Room temperature photo-CVD SiO 2 layers on AlGaN and AlGaN/GaN MOS-HFETs

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 203, Issue 2, 2006, Pages 404-409

  Wang, C K ^a   Chang, S J ^a   Su, Y K ^a   Chiou, Y Z ^b   Lin, T K ^a   Wong, C C ^a   Liu, H L ^a   Chang, S P ^a   Tang, J J ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GATE VOLTAGE SWING (GVS); ROOM TEMPERATURE;

ALUMINUM COMPOUNDS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC CURRENTS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; MOS DEVICES; TEMPERATURE DISTRIBUTION; TRANSCONDUCTANCE;

SILICA;

EID: 32144444886     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200521299     Document Type: Article

References (22)

1. S. X. Xie, V. Paidi, R. Coffie, S. Keller, S. Heikman, B. Moran, A. Chini, S. P. DenBaars, U. Mishra, S. Long, and M. J. W. Rodwell, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett. 13, 284 (2003).
2. B. M. Green, L. Sungjae, K. Chu, K. J. Webb, and L. F. Eastman, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett. 10, 270 (2000).
3. V. S. Kaper, R. M. Thompson, T. R. Prunty, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 53, 55 (2005).
4. H. T. Xu, N. K. Pervez, P. J. Hansen, L. Shen, S. Keller, U. K. Mishra, and R. A. York, IEEE Electron Device Lett. 25, 49 (2004).
5. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
6. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 83, 4336 (2003).
7. B. P. Gila, J. Kim, B. Luo, A. Onstine, W. Johnson, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 47, 2139 (2003).
8. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Rang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 446 (2002).
9. K. Matocha, R. J. Gutmann, and T. P. Chow, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1200 (2003).
10. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
11. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
12. R. Mehandru, B. P. Gila, J. Kim, J. W. Johnson, K. P. Lee, B. Luo, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and F. Rena, Electrochem. Solid-State Lett. 5, G51 (2002).
13. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2003).
14. S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, J. R. Chiou, B. R. Huang, C. S. Chang, and J. F. Chen, J. Electochem. Soc. 150, C77 (2003).
15. C. K. Wang, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, B. R. Huang, T. K. Lin, and S. C. Chen, J. Electron Mater. 32, 407 (2003).
16. Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, T. K. Lin, and B. R. Huang, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1748 (2003).
17. C. K. Wang, T. K. Lin, Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Kuo, and T. K. Ko, Semicond. Sci. Technol. 18, 1033 (2003).
18. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, T. K. Lin, and B. R. Huang, phys. stat. sol. (c) 0, 2355 (2003).
19. C. K. Wang, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Wei, T. K. Lin, T. K. Ko, Y. Z. Chiou, and J. J. Tang, Mater. Sci. Eng. B 119, 25 (2005).
20. E. H. Nicollian and J. R. Brews, in: MOS (Metal Oxide Semiconductor) physics and technology (New Jersey, Artech House, 1982), chap. 8.
21. S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, M. A. Khan, G. Simin, X. Hu, and J. Yang, J. Appl. Phys. 90, 310 (2001).
22. N. Pala, R. Gaska, S. L. Rumyantsev, M. S. Shur, M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, and J. Yang, Electron. Lett. 36, 268 (2000).