater. Today 5, 24 (2002).
24. M. Misra, A. V. Sampath, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 76, 1045 (2000).